硅集成电路工艺基础复习

1、硅集成电路工艺基绪论：单项工艺的分类：1、图形转换：光刻、刻蚀2、掺杂：扩散、离子注入3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章氧化SiO2的作用：1、在MOS电路中作为 MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分2、作为集成电路的隔离介质材料3、作为电容器的绝缘介质材料4、作为多层金属互连层之间的介质材料5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料6、 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用#阻挡层 热氧化方法制备的 SiO2是无定形制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法；热氧化法制备的 SiO2具有很高的重复性和

2、化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中 等热处理温度的影响。SiO2的主要性质：密度：表征致密程度折射率：表征光学性质密度较大的SiO2具有较大的折射率 、波长为5500A左右时，SiO2的折射率约为1.46cm电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016 Q介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为10610?V/cm (10 11V/nm )S介电常数：表征电容性能C二；SQ ( SiO2的相对介电常数为 3.9)2 d腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应SiO2 4HF SiF42出0SiF4

3、2HF H2(SiF6) 六氟硅酸还可与强碱缓慢反应SiO2 6HF 出儕6)2出。薄膜应力为压应力晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧桥联氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧：只与一个 Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小无定形SiO2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数结晶态和无定形态区分一一非桥联氧是否存在杂质分类：网络形成者和网络改变者网络形成者：可以替代SiO2网络中硅的杂质，即能代替Si O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质网络改变者：存在于 SiO2网络间隙中的杂质SiO2

4、作为掩蔽层对硼、磷有效，对钠离子无效B、P、As等常用杂质的扩散系数小，SiO2对这类杂质可以起掩蔽作用Ga、某些碱金属（Na）的扩散系数大，SiO2对这类杂质就起不到掩蔽作用Si热氧化生长SiO2的计算：CsiX二Csq2Xo无定形SiO2的分子密度：CSiO =2.2 1022 /cm3硅晶体的原子密度：CSi =5.0 1022 /cm3干氧、水汽和湿氧。实际生产采用干氧-湿氧-干氧的方式1、干氧氧化 氧化剂：干燥氧气 反应温度：9001200 C干氧氧化制备的 SiO2的特点： 结构致密、干燥、均匀性和重复性好 与光刻胶粘附性好，掩蔽能力强。 生长速度非常慢干氧氧化的应用：MOS晶体管

5、的栅氧化层2、水汽氧化反应条件： 氧化剂：高纯水产生的蒸汽 反应温度：高温水汽氧化制备的 SiO2的特点： SiO2生长速率快 结构粗糙3、湿氧氧化反应条件：氧化剂：高纯水（95 C左右）+氧气 特点： 生长速率较高 SiO2结构略粗糙4、三种氧化法比较干氧氧化：结构致密但氧化速率极低湿氧氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜 水汽氧化：结构粗糙不可取热氧化的过程（D-G模型）L那心T,(. 硅7-!潼玄农财谱豪寒馆鑒轉AT - 氧化剂从气体内部以扩散形式穿过附面层运动到气体一SiO2界面，其流密度用F1表示。流密度定义为单位时间通过单位面 积的粒子数。 氧化剂以扩散方式穿过SiO2

6、层（忽略漂移的影响），到达SiO2 Si界面，其流密度用 F2表示。 氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2,其流密度用F3表示。 反应的副产物离开界面。D-G模型适用氧化层厚度：30nm 热氧化存在两种极限情况 当氧化剂在SiO2中的扩散系数 DSiO很小时Dsq2定：ksx0，则G 0, C。一； C 在这种极限情况下，SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散速度所决定，故称这种极限情况为扩散控制。当氧化剂在SiO2中的扩散系数 Dsq很大，则CCC / 1 ks/h。在这种极限情况下,SiO2生长速率由Si表面的化学反应速度控制，故称这种极限情况为反应控制 决定氧化速率常数的因素

7、：氧化剂分压、氧化温度1、氧化剂分压Pg通过C ”对B产生影响，B与Pg成正比关系 2、氧化温度温度对抛物型速率常数B的影响是通过影响DSiO产生的，B三2DSiOC / N1温度对线性速率常数 B / A的影响是通过影响 ks产生的分凝系数，图2.21分凝系数：掺有杂质的硅在热氧化过程中，在Si SiO2界面上的平衡杂质浓度之比(a) 当m ： 1，在SiO2中是慢扩散的杂质，也就是说在分凝过程中杂质通过SiO2表面损失的很少，硼就属于这类。再分布之后靠近界面处的SiO2中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近的浓度下降。(b) 当m ： 1，在SiO2中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO2表

8、面跑到气体中去，杂质损失非常厉害，使 SiO2中杂质浓度比较低，硅表面的杂质浓度几乎降到零。H2气氛中的B就属于这种情况。P磷就属于这种杂(c) 当m 1，在SiO2中是慢扩散的杂质，再分布之后硅表面的浓度升高 质。SiO2表面损失的厉害，最终使(d) 当m 1，在SiO2中是快扩散的杂质，分凝过程中杂质通过硅表面附近的杂质浓度比体内还要低。Ga镓就属于这种类型的杂质。Si-SiO2界面存在四种电荷Si- SiO2界面电荷类型：可动离子电荷界面陷阱电荷氧化层固定电荷氧化层陷阱电荷 第3章扩散 扩散机构：间隙式和替位式1、间隙式扩散：定义：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间c隙位置的运动jij-

9、i咖! 杂质：Na、K、Fe、Cu、Au等元素 间隙杂质在间隙位置上的势能相对极小，相邻两间隙位置之间，对间隙杂质来说是势能极大位Wi就越大置。势垒高度：Wi =0.61.2eV 主要与晶格结构与晶向有关，原子密度越大，间隙越小,运动条件：E Wi跳跃率：R =v0ei/kT2、替位式扩散： 定义：替位式杂质从一个替位位置到另一个替位位置的运动(a) 直接交换(b) 空位交换(主要) 杂质：III 、丫族元素 对替位杂质来说，在晶格位置上势能相对最低，而间隙处是势能最高位置。势垒高度：Ws有耿涵旷恆的枭质井帀形兀 运动条件：E Ws，平衡时单位体积的空位数为n = Ne_Wv/kT，每个格点上

10、岀现空位的几率为n / N = e现/kT，扩散方式：恒定表面源和有限表面源(定义和杂质分布形式)1、恒定表面源扩散 定义：在整个扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终不变的扩散 边界条件和初始条件： 恒定表面源扩散的杂质分布： 杂质分布形式特点：在表面浓度Cs一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。Qt = C(x,t)dx = 2 Cs Dt、0&扩到硅内的杂质数量可用高为Cs，底为2、Dt的三角形近似；表面浓度Cs由杂质在扩散温度下的固溶度所决定。而在900 1200 C内，固溶度变化不大，可见很难通过改变温度来控制Cs2、有限表面源扩散 定义：扩散之前在硅

11、片表面淀积一层杂质，在整个扩散过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新源补充 初始条件和边界条件： 杂质分布形式特点：当扩散温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，表面浓度就越低。当扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的就越深，表面浓度下降的也就越多扩散过程中杂质量不变实际生产中采用两步扩散（每一步的扩散方式及作用）两步扩散： 预扩散：在低温下采用恒定表面源扩散方式，控制扩散杂质的数量 主扩散将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。控制表面浓度和扩散深度 分布形式：影响杂质分布的因素：横向扩散 第4章离子注入 离子注入：最主要的掺杂工艺 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒

12、子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达 10nm 10m。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。离子注入已成为VLSI需要612个或更多的离子注入步骤。应用：隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断调整阈值电压用的沟道掺杂CMOS阱的形成浅结的制备离子注入的特点优点：注入的离子纯度高可以精确控制掺杂原子数目温度低：小于400 C掺杂深度可控非平衡过程，杂质含量不受固溶度限制 低温注入，避免高温扩散所引起的热缺陷 横向扩散效应比热扩散小得多制程上最主要的掺

13、杂技术。一般CMOS制程，大约离子通过硅表面的薄膜注入止污染 可以对化合物半导体进行掺杂 缺点：产生的晶格损伤不易消除 一很难进行很深或很浅的结的注入 高剂量注入时产率低 设备价格昂贵（约 200万美金）LSS理论：注入离子在靶内的分布理论LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：核碰撞（核阻止）和电子 碰撞（电子阻止）不同能区的能量损失形式低能区：以核碰撞为主中能区：核碰撞、电子碰撞持平高能区：以电子碰撞为主注入离子在无定形靶中的分布计算R_。相同质量且相同初时能量的离子在靶中有一定的空间分布，投影射程的统计涨落称为投影偏差Rp，沿着入射轴垂直方向上的统计涨落，称为横向

14、偏差纵向分布：一级近似下用高斯函数表示：横向分布：高斯分布；横向渗透远小于热扩散 沟道效应及避免的方法 定义：当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动。沟道离子唯一的能量损失机制是电子阻止，因此注入离子的能量损失率就很低，故注入深度较大。 避免方法：a. 倾斜样品表面，晶体的主轴方向偏离注入方向，典型值为7。b. 先重轰击晶格表面，形成无定型层在无定形靶运动的离子由于碰撞方向不断改变，因而也会有部分离子进入沟道，但在沟道 运动过程中又有可能脱离沟道，故对注入离子峰值附近的分布并不会产生实质性的影响c. 表面长二氧化硅薄层注入离子造成的损伤 级联碰撞 简单晶格损伤孤立的点缺

15、陷或缺陷群（注入离子每次传递给硅原子的能量约等于移位阈能）局部的非晶区域（单位体积的移位原子数目接近半导体的原子密度） 非晶层注入离子引起损伤的积累 热退火 定义：又叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称 为退火 作用产生自由载流子， 起到激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性， 杂质的作用 消除损伤 退火方式： 炉退火（如卤光灯、电弧灯、石快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源墨加热器、红外设备等） 快速热退火a. 传统热退火的缺点不能完全消除缺陷，产生二次缺陷 高剂量注入时的电激活率不够高高温长时间热退火会

16、导致明显的杂质再分布b. 快速退火技术1000 C 以上。在氮气或惰性气体的气氛下，极短的时间内，把晶片温度提高到C.快速热退火作用：消除由注入所产生的晶格损伤 恢复材料少子寿命和载流子迁移率杂质激活 第5章物理气相淀积 两种基本方法即原子或分 物理气相淀积定义：利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移, 子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。 基本方法： 蒸发（皿-V族化合物半导体） 溅射蒸发和溅射各自的优缺点真空蒸发法溅射蒸发优占八、设备简单 操作容易 纯度较高 成膜快机理简单适用于任何物质 不受蒸气压和膜成分限制 靶材料与膜成分符合 附着好 台阶覆盖较好较高的淀积速率 薄膜纯

17、度高 厚度控制精确 生长机理简单缺占八、附着力小工艺重复性差 台阶覆盖性差 不适用多组分材料设备、操作较复杂台阶覆盖能力差 工艺重复性不好 淀积多元化合金薄膜时组 分难以控制溅射作为主流溅射方法： 直流溅射：淀积金属薄膜 射频溅射：适用于淀积各种金属和非金属薄膜 磁控溅射：磁控溅射为淀积速率比一般方法高一个数量级；工作气压低，薄膜质量好。 反应溅射：在淀积同时形成化合物 偏压溅射：改善溅射薄膜的组织结构 接触孔中薄膜的溅射淀积：（深宽比大于1）溅射原子离开靶面时遵守余弦分布，故溅射原子在衬底表面和接触孔上表面 的拐角处，沉积速率最高，侧壁适中，底角最低。可采用带准直器的溅射淀积方法（降低淀积速

18、率，换准直器增加了成本） 长投准直溅射技术 第6章化学气相淀积Grove模型：两个重要环节Grove模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是：其一是反应剂在边界层中的输运过程；其 二是反应剂在衬底表面上的化学反应过程。淀积速率与反应剂浓度或气相中反应剂的摩尔百分比成正比薄膜淀积速率（其中 Ni表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量）：结论：（1）淀积速率与Cg （反应剂的浓度）或者 丫（反应剂的摩尔百分比）成正比；（2 ）在Cg或者Y为常数时，薄膜淀积速率将由ks和hg中较小的一个决定。质量输送控制和表面化学反应控制决定ks的主要因素：温度ks=k0ex3 - EA/kT决定hg的主要因素：

19、气体流速，气体成分，系统压力hg = Dg/：s所以为了保证统一的淀积速率，就必须： 对于表面反应控制，保持处处恒定的温度 对于质量输运控制，保持处处恒定的反应剂浓度 热壁和冷壁（冷壁的优点）热壁系统：Tw =Ts冷壁系统：Tw : TsTw :反应室的侧壁温度Ts:放置硅片的基座温度冷壁系统优点：能够降低在侧壁上的淀积，降低了壁上颗粒因剥离对淀积薄膜质量的影响，也减小了反应剂的损耗。CVD系统的分类：三种 CVD系统优缺点对比优点缺点常压化学气相淀积(APCVD)操作简单 淀积速率高 适合介质薄膜的淀积易发生气相反应产生污染台阶覆盖性和均匀性比较差低压化学气相淀积(LPCVD)污染少均匀性和

20、台阶覆盖性较APCVD 好对反应室结构要求低 装片量大相对低的淀积速率相对高的工作温度等离子增强化学气相淀积(PECVD)反应温度低附着性好良好的阶梯覆盖良好的电学特性可以与精细图形转移工艺兼容薄膜应力低主流工艺具备LPCVD的优点 APCVD :质量输运控制淀积速率，对反应室结构和气流模式提岀高的要求 LPCVD :表面反应速率控制淀积速率 PECVD :表面反应控制淀积速率 气缺现象及减轻方法(LPCVD ) 气缺现象：当气体反应剂被消耗而岀现的反应剂浓度改变的现象对于只有一个入气口的反应室，情况比较严重。 措施：在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率采用分布式的气体入口

21、增加反应室中的气流速度多晶硅采用硅烷热分解实现 多晶硅的优点：多晶硅与随后的高温热处理工艺有很好的兼容性与Al栅相比，多晶硅与热生长二氧化硅的接触性能更好在陡峭的台阶上淀积多晶硅时能够获得很好的保形性 应用：栅电极互联引线 电学特性a. 多晶硅的电阻率高于单晶硅的电阻率掺杂原子在热处理过程中易到晶界处，不能有效的贡献自由载流子 晶界处的悬挂键俘获自由载流子，由此降低载流子的浓度b. 晶粒尺寸大的多晶硅的电阻率低 一般是用LPCVD，在580 C650 C下热分解硅烷实现：SiH 4； Si 2H2多晶硅的掺杂技术 扩散掺杂：在淀积完成之后在较高的温度下进行掺杂优点：能够在多晶硅薄膜中掺入浓度很

22、高的杂质。同时完成掺杂和退火工艺缺点：温度较高、薄膜表面粗糙程度增加 离子注入：淀积后的离子注入和退火优点：可精确控制掺入杂质的数量，适合于不需要太高掺杂的多晶硅薄膜 特点：形成的高掺杂多晶硅电阻率约为扩散形成的电阻率的10倍 原位掺杂：边淀积边掺杂简单，但薄膜厚度、掺杂均匀性及淀积速率会随着掺杂气体的加入变得复杂CVD和热氧化SiO2的对比CVD SiO2的方法低温CVD SiO2 :低于500 C中温 LPCVD SiO2 : 500 800 CTEOS与臭氧混合源的 SiO2淀积：低于500 C左右 氮化硅的应用应用： 钝化层和机械保护层钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢，即拥有很强的掩

23、蔽能力 硅选择性氧化的掩蔽膜氮化硅氧化速度非常慢（LOCOS工艺基于此）二氧化硅缓冲层 电容中的绝缘材料 作为 MOSFETs的侧墙用于LDD结构的侧墙浅沟隔离的CMP的停止层钨的应用 钨栓塞（plug ） :CVD钨比PVD铝有更好的通孔填充能力 局部互连材料短程互联（电导率较低）全局互联（Al、Cu） 钨广泛用于互连的原因优点：体电阻率小（712uQ.cm）热稳定性好（熔点最高） 应力低，保形性好； 抗电迁移能力和抗腐蚀性强钨的淀积方法缺点：电阻率相对铝高在氧化物和氮化物上附着力差钨与硅在600C以上接触时，会形成钨的 硅化物覆盖式（过程复杂，费用高，但比较成熟）选择式（存在问题，如选择性

24、差、横向扩展、空洞形成）第七章：光刻与刻蚀工艺ULSI中对光刻的基本要求高分辨率在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。 高灵敏度的光刻胶光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。为了提高产品的产量，曝光时间越短越好。确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度 低缺陷缺陷关系成品率 精密的套刻对准集成电路芯片的制作需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。ulsi的图形线宽在1 Jm以下，通常采用自对准技术。 大尺寸硅片上的加工ulsi的芯片尺寸为12cm2提高经济效益和硅片利用率光刻工艺流程 涂胶：在硅片表面形成厚度

25、均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜。 前烘：去除胶内的溶剂，提高胶的粘附力提高胶的抗机械摩擦的能力减小高速旋转形成的薄膜应力 曝光：确定图案的精确形状和尺寸完成顺序两次光刻图案的准确套制 显影： 坚膜：去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 刻蚀 去胶：经过刻蚀或离子注入后，将光刻胶从表面除去 检验SiO2表面是亲水性的，光刻胶是疏水性的分辨率：每mm内能刻蚀岀可分辨的最多线条数，是对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺 寸的一种描述光刻胶分为正胶和负胶主要有两种光刻胶：正胶：曝光后显影时曝光部分被溶解，而没有曝光的部分留下来

26、一一邻叠氮醌类负胶：曝光后显影时没有曝光部分被溶解，而曝光的部分留下来一一聚乙烯醇肉桂酸酯和聚乙烯氧乙基肉桂酸酯实际工艺中正胶用的比较多，原因如下：a. 分辨率高b. 抗干法腐蚀的能力较强c. 抗热处理的能力强d. 可用水溶液显影，溶涨现象小e. 可涂得较厚（2-3um）不影响分辨率，有较好台阶覆盖性f. 适合1:1及缩小的投影光刻负胶也有一些优点，如：粘附性好，抗湿法腐蚀能力强等 对比度、光敏度和抗刻蚀能力 对比度：对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。光刻胶的对比度越高，光刻胶层的侧面越陡，线宽描述掩模尺寸的准确度就越高。且陡峭 的光刻胶在干法刻蚀中可以减小刻蚀过程中的钻蚀效应，从

27、而提高分辨率。 光敏度：指光刻胶完成所需图形曝光的最小曝光剂量曝光剂量（mj/cm 2）=光强（单位面积的功率）x曝光时间光敏度由曝光效率决定曝光效率：参与光刻胶曝光的光子能量与进入光刻胶中的光子能量的比值正胶比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大，光敏度大可减小曝光时间 抗刻蚀能力图形转移时，光刻胶抵抗刻蚀的能力。光刻胶对湿法腐蚀有比较好的抗腐蚀能力，对大部分的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力 则比较差投影曝光的两个突岀优点，w3um优点：样品与掩膜版不接触，避免缺陷产生掩膜板不易损坏，可仔细修整缺点：结构复杂，工艺要求高，产率低 过刻蚀和选择比计算湿法和干法刻蚀的优缺点优点缺点湿法刻蚀（液态

28、溶液，化学反应）工艺简单 选择性好 操作方便各向同性 精细线条难以刻蚀 大量的颗粒污染化学废液干法刻蚀（等离子体，化学反应+物理溅射）较高的各向异性能形成更小的特征尺寸 等离子体可以容易的开始和结束 温度不敏感工艺重复性好更少的颗粒玷污很少的化学废液选择性比较差 设备复杂三种干法刻蚀的对比 等离子刻蚀：化学反应，高速率，高选择比，低缺陷，但各向同性 溅射刻蚀（粒子铣）：物理溅射，各向异性，低选择比，高缺陷 反应粒子刻蚀：化学和物理双重作用，各性能介于二者之间共同点：都是利用低压状态下气体放电来形成等离子体作为刻蚀基础不同点：刻蚀系统压力：等反溅；温度：等反溅；功率：反之；气流等相关可控参数。优

29、点缺点干法刻蚀分辨率高各向异性腐蚀能力强成本高选择比一般较低均匀性重复性好 便于连续自动操作湿法刻蚀成本低廉选择比高各向同性腐蚀速率难以控制第7章金属化与多层相连互连线延迟与 RC铝的优点，尖楔现象和电迁移及改进方法 铝作为互连金属材料的优点：应用最广泛的互联材料电阻率低，2.7u Q ?cm与n+和p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻低，106 Q /cm2与硅和磷硅玻璃的附着性很好易于淀积和刻蚀铝作为互连金属材料的缺点：Al/Si接触的尖楔现象在较大的电流密度下的电迁移现象 Al/Si接触中的尖楔现象：硅向铝中扩散，同时铝也向硅中扩散，形成尖楔，可能会造成pn结失效Al/Si接触的改进方法：a. 铝-硅合金金属化引线b. 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构c. 铝-阻挡层结构d. 其它方法减小铝体积采用Al/阻挡层/Al-Si-Cu 1降低Si在Al中的扩散系数 电迁移现象：在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就是电迁移（EM）。改进电迁移的方法：a. 结构的选择竹状结构，晶粒间界垂直电流方向b. 铝-铜合金和铝-硅-铜合金Al- Si （ 1%2%） -Cu （4%）杂