(整理)什么是晶体管及其种类与参数

1、 c B B E C 图5 或“ VT（旧文 什么是晶体管及其种类与参数？ 字符号为“ Q”、“ GB等）表示。图5-1是晶体管的电路图形符号。 、晶体管的种类 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用 a）符号b）旧8B形符号 晶体管是内部含有两个 PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号 有放大和开关等作用，应用十分广泛。 晶体管的电路图形符号 慧聪电子元器件商务网2003-07-11 16:51:05 晶体管有多种分类方法。图5-2是晶体管的分类 M 电 fiKV T1 丨11 L isrran i歸幣 p厂 1 (E J I （一）按半导体材料和极性分类 按

2、晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体 管的极性可分为锗NPh型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNF型晶 体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶 体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑 封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷 封装晶

3、体管等。其封装外形多种多样。 图5-3是部分晶体管的外形。 nn nm （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放 大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶 体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、 耗散功率、频率特性、集电极最大电流、 最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流 电流放大系数。 1直流电流放大系数 直流电流

4、放大系数也称静态电流放大系数或直流放 大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的 比值，一般用hFE或B表示。 2交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放 大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量 Ic与基极电流变化量 I B的比值，一般用hfe或B表示。 hFE或B既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些 差异。 二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率 Pcm是指晶体管参数变化不超过规定 允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在 使用时，其实际功

5、耗不允许超过 PcM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率Pcm/小于1W的晶体管称为小功率晶体管，Pcm等于或大于1W 小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将 Pcm等于或大于5W的勺晶体管称为大功 率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围， 则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率 f T和最咼振荡频率f M等。 1特征频率f T晶体管的工作频率超过截止频率f B或f a时，其电流放大系 数B值将随着频率的升高而下降。特征频率是指 B值降为1时晶体管的工作频 率。 通常将特征频率fT小于或等

6、于3MH的晶体管称为低频管，将fT大于或等于 30MH的晶体管称为高频管，将fT大于3MH、小于30MH的晶体管称为中频管。 2最高振荡频率 fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为 1时所对应 的频率。 通常，咼频晶体管的最咼振荡频率低于共基极截止频率 f a,而特征频率fT 则高于共基极截止频率f “、低于共集电极截止频率f B。 （四）集电极最大电流 I CM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电 极电流IC超过ICM时，晶体管的B值等参数将发生明显变化，影响其正常工作， 甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工

7、作电压。它包括集电 极发射极反向击穿电压、 集电极基极反向击穿电压和发射极基极反向击穿 电压。 1集电极发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集 电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或 BVCEO表示。 2集电极基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集 电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或 BVCBO表示。 3发射极基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其 发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEbo或 BVEBO表示。 六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极一基极之间的反向电流I CBO和集电极一发射 极之间的反向击穿电流 ICEO。 1集电极一基极之间的反向电流ICBO I CBO也称集电结反向漏电电流，是指当 晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该 值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2集