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1、模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*

2、体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。7. PN 结* PN 结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。* PN 结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性j匸向特性卞反向特性% mfTV二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN结。*正向导通压降 硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3. 分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），

3、二极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q“5jBnYCa二极管电路5图解分析2）等效电路法?直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在 电路中要反向连接。PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在1111J1（b）恒雁漲議璽（折銭模型?微变等效电路法第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和PNP两种。2. 特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓

4、度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态貝发射极爼念极纽态2. 三极管内各极电流的分配A:n+ cbo /e = /b+/cn = b + k 加=4bo*共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件ft 二 3f /BN /r=/n + （l+=/b+/ceo =卩g式子A iubo称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。GO测试也路wu/VA2!Ch)*输出特性曲线（饱和管压降，用UCes表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向

5、左移动。温度升高O、三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻， 常用r be表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输 常用B表示；獣申（町轴出符性曲蚪3的化的H務数導效起HI比,四基本放大电路组成及其原则1. VT、 V、 R、 R、Cl、C2的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输B+ltc+ 15:4j r心1 *0-1五放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点* 直流负载线-由VCc=I cRC+UCe确定的直线*电路参数对静态工作点的影响221Ct）改交瓯1232.*）改变Rb

6、: Q点将沿直流负载线上下移动。）改变RC : Q点在I bq所在的那条输出特性曲线上移动。）改变VCc：直流负载线平移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析 概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和V cc点V cc = UCeq+I cR l的 直线。3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP1削底。*消除方法-减小Rb，提高Q（2）饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小RC、增大Vcc。4.

7、放大器的动态范围（1）LOpp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围* 当（LCeq- LCe）（ Vcc Uceq ）时，受截止失真限制，LOp=2LOma=2I cQR.一他- 尽加-齐-H3C;%+峙% +&rbe当(UCeq UCes)v( Vcc Uceq )时，受饱和失真限制，LOp=2U)ma=2(UCeqUCes)。* 当(UCeq UCes)= ( Vcc六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算Uceq)，放大器将有最大的不失真输出电压。f CEIJ = 1 CC 3%(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足 Rb B Rc。2.

8、放大电路的动态分析输入电阻输出电阻甩定丁怖点放人一器射路法打% = ss RcT七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电1 静态分析/?fh尽fit输入电阻绚=/?bl/l?b2/lrhe +(1 + /)/41在Re两端并一电解电容Ce后尽=/?blb2b*输出电阻H贈数等滾电路f rCEQ 倒 CC * CQ(c + 用牯)2 动态分析*电压放大倍数4 - o - 风J fj g+(i+叭在Re两端并一电解电容Ce后八.共集电极基本放大电路1 静态分析2 动态分析*电压放大倍数加儿址屯极莊本放大观路；1* 止 01Q11&徹变竽效电踰汗电沟讲性转移特曲线号空何/ 超和-3V简称射随器。/c

9、y 二% = -r-1- = KJ! 7t e 1+/73.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1,称为射极跟随器, *输入电阻高，输出电阻低。第二草场效应管及其基本放大电路一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符旦Vg (1 + /?)*输入电阻用二地Im+（1 + ）（心加丿输出电阻2.输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）wH-flV jr-ivwig YV上雀_i_! _i 咗U3的珂叶I綸出特忡占 I7FI T踣枸及电路符号二.绝缘栅型场效应管（MOSFET 分为增强型（EMO）和耗尽型（DMO）两种。 结构示意图和电路符号屛气JFFT缩构尺臥路符号UP -截止

10、电压= ,GS J2(P5- Jlti-n输出特件（b）转穆特性MX Mt u*j=ikiaOVn/mA ha0 苗止蝕 tf|ls=lrns(寸2.特性曲线*N-EMOS勺输出特性曲线N-EMOS的转移特性曲线(.1 T式中，Ido是UG=21T时所对应的iD值* N-DMOS的输出特性曲线iD=0处的值是夹断电压此曲注意：Ugs可正、可零、可负。转移特性曲线上 线表示式与结型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1. 漏极饱和电流IDSS2. 夹断电压UP3. 开启电压UT4. 直流输入电阻FGs5. 低频跨导gm （表明场效应管是电压控制器件四. 场效应管的小信号等效模型场效应管微变悸效

11、电路五共源极基本放大电路1. 自偏压式偏置放大电路 *静态分析=小ICa）原理电路“DEQ 1 DD *DQ（d + 召）动态分析若带有Cs，则去=血町+ + _ 十 T护卜卜（ft）原理电略Ce）微变簣效电路2. 分压式偏置放大电路*静态分析厂DD-dixA/uy =/Dss（l-2）：Hlt/D9=/Do（2-l2（f*v t1 DSQ = rDD ZDQ % + 3*动态分析i -_ _uiLq 1+加纯若源极带有Cs，则肚施肚用=险叫#险2Cc）微变等效电路六.共漏极基本放大电路静态分析(ft)电埒殂成tt门做殳等效电昭功咸电埒的丁杵狀态第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状

12、态1. 甲类工作状态导通角为360, Icq大，管耗大，效率低。2. 乙类工作状态I cq0,导通角为180,效率咼，失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180360,效率较高，失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态?任意状态：Ubmi Um?尽限状态：Ubm=/cc- UCes? 理想状态：Ubm VCc2.3.1 和工P I 11=_! T Jrnic am _ 丹 口2输出功率直流电源提供的平均功率4J11I714. 管耗5. 效率Rln=0.2Pom-吒-1匕叭 诞缶旷可i兀石亦厂忑7理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出在两管交替时出现波形失

13、真交越失真（本质上是截止失真）。2. 解决办法?甲乙类双电源互补对称功率放大器 OCL-利用二极管、三极管和电阻上 的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。?甲乙类单电源互补对称功率放大器 OTL-电容C2上静态电压为 V2， 并且取代了 OCL功放中的负电源-VCc。动态指标按乙类状态估算，只是用 Vc/2代替。四. 复合管的组成及特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. 3 = 3 i 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1. 输入级-采用差放电路，以减小零漂。2. 中间级-多采用共射（或共源）放大电路，以提高放大

14、倍数。3. 输出级 多米用互补对称电路以提咼带负载能力。4. 偏置电路-多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点E1、C1、1. 抑制零点漂移的过程-f UbE1、UbE2i B1、i B2当 Ti C1、i C2i E1、i E2UE Ti C2 JoR e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1）计算差放电路I C设 UB0,贝U UE=- 0.7V,得t:e半边筈模交流通路2）计算差放电路UCe ?双端输出时? f CEI =E =r CC -九检十 U寸?单端输出时（设VT1集电极接R）对于VT1:f UCFA=u

15、ci_L=LCA+i)7Ml对于VT2E = r CC3. 动态分析1）差模电压放大倍数?双端输出风+血+（1+加恥）单端输出时从VT1单端输出：j = 4皿 刖码严1 + /?）（竹从VT2单端输出：卩咛R*2【血+血 卄1 +似/?/）2）差模输入电阻斫呱碍渠嵐迄赦的申徉传输特杵3）差模输出电阻?双端输出：际沪2肌?单端输出：甌尸&三. 集成运放的电压传输特性当UI在+Um与-Um之间，运放工作在线性区o=odtfi/1od（w+-討-）四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数 Aodx；*差模输入电阻Rid s；*输出电阻F0-0;*共模抑制比KC

16、MFx；2. 理想集成运放的分析方法1） 运放工作在线性区：*电路特征一一引入负反馈 *电路特点一一“虚短”和“虚断”：M+“虚短”-7+=r=0“虚断”-2）运放工作在非线性区*电路特征一一开环或引入正反馈*电路特点输出电压的两种饱和状态：当 U+U-时，Uo=+U0m当 U+VU-时，u。二 UOm两输入端的输入电流为零i+=i - =0第七章 放大电路中的反馈反筑妝大番组成方机图.反馈概念的建立-Tf = _s =_rAj 14- AF*开环放大倍数A*闭环放大倍数A f*反馈深度1+AF*环路增益AF :1当AF0时，Af下降，这种反馈称为负反馈。2当AF = 0时，表明反馈效果为零。

17、3当AFV0时，Af升高，这种反馈称为正反馈。4. 当AF= 1时，A fix。放大器处于 “自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作 用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电串联反馈：流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈

18、到输入端）反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5. 反馈极性瞬时极性法：（1） 假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用 +表示），并设信号的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升咼用+表示，降低用一表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据X与X f的极性，确疋净输入信号的大小。Xd减小为负反 馈；Xd增大为正反馈。三反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四负反馈对放大电路性能的影响1. 提高放大倍数的稳定性dL* 1 dL42. IF 3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻* 串联负反馈使输入电阻增加1+A F倍* 并联负反馈使输入电阻减小1+A F倍* 电压负反馈使输出电阻减小1+A F倍* 电流负反馈使输出电阻增加1+A F倍