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文档简介

1、.光纤通信实验报告1实验室名称:光纤通信实验室 实验日期:2014年12月11日学 院信息科学与工程学院专业、班级姓 名实验名称光源的P-I特性测试指 导教 师教师评语教师签名: 年 月 日实验目的:1、了解半导体激光器LD的P-I特性。2、掌握光源P-I特性曲线的测试方法。实验器材:1、实验器材:主控&信号源模块、2号、25号模块 各一块2、23号模块(光功率计) 一块3、FC/PC型光纤跳线、连接线 若干4、万用表 一个实验内容:激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性。该实验就是通过测量输出功率和电流关系,对该线性关系进行测量,以验证P-I的线性关系。最后根据实验数据,绘出光源P-

2、I特性曲线。实验原理:数字光发射机的指标包括:半导体光源的P-I特性曲线测试、消光比(EXT)测试和平均光功率的测试。接下来的三个实验我们将对这三个方面进行详细的说明。LD半导体激光器P-I曲线示意图半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点,微小的电流变化会导致光功率输出变化,是光纤通信中最重要的一种光源,激光二极管可以看作为一种光学振荡器,要形成光的振荡,就必须要有光放大机制,也即启动介质处于粒子数反转分布,而且产生的增益足以抵消所有的损耗。半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如上图所示,该特性有一个转折点,相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流),用Ith表示。在门限电流以下,

3、激光器工作于自发辐射,输出(荧光)光功率很小,通常小于100pW;在门限电流以上,激光器工作于受激辐射,输出激光功率随电流迅速上升,基本上成直线关系。激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性。该实验就是对该线性关系进行测量,以验证P-I的线性关系。P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时,应选阈值电流Ith尽可能小,没有扭折点, P-I曲线的斜率适当的半导体激光器:Ith小,对应P值就小,这样的激光器工作电流小,工作稳定性高,消光比大;没有扭折点,不易产生光信号失真;斜率太小,则要求驱动信号太大,给驱动电路带来麻烦;斜率太大,则会出现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。实验

4、步骤:1、关闭系统电源,按如下说明进行连线:(1)用连接线将2号模块TH7(DoutD)连至25号光收发模块的TH2(数字输入),并把2号模块的拨码开关S4设置为“ON”,使输入信号为全1电平。(2)用光纤跳线连接25号光收发模块的光发输出端和光收接入端,并将光收发模块的功能选择开关S1打到“光功率计”。(3)用同轴电缆线将25号光收发模块P4(光探测器输出)连至23号模块P1(光探测器输入)。2、将25号光收发模块开关J1拨为“10”,即无APC控制状态。开关S3拨为“数字”,即数字光发送。3、将25号光收发模块的电位器W4和W2顺时针旋至底,即设置光发射机的输出光功率为最大状态; 4、开电

5、,设置主控模块菜单,选择主菜单【光纤通信】【光源的P-I特性测试】功能。5、用万用表测量R7两端的电压(测量方法:先将万用表打到直流电压档,然后将红表笔接TP3,黑表笔接TP2)。读出万用表读数U,代入公式I=U/R7,其中R7=33, 读出光功率计读数P。调节功率输出W4,将测得的参数填入表格。P(uW)u(V)I(A)实验过程原始记录(数据、图表、波形等):1、实验过程: 实验接线与结果显示图: 在主控&信号源模块,选择光纤通信菜单,在其中选择选择第一个实验,光源的P-I特性测试。2实验结果记录测得参数填入表格如下:P(uW)413.7387.0309.6239.8172.597.8413

6、.62u(V)0.640.600.510.430.340.270.16I(A)0.0190.0180.01550.0130.01030.00810.0049P(uW)7.5761.3181.0400.7000.51200.37500.1922u(V)0.150.140.130.120.110.090.05I(A)0.00450.00420.00390.00360.00330.00270.0015最后根据实验测得数据,用Matlab绘出光源P-I特性曲线图如下:Matlab绘制曲线代码如下: x=19,18,15.5,13,10.3,8.1,4.9,4.5,4.2,3.9,3.6,3.3,2.7

7、,1.5;y=413.7,387,309.6,239.8,172.5,97.84,13.62,7.576,1.318,1.040,0.700,0.512,0.375,0.1922;plot(x,y)xlabel(I/mA);ylabel(P/uW);title(实验得LD半导体激光器P-I特性曲线)grid on;对实验结果曲线图的阈值电流部分进行局部放大,如图所示:实验结果及分析: 通过进行了光源的P-I特性测试实验,结合了书本上的知识,我对半导体激光器LD的P-I特性有了进一步的了解,同时也掌握了光源P-I特性曲线的测试方法。 首先可以学习到,P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流,I和

8、P都有其阈值。当I小于阈值电流时,激光器发出的是自发辐射光;当I大于阈值电流时,发出的是受激辐射光,光功率随驱动电流的增加而增加。故一般信息的传输采用调制的方法,一般在I大于其阈值电流的线性区间上进行调制。且激光器输出光功率随温度的变化而变化,因为激光器的阈值电流随温度升高而增大,二是外微分量子效率随温度升高而减小,故温度升高时,输出光功率明显下降,达到一定温度时,激光器就不辐射了。P-I特性也是选择半导体激光器的依据,选择的时候,应该选择阈值电流尽可能小,没有扭折点,P-I曲线的斜率适当的半导体激光器。在做实验的过程中,也因为是初次接触,还有些不习惯,从这第一个实验开始对实验箱的每个模块进行熟悉,中间在读数的时候,我们测得的数据波动的很厉害,不能稳定地读数,所以只能取中间值进行采集。 在实验的过程中,我们对多组数据进行了测量。我们首先由u=0.05(V)测量至u=0.64(V),发现了P-I大致的规律,后又估计在u=0.15(V)左右对应有阈值电流,故又在此范围附近多测量了几组,使最终结果更精确。最后根据我们的数据

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