《常用电子器件》PPT课件.ppt

1、,第一讲 常用电子器件,1、电阻的单位：国际单位为欧姆（）。常用单位有： M, K,m,. 2、电阻按材料分可分成以下几类： a、碳膜电阻 b、金属膜电阻,主要是小功率,1.1 电阻,1 常用电子半导体器件,c、绕线电阻 d、水泥电阻,大功率,B. 标准功率： W, W, W, W,1W,2W,5W,50W,100W. C. 精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度,1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.1 0。,A. 标称阻值。如：1，10K.,1.2 电容

2、器 1.电容器的符号,2. 电容单位 3. 电容器分类： a、瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。 b、 CBB电容（金属化薄膜电容，高低压均有）,c、独石电容 d、钽电容,低压,e、铝电解电容,贴片元器件,贴片钽电容,贴片铝电解电容电容,穿心电容,4、电容元件的主要技术参数 a、标称容量, 如:电解电容 100F/25V, 1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2， 4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。 例：CBB电容 2700pF/63V、272J(K) b、耐压： 6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,

3、100V,160V,250V,400V,450V, 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。 c、精度： 5%(J级) 10%(K级)，20%(M级)电解电容允许误差。 d、损耗角： tg e、串联等效电阻：ESR,高频电路或开关电源中这两个参数很重要,f、最大脉动电流：400V/10F /280mA g、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85下，工作温度每降低10C ，电解电容寿命增加一倍。每增加10C ，寿命减少一倍。 h、漏电流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F电容 I=105A,1.3 电感 1、符号 空芯电感 有铁芯电感,2、分

4、类： a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有H级） b、高频（铁氧体芯）电感：可做H、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。 c、低频（矽钢片）电感： 可做mH级。,3、单位（亨利） 4、参数 a、标称容量：（mH） b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。 c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。 d、损耗： 铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加 铜损：漆包线电阻损耗,1.4、三极管 1、符号 2、分类 按材料分： a、硅管（PN结压降：0.7V） b、锗管（PN结压降：0.3V）,3、主要技术指标： a、电流放大系数： 注意标志：F标志 ：50-70 G标志 ：70-90 H

5、标志 ：100-120 I 标志 ：120-150 *管子耐压越高，额定工作电流（ICM）越大，则越小。 例:MJE13005，500V/5A，:15-35之间 S8050， 45V/1A， :70-200之间,b、反向击穿电压： Ucbo (发射极开路) Uebo（集电极开路） Uceo（基极开路） c、集电极最大允许电流ICM d、集电极最大允许耗散功率PCM Pc=IcUce 耗散功率与环境温度和散热条件有关（RoJ），手册上一般给出环境温度为20时PCM值。 e、截止频率： 共射极截止频率fb, 定义为降低 到0.707倍时的频率称为fb,三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为U

6、ebo,4、封装形式：,1.功率MOSFET的结构,1.5 功率场效应晶体管结构特点,图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号,2、MOS管特点 a、电压控制元件，输入阻抗高。 b、导通电阻Ron大 . c、工作频率高（对功率器件而言） d、是一种元细胞集成器件,适合并联 e、DS极之间内部寄生二极管 3、主要技术指标： a、额定电压Uds,它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定 b、最大漏极电流Idmax (标称MOS管电流额定参数) c、阀值电压Ugs(th) (又称门极开启电压) d、导通电阻 ：Ron,e、最高工作频率fm : Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间 f、开通时间和关断时间： 开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大. g、极间电容,输入电容：Ciss = CGS + CGD 输出电容：Coss =CDS + CGD,5、常用MOS器件： 2N7000 60V/0.2A IRFD014 60V/1.7A IRFD210 200V/0.6A IRFD110 100V/1.0A IRF530 100V/