NAND FLASH 编程总结

1、nand flash 编程总结 nand flash操作总结 目前nand flash主要是samsung、toshiba两家公司生产。本文我们主要讨论这两家的产品型号。另外我们还会讨论hitachi的and flash， 为了内容条理起见，我们将分别讨论samsung、toshiba的binary flash，详细说明：1、各个厂家各个型号flash的操作时序、以及这些操作在“usb闪存盘控制器”中的影响；2、同一厂家不同型号间的区别、不同厂家之间的区别； 然后讨论toshiba的mlc flash； 最后我们要考虑一下and flash的情况，并给出一个初步的结论：我们是否需要支持and

2、flash。 通过这些比较，给出一个较明确的结论：我们的“usb闪存盘控制器”需要支持的flash操作有那些，时序图如何！ samsung： samsung推出的nand flash主要有以下容量： 32mbit、64mbit、128mbit、256mbit、512mbit、1gbit、2gbit、4gbit通常，我们把其中的1gbit、2gbit、4gbit叫做“大容量”，其余的则不加强调。 32mbit、64mbit、128mbit、256mbit、512mbit的flash 的特性基本相似： ?organization - data register : (512 + 16) byte

3、?automatic program and erase - page program : (512 + 16)byte - block erase : (8k + 256)byte/(16k + 512)byte ?528-byte page read operation - random access : 10?s(max.) - serial page access : 50ns(min.) ?fast write cycle time - program time : 200?s(typ.) - block erase time : 2ms(typ.) ?flash操作包括基本的七种操

4、作： read1、read2、read id、reset、page program、block erase、read status 512mbit的flash引入了“plane”和“copy-back”的概念，并为此增加了四种新的操作，但却放弃了128mbit、256mbit中“sequential data input”操作，这四种操作是：针对“plane”的page program(dummy)、multi_plane block erase、read multi_plane status、针对“copy-back”的copy_back program 1gbit、2gbit、4gbit（

5、大容量）的操作基本相同，但他们比一般flash多了copy-back、cache program的功能： ?organization - data register : (2k + 64) byte - cache register : (2k + 64) byte ?automatic program and erase - page program : (2k + 64)byte - block erase : (128k + 4k)byte 第1页 共29页 ?page read operation - random access : 25?s(max.) - serial page a

6、ccess : 50ns(min.) ?fast write cycle time - program time : 300400?s(typ.) - block erase time : 2ms(typ.) ?大容量flash操作包括七种基本操作中的六种： read、read id、reset、page program、block erase、read status，大容量flash的page不再分为a、b、c区，所以也不再有read1、 read2的区分。另外支持五种高性能操作方式：read for copy-back、cache program、copy-back program、ran

7、dom data input、random data output。 下面我们就讨论一下各个操作的详细时序。 read1 操作示意图： read1 操作时序图： 第2页 共29页 普通flash的page划分为a、b、c三个区，其中a区是0255byte，b区是256511byte ，c区是512527 byte，read1操作是针对a、b区的，也就是说rread1操作只能访问512 byte的数据区；而16 byte的冗余区则是通过read2来完成的。read1操作可以通过ce/信号来中断读操作。下面是read2的操作： read1 操作示意图： read1 操作时序图： 第3页 共29页

8、另外，对于读操作还有一种“行连续读”，她可以连续读数据区或者冗余区的数据，其操作示意图如下： sequential row read1 operation 对于read2操作同样也有“连续读”操作，操作示意图如下： 第4页 共29页 sequential row read2 operation (gnd input=fixed low) page prgram 由于nand flash的写入是以pgae为单位的，并且对于所有写入操作，我们都需要有一个“读状态”操作来判断数据是否正确写入，所以，我们把写入和读状态操作放在一起来进行说明，操作示意图如下： program & read status operation 其操作时序图如下： pa