一次清洗工艺说明

1、SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号 01工位名称一次清洗|工位编号YCQX需要人数第1张共8张流向 KS1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3. 责任本工艺说明由技术部负责4. 硅片检验4.1将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；（见附图一、二）4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。5. 装片（见附图三）5.1片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中

2、，每盒最多插25片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。5.3操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。6. 上料（见附图四）6.1硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。7化学腐蚀液的配制7.1准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。旧底

3、图总号底图总号更改标记数量更改单号签名日期签名日 期第1页拟制审核共8页标准化批准SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号 01工位名称一次清洗|工位编号YCQX需要人数第2张共8张 流向 KS7.3化学腐蚀液的配制比例号 槽1#槽2-4#槽7#9#槽功能去损伤层制绒去 NaSiQ去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸NaOHNaOHIPA1 NaSiQ - 9 HOHFHCl标准浓度（克/升）40 518 55 23 153 584 5加入试剂9千克2千克12升6千克16升32升加入试剂（瓶）18431248液面咼

4、度（厘米）4232323230307.4 配制溶液要求：7.4.1配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。7.4.2时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待 10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶 解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后，温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠 10分钟后，才可进硅片。7.4.3异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。8. 各化学药品规格及要求8.1 氢氧化钠

5、：电子纯，容量 500克/瓶，浓度 98%。8.2 异丙醇：电子纯，容量 4升/瓶，浓度99.9%，密度0.78克/毫升。8.3硅酸钠：电子纯，容量 500克/瓶。8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%38%，密度1.18克/毫升。8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度49%，密度1.13克/毫升。9. 工艺过程化学药品的补加（同附表二）旧底图总号底图总号号 槽1#槽24#槽每清洗一篮硅片排液（cm）补加NaOH补加NaOH补加IPA1.5 0.525 10g25 10g4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。9.1工艺过程7

6、、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：更改标记数量更改单号签名日期签名日 期第2页拟制审核共8页标准化批准SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号 01工位名称一次清洗|工位编号YCQX需要人数第3张共8张流向 KS10.各槽化学液更换频率（同附表三）工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）号 槽1#槽24#槽7#槽9#槽更换周期24小时24小时12小时12小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（14号槽）更换条件工艺不正常状态1连续停机8小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态224#槽

7、，其中一槽连续 3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态324#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态424#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。11. 清洗腐蚀工艺参数的设置（同附表四）11.1小片盒放置硅片11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表四）槽位1#槽2-4# 槽5#槽6#槽7#槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去 Na2SiO3时间270 30um24030um230 30um30 min5 min5 min1 min4min2min1min温度C65 283 2常温常温常温槽位8#槽9#槽10#槽11#槽12#

8、槽13、14# 槽功能漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间5 min5 min5 min5 min不使用不使用温度C常温常温常温常温不使用不使用注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。旧底图总号底图总号更改标记数量更改单号签名日期签名日 期第3页拟制审核共8页标准化批准11.1.2离心甩干工艺（同附表五）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数205rpm430rpm30秒180秒10秒10秒SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号 01工位名称 一次清洗 |工位编号YCQ

9、X需要人数第4张共8张流向 KS11.2 大片盒放置硅片（同附表六）11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置111#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同11.2.2 1214#槽工艺参数的设置：槽位12#槽13、 14#槽功能慢拉烘干时间2 min17 min温度C常温170 2C11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表七）11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1 ”选择相应的清洗腐蚀工艺。11.3.2不合格的硅片，厚度w 200 g直接转至扩散工序；200 gv厚度w

10、230 口，按以下工艺返工：槽位1#槽2-4# 槽功能去损伤层制绒时间0 min20 min温度C65 283 212. 运行12.1根据一次清洗工艺操作规程，在手动工作状态下，按照“11清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；12.2根据一次清洗工艺操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。13工艺安全及注意事项.1工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁 净

11、工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。13.3硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。旧底图总号14引用文件SF/ QD工艺-01 一次清洗工艺操作规程底图总号更改标记数量更改单号签名日期签名日 期拟制第4页审核标准化共8页批准SF/ QD-工艺-12 一次清洗检验工艺规程SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号 01工位名称一次清洗|工位编号YCQX需要人数第5张共8张流向 KS硅片检验1将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求;2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；3将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。附图一日期签名附图一旧底图总号底图总号L*、一t数量更改单号签名日期r签名日期|更拟制标准化批准SF工艺说明产品名称单晶硅电池片产品图号SF5.405.010编号旧底图总号底图总号日期签名SF5