单相桥式整流电路设计说明

1、电力电子技术课程设计任务书、设计课题一单相桥式整流电路设计、设计要求1、单相桥式相控整流的设计要求为：负载为感性负载丄=600H,R=500欧姆.2、技术要求 :(1) . 电网供电电压为单相 220V；(2) . 电网电压波动为 +5% -10%；(3) . 输出电压为0200V在整个设计中要注意培养灵活运用所学的电力电子技术知识和创造性的思 维方式以及创造能力 要求具体电路方案的选择必须有论证说明， 要说明其有哪 些特点。主电路具体电路元器件的选择应有计算和说明。课程设计从确定方案 到整个系统的设计，必须在检索、阅读 及分析研究大量的相关文献的基础上， 经过剖析、提炼，设计出所要求的电路(

2、或装置) 。 课程设计中要不断提出问 题，并给出这些问题的解决方法和自己的研究体会。在整个设计中要注意培养独立分析和独立解决问题的能力、八前言随着科学技术的日益发展 ,人们对电路的要求也越来越高 ,由于在生产实际 中需要大小可调的直流电源 , 而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定 , 利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能 ,是目前获得直流电能的主 要方法,得到了广泛应用。但是晶杂管相控整流电路中随着触发角a的增大，电 流中谐波分量相应增大，因此功率因素很低。把逆变电路中的SPW控制技术用于整流电路，就构成了 PW整流电路。通过对PW整流电路的适当控制，可以使 其输入电流非常接近

3、正弦波，且和输入电压同相位，功率因素近似为1。这种整流电路称为高功率因素整流器，它具有广泛的应用前景第 1 章方案的选择单相桥式整流电路可分为单相桥式相控整流电路和单相桥式半控整流电路， 它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。 下面分析两种单相桥式整流电路 在带电感性负载的工作情况。单相半控整流电路的优点是：线路简单、调整方便。弱点是：输出电压脉动 冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分 量, 使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相全控式整流电路具有输出电流脉 动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波， 没有直流磁化问题， 变压器利用率高的优点。

4、单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路 2 倍，在相同的负载下 流过晶闸管的平均电流减小一半；且功率因数提高了一半。单相半波相控整流电路因其性能较差， 实际中很少采用， 在中小功率场合采 用更多的是单相全控桥式整流电路。根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电路 （负载为阻感 性负载）。1.1 元器件的选择1.1.1 晶闸管的介绍1） 晶闸管的结构晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。晶闸管有螺栓型和平板型两种封装引出阳极A、阴极K和门极（或称栅极）G三个联接端。对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型封装的晶闸管可由两个

5、散热器将其夹在中间部结构 :四层三个结如图 1.12. 晶闸管的工作原理图晶闸管由四层半导体（Pi、Ni、P2、N2）组成，形成三个结 Ji （PiNi）、J2 （NiP2）、J3（ P2N2），并分别从Pi、P2、N2引入A、G、K三个电极，如图i.2（左） 所示。由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成如图 i.2（右）所示的两个晶闸管 Ti（ Pi-Ni-P2）和（Ni-P2-N2）组成的等效电路。i.i.2 可关断晶闸管 可关断晶闸管简称 GTO。可关断晶闸管的结构GTO的部结构与普通晶闸管相同，都是PNPN四层结构，外部引出阳极A、 阴极K和门极G如图i.3。和普通晶

6、闸管不同，GTO是一种多元胞的功率集成 器件，部包含十个甚至数百个共阳极的小 GTO元胞，这些GTO元胞的阴极和门 极在器件部并联在一起，使器件的功率可以到达相当大的数值。1） 可关断晶闸管的工作原理GTO的导通机理与SCR是完全一样的。 GTO 一旦导通之后，门极信号是 可以撤除的， 在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和， 而不像普通 晶闸管那样处于深饱和状态， 这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其 关断。 GTO 在关断机理上与 SCR 是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流 （即抽出饱和导通时储存的大量载流子） ，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。1.1.3 晶闸管的派生

7、器件在晶闸管的家族中， 除了最常用的普通型晶闸管之外， 根据不同的的实际需 要，珩生出了一系列的派生器件，主要有快速晶闸管（FST）、双向晶闸管（TRIAL ）、可关断晶闸管（GTO）、逆导晶闸管、（RCT）和光控晶闸管。 可关断晶闸管具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又 是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。故 我们选择可关断晶闸管。1.2 整流电路我们知道，单相整流器的电路形式是各种各样的， 整流的结构也是比较多的。 因此在做设计之前我们主要考虑了以下几种方案：方案 1：单相桥式半控整流电路对每个导电回路进行控制， 相对于全控桥而言少了一个控

8、制器件， 用二极管代替， 有利于降低损耗！如果不加续流二极管，当a突然增大至180或出发脉冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放， 只是消耗在负载电阻上， 会发生一 个晶闸管导通而两个二极管轮流导通的情况，这使 ud 成为正弦半波，即半周期 ud为正弦，另外半周期为ud为零，其平均值保持稳定，相当于单相半波不可控 整流电路时的波形，即为失控。所以必须加续流二极管，以免发生失控现象。方案 2：单相桥式全控整流电路电路简图如下： 图 1.5此电路对每个导电回路进行控制， 无须用续流二极管，也不会失控现象，负 载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负两个 半周电流方向

9、相反且波形对称，平均值为零， 即直流分量为零， 不存在变压器直 流磁化问题，变压器的利用率也高。综上所述，针对他们的优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控 整流电 路。第 2 章 辅助电路的设计2.1 驱动电路的设计2.1.1 触发电路的论证与选择1) 单结晶体管的工作原理单结晶体管原理单结晶体管(简称UJT )又称基极二极管，它是一种只有PN 结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻 N 型硅片，两 端分别用欧姆接触引出两个基极 bi和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作 一个P区作为发射极e。其结构，符号和等效电如图2.1所示。2) 单结晶体管的特性从图一可以看出，两基极

10、bi和b2之间的电阻称为基极电阻。Rbb=rb1+rb2式中：Rbi 第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流 ie而变 化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与 ie无关；发射结是PN结，与 二极管等效。若在两面三刀基极b2，bi间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=rbi/ (rbi+rb2)vbb= (rbi/rbb) vbb= n Vb式中：n为分压比，其值一般在0.3 0.85之间，如果发射极电压 Ve 由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图 2.2：(i) 当Ven Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏 电流 Iceo。(2) 当Ve

11、n Vbb+VD VD为二极管正向压降(约为 0.7V)，PN结正向导 通，Ie显著增加，rbi阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下 降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界 P称为峰点，与其对 应的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流， 它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然 Vp=n Vbb。(3) 随着发射极电流Ie的不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不再下降了，这点 V 称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压Vv 和谷点电流 Iv。(4) 过了 V 后，发射极与第一基极间半导体的载流子达到了饱和状态，所

12、以Uc继续增加时，ie便缓慢的上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射 极电压，如果VeVv，管子重新截止。单结晶体管的主要参数 基极间电阻Rbb发射极开路时，基极bl，b2之间的电阻，一般为2-10千 欧，其数值随温度的上升而增大。 分压比n由管子部结构决定的参数，一般为 0.3-0.85。 ebi间反向电压Vcbi b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极bl与发射极 e之间的反向耐压。 反向电流Ieo bi开路，在额定反向电压 Vcb2下，eb2间的反向电流。 发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，ebi间的压降。 峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发

13、射极 电流。2.i.2 触发电路晶闸管触发主要有移相触发、 过零触发和脉冲列调制触发等。 触发电路对其 产生的触发脉冲要求： 触发信号可为直流、交流或脉冲电压。 触发信号应有足够的功率(触发电压和触发电流)。 触发脉冲应有一定的宽度， 脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳 极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。 触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相围必须满足电路要求。i) 单结晶体管触发电路电路图如图2.3 (a)所示。2) 单结晶体管自激震荡电路从图2.3 (a)可知，经D1-D2整流后的直流电源UZ 一路径R2、Ri加在单 结晶体管两个基极bi、b2之间，另一路通过Re对

14、电容C充电，发射极电压ue=uc 按指数规律上升。Uc刚冲点到大于峰点转折电压 Up的瞬间，管子e-bi间的电阻 突然变小，开始导通。电容 C开始通过管子e-bi迅速向Ri放电，由于放电回路 电阻很小，故放电时间很短。随着电容 C放电，电压Ue小于一定值，管子BT 又由导通转入截止，然后电源又重新对电容 C 充电，上述过程不断重复。在电 容上形成锯齿波震荡电压，在Ri上得到一系列前沿很陡的触发尖脉冲 us,如图2.3 (b)所示其震荡频率为f=1/T=1/ReCLn(1/1- n )式中n =0.30.9是单结晶体管的分压比。即调节 Re,可调节振荡频率iln()12.1.3同步电源T R e

15、C步电压又变压器TB获得，而同步变压器与主电路接至同一电源，故同步电 压于主电压同相位、同频率。同步电压经桥式整流、稳压管Dz削波为梯形波udz, 而削波后的最大值Uz既是同步信号，又是触发电路电源.当Udz过零时，电容C经 e-bi、Ri迅速放电到零电压.这就是说，每半周开始，电容C都从零开始充电，进而保 证每周期触发电路送出第一个脉冲距离过零的时刻(即控制角a )一致，实现同步.2.1.4移相控制当Re增大时，单结晶体管发射极充电到峰点电压Up的时间增大，第一个脉冲出现的时刻推迟，即控制角a增大，实现了移相。2.1.5脉冲输出触发脉冲ug由R 1直接取出，这种方法简单、经济，但触发电路与主

16、电路有 直接的电联系，不安全。对于晶闸管串联接法的全控桥电路无法工作。所以一般采用脉冲变压器输出。2.2保护电路的设计2.2.1 保护电路的论证与选择电力电子系统在发生故障时可能会发生过流、过压，造成开关器件的永久性损坏。过流、过压保护包括器件保护和系统保护两个方面。检测开关器件的电流、电压，保护主电路中的开关器件，防止过流、过压损坏开关器件。当输出电压或 输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时工作于有源逆变工 作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。2.2.2过电流保护当电力电子变流装置部某些器件被击穿或短路；驱动、触发电路或控制电路发生故障；外部出现负载过载；直流侧短路；可逆

17、传动系统产生逆变失败；以及 交流电源电压过高或过低；均能引起装置或其他元件的电流超过正常工作电流， 即出现过电流。因此，必须对电力电子装置进行适当的过电流保护。采用快速熔断器作过电流保护，其接线图(见图2.4)。A型熔断器特点：是熔断器与每一个元件串连，能可靠的保护每一个元件。B型熔断器特点：能在交流、直流和元件短路时起保护作用，其可靠性稍有降低C 型熔断器 特点：直流负载侧有故障时动作，元件部短路时不能起保护作用 对于第二类过流，即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，则应当 采用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如 2.9 所示2.3 过压保护设备在运行过程中， 会受到由交流供电电网

18、进入的操作过电压和雷击过电压 的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法是并接 R-C 阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒 堆等非线性元件加以抑制。见图 2.5和图 2.6过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。常见的电子保护原图 如图 2.7 所示：2.4 电流上升率、电压上升率的抑制保护1) 电流上升率 di/dt 的抑制。如下图 2.8 所示:2) 电压上升率 dv/dt 的抑制如图 2.9 所示：第 3 章 主体电路的设计3.1 主要电路原理及说明当负载由电阻和电感组成时称为阻感性负载。单相桥式整流电路带阻感性 负载的电路如图 5.1 所示。

19、由于电感储能 ,而且储能不能突变因此电感中的电流不 能突变 ,即电感具有阻碍电流变化的作用。当流过电感中的电流变化时,在电感两端将产生感应电动势 ,引起电压降 UL负载中电感量的大小不同，整流电路的工作情况及输出Ud、 id 的波形具有不同的特点。当负载电感量L较小(即负载阻抗角)，控制角a时，负载 上的电流不连续； 当电感 L 增大时， 负载上的电流不连续的可能性就会减小； 当 电感L很大，且Ld Rd示时，这种负载称为大电感负载。此时大电感阻止 负载中电流的变化，负载电流连续， 可看作一条水平直线。 各电量的波形图如图3.1 所示。在电源电压U2正半周期间， 晶闸管Ti、T2承受正向电压，

20、若在3 t=a时触发，Ti、T2导通，电流经Tl、负载、T2和Tr二次形成回路，但由于大电感 的存在，U2过零变负时，电感上的感应电动势使 Ti 、T2继续导通，直到T3、 T4被触发时，Ti、T2承受反向电压而截止。输出电压的波形出现了负值部分。在电源电压U2负半周期间，晶闸管T3、T4承受正向电压，在3 t= a + n时 触发，T3、T4导通，Ti、T2反向则制，负载电流从Ti 、T2中换流至T3、 T4中。在3 t=2n时，电压U2过零，T3、T4因电感中的感应电动势一直导通，直 到下个周期Ti、T2导通时，T3、T4因加反向电压才截止。值得注意的是，只有当口 = n /2时，负载电流

21、才连续，当an /2时，负 载电流不连续，而且输出电压的平均值均接近于零， 因此这种电路控制角的移相 围是0 n /2。3.2电感负载可控整流电路3.2.i单相全控桥式整流电路在生产实践中，除了电阻性负载外， 最常见的负载还有电感性负载， 如电 动机的励磁绕组，整流电路中串入的滤波电抗器等。 为了便于分析和计算，在 电路图中将电阻和电感分开表示。当整流电路带电感性负载时，整流工作的物理过程和电压、电流波形都与带电阻性负载时不同。因为电感对电流的变化有阻碍作用， 即电感元件中的电流图3.i负载电流连续时，整流电压平均值可按下式计算：i厂2冷2Ud2U2Sin td( t)U2COS 0.9U2C

22、OS两组晶闸管轮流且与a无关，变压器二次绕组中电流i 2的波 负载电流的平均值Id和有效值I相等，其波形系数为i。输出电流波形因电感很大，平波效果很好而呈一条水平线。 导电，一个周期中各导电i80， 形是对称的正、负方波。在这种情况下：1 dV亠I2 Id厂1dIv2ldTd当 a =0 时，U=O.9U2;当a =90时，Ud=0,其移相围为90 晶闸管承受的最大正、反向电压都是。 流过每个晶闸管的电流平均值和有效值分别3.3 主电路的设计3.3.2 原理图分析该电路主要由四部分构成， 分别为电源，过电保护电路，整流电路和触发电 路构成。输入的信号经变压器变压后通过过电保护电路， 保证电路出

23、现过载或短 路故障时，不至于伤害到晶闸管和负载。 在电路中还加了防雷击的保护电路。 然 后将经变压和保护后的信号输入整流电路中。 整流电路中的晶闸管在触发信号的 作用下动作，以发挥整流电路的整流作用。3.4 主要元器件的说明由于单相桥式全控整流带电感性负载主电路主要元件是晶闸管， 所以选取元 件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。3.4.1 晶闸管的主要参数如下：额定电压 UTn通常取UDr和冲较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定 电压。在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的23倍，以保证电路的工作安全。晶闸管的额定电压 UTnmin U DRM ,URRMUTn ( 2 3

24、) UTm (341 )UTm：工作电路中加在管子上的最大瞬时电压额定电流 I T(AV)I T(AV) 又称为额定通态平均电流。其定义是在室温 40和规定的冷却条件下， 元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于 170的电路中，结温不超过额 定结温时，所允许的最大通态平均电流值。 将此电流按晶闸管标准电流取相近的 电流等级即为晶闸管的额定电流。要注意的是若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期， 即使正向电流值 没超过额定值，但峰值电流将非常大，可能会超过管子所能提供的极限，使管子 由于过热而损坏。在实际使用时不论流过管子的电流波形如何、 导通角多大， 只要其最大电流 有效值ITM (1.

25、5 2) 1 TM1.57因为It=I/ .2 ,则晶闸管的额定电流为It av =12.5A(输出电流的有效值 为最小值，所以该额定电流也为最小值)考虑到2倍裕量，取25A.即晶闸管的 额定电流至少应大于25A.在本次设计中我选用4个KP20-4的晶闸管.川、若散热条件不符合规定要求时，则元件的额定电流应降低使用。 通态平均管压降UT(av)。指在规定的工作温度条件下，使晶闸管导通的正弦波半个周期阳极与阴极电压的平均值，一般在0.41.2V。 维持电流Ih。指在常温门极开路时，晶闸管从较大的通态电流降到刚好能 保持通态所需要的最小通态电流。一般I h值从几十到几百毫安，由晶闸管电 流容量大小而定。 门极触发电流Ig。在常温下，阳极电压为6V时，使晶闸管能完全导通所 需的门极电流，一般为毫安级。 断态电压临界上升率du/dt。在额定结温和门极开路的情况下，不会导致 晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。 通态电流临界上升率di/dt。在规定条件下，晶闸管能承受的最大通态电 流上升率。若晶闸管导通时