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文档简介
1、用能带理论解释导体半导体和,用能带理论解释导体、半导体和绝缘体之间性质的差别,材料化学1301班,用能带理论解释导体半导体和,一. 电子填充能带的情况,当温度接近 0 K时,电子由低能级到高能级逐个填充能带,电子填充能带的情况 金属导体、绝缘体和本征半导体,一般,原子的内层能级都被电子填满,成为满带。价电子引起的能带(价带)可能是满带,也可能不是满带,有些能带相互交叠形成混合能带,交叠后的能带还可能再分裂为上下两个能带,用能带理论解释导体半导体和,满带:填满电子的能带 不满带:未填满电子的能带 空带:没有电子占据的能带 禁带:不能填充电子的能区 价带:在0k时能被电子占满的最高能 带,对半导体
2、价带通常是慢带 导带:半导体最外面(能量最高)的 一个能带,能带被占据情况的几个概念,空带,不满带,禁带,价带,导带,用能带理论解释导体半导体和,能带对电导的贡献,满带,电子交换能态并不改变能量状态,所以满带不导电,导带,不满带或满带以上最低的空带,为什么把空带或不满带称为导带,所以只有这种能带中的电子才能导电,反向电子转移与之抵消,可以形成电流,因此表现出导电性,所以空带又称当由于某种原因电子受到激发而进入空带时,这些电子在外电场作用下向较高的空能级转移,没有为导带,用能带理论解释导体半导体和,二. 金属导体、绝缘体和半导体,1. 导体 较低的能带都被电子填满,上面的能带只是部分地被电子填充
3、,当无外电场时,晶体中的电子速度分布对称,不引起宏观电流,当有外电场时,晶体中的运动着电子有些被加速,有些被减速,即有些动能增加有些动能减小。只有当电子所在的能带内有未被占据的空能级,即为非满带时,这样的跃迁才有可能实现,用能带理论解释导体半导体和,导体的能带结构,空带,导带,E,某些一价金属, 如:Li,某些二价金属, 如:Be, Ca, Mg, Zn, Ba,导带,空带,如:Na, K, Cu, Al, Ag,空带,价带,用能带理论解释导体半导体和,2.绝缘体,从能级图来看,是因为满带 与空带间有一个较宽的禁带,绝缘体在外电场的作用下, 共有化电子很难接受外电场的能量,所以形不成电流,当外电场足够强时,共有化电子还是能越过 禁带跃迁到上面的空带中,使绝缘体的击穿,共有化电子很难从低能级(满带)跃迁到高能级(空带)上去,Eg:36 eV,用能带理论解释导体半导体和,3. 本征半导体不含杂质的纯净半导体,当温度接近 0 K时,价带都被电子填满,价带以上的能带都是空带。因此和绝缘体一样都没有导电性,本征半导体的禁带比绝缘体的窄很多,在常温下,少数电子经热激发可越过禁带跃迁到空带中,这时,半导体就具有一定的导电性,用能带
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