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1、.第二章 光纤通信参考答案11. 半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度，已知GaAs材料的Eg=1.43eV，某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV，求它们的发射波长。(eV是能量单位，表示一个电子在1伏特电压差下所具有的能量)解： InGaAsP材料，12. 一半导体激光器，谐振腔长L=300m，工作物质的损耗系数=1mm-1，谐振腔两端镜面的反射率R1R2=0.330.33，求激光器的阈值增益系统th。若后镜面的反射率提高到R2=1，求阈值时的增益以及阈值电流的变化。解： R2=1时，阈值电流变小13. 一半导体激光器，阈值电流， ， ，注入幅度为90mA的阶跃电流脉冲，求

2、：瞬态过程中张弛震荡的频率和衰减时间；电光延迟时间解：震荡的角频率 衰减系数 ，衰减时间 电光延迟时间 16.对于双异质结激光器，为自发复合的寿命时间，自发辐射速率。求解稳态速率方程组，证明下列关系式是其稳态解。（1）当 （2）当解：速率方程组为达到稳态时，可以写为其中， 和 分别表示电子密度和光子密度的稳态值。时，受激复合与自发复合项相比较小，光场很弱，有，则有因此有时，有，当激光器激射以后，受激辐射占主导地位，通常很小，大约为 量级，因而可以忽略自发复合项，即有因此有表明激光器达到阈值以后，增益函数达到饱和，不再随注入电流而变化。而增益函数的饱和说明腔内电子密度被锁定在饱和值，因而使自发发射速率也达到饱和。时，因为g饱和，故有两个式子相加并忽略自发复合项后，有将代入后得到 因此有1.已知某LD 的特征温度为720K（开氏温度），而且在20 0C 时，阈值电

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