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1、第一章 半导体基础知识自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO51.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根据PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V，所以 七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）A C （2）A （3）C （

2、4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如图所示。 1.4 ui和uo的波形如图所示。 1.5 uo的波形如图所示。 1.6 ID（VUD）/R2.6mA，rDUT/ID10，IdUi/rD1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA，RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 （1）当UI10V时，若UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压

3、管未击穿。故 当UI15V时，由于上述同样的原因，UO5V。 当UI35V时，UOUZ5V。 （2）29mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。 （2） 1.11 波形如图所示。 1.12 60时ICBO32A。 1.13 选用100、ICBO10A的管子，其温度稳定性好。 1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 当VBB0时，T截止，uO12V。当VBB1V时，T处于放大状态。因为当VBB3

4、V时，T处于饱和状态。因为1.17 取UCESUBE，若管子饱和，则 1.18 当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。 当uI5V时，晶体管饱和，uO0.1V。因为 1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能1.20 根据方程 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGDUGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iDf（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。 1.23 uI4

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