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文档简介

1、.绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1. 结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。N沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他MOS管符号2. 工作原理（以N沟道增强型为例）(1) VGS=0时，不管V

2、DS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。VGS =0， ID =0VGS必须大于0管子才能工作。(2) VGS0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。VGS 0g吸引电子反型层导电沟道VGS反型层变厚 VDS ID(3) VGSVT时而VDS较小时：VDSID VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGSVT = VGS VDS3. 特性曲线（以N沟道增强型为例）场效应管的转移特性曲线动画4.其它类型MOS管（1）N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量

3、的正离子，所以即使在VGS=0时，由于正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。其它类型MOS管（2）P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS 0时管子才能工作。（3）P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。5. 场效应管的主要参数(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。（增强）(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。（耗尽）(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。（耗尽）(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.11pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为13pF。(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。(6) 最大漏极电

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