模电第1单元检测题(有答案)

1、第 1 单元 检测题 （共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空1 分，共28 分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的 多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电结 及向外引出的三个铝电极。 3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。 4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和 反向击穿 区四个工作区。 5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R1k

2、 档位，检测中若指针 偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是 二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大， 说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极 管已经 老化不通 。 6 、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于电压 控制型器件。MOS管只有多数 载流子构成导通电流。 7、晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正 向导通的条件是 阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压 ，关断的条件是 晶闸管反偏或电流小于维持

3、电流 。 8、晶闸管有阳极、 阴 极和 门控 极三个电极。 二、判断正误：（每小题1 分，共 12 分） 1、P 型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P 型半导体带负电.。（ ） 2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。（ ） 3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R10K档位。（ ） 4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ ） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（ ） 6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。（ ） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（ ） 8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流I

4、CM 时，该管必定被击穿。（ ） 9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。 （ ） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（ ） 11、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。（ ） 12、晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。（ ） 三、选择题：（每小题2 分，共20 分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态；

5、B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等 1K?，说明该二极管（ A ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE 2.1V，VB 2.8V，VC 4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法

6、判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM ； B、集射极间反向击穿电压U （BR） CEO ； C、集电极最大允许耗散功率PCM ； D、管子的电流放大倍数?。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ B ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题3 分，共24 分） 1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电

7、子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的 空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了 电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子， 所以仍呈电中性。 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚 3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则 可判断出管脚是

8、发射极，管脚是基极，管脚是集电极。 3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？ 答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起 热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。 4、图 1.44 所示电路中，已知输入信号为正弦交流信号，二极管的正向压降均为0.7V，电源E为5V，求各电路的输出电压U0 波形。 答：分析：根据电路可知，当u i E时，二极管导通u i =u0 ，当u i E 时，二极管截止时，u 0 =E 。所以u0的波形图如下图所示： 图1.44 5、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个 二极管背靠背地

9、连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管 的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基 区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉， 根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因 为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。 7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的

10、作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？ 答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通， 反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用， 在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反 偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当 发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反 偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种 状态。晶闸管具有 PNPN 四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。 8、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不采用同步触发，对电路输出 电压将产生