电子元器件标准精选教材

1、电子元器件标准精选电子元器件标准精选收集了以下类别的标准 :1. 电子元器件综合标准2. 半导体器件标准3. 集成电路标准4. 集成电路卡标准5. 电容器与电感器标准6. 电阻器与电位器标准7. 液晶与电真空器件标准8. 压电陶瓷与石英晶体器件标准9. 印制电路板与电连接器标准代号标准名称邮价1.电子元器件综合标准 G4210GB/T4210-2001电工术语 :电子设备 用机电元件G5597 GB/T5597-99 固体电介质微波复介电常数的测试方法G16523GB/T16523-96 圆形石英玻璃光掩模基板规范G16524GB/T16524-96 光掩对准标记规范G16525GB/T165

2、25-96 塑料有引线片式载体封装引线框架规范G16526GB/T16526-96 封装引线间电容和引线负载电容测试方法G16527 GB/T16527-96 硬面感光板中光致抗蚀剂和电子束抗蚀剂规 范G16595GB/T16595-96 晶片通用网格规范G16596GB/T16596-96 确定晶片坐标系规范G16879GB/T16879-97 掩模嚗光系统精密度和准确度的表示准则G16880GB/T16880-97 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则G17564.1 GB/T17564.1-98 电气元器件的标准数据元素：定义 -原则和方法G17564.2GB/T17564.2-2000 电气

3、元器件的标准数据元素： EXPRESS 字典模式G17564.3 GB/T17564.3-99 电气元器件的标准数据元素：维护和确 认的程序G17564.4GB/T17564.3-99 电气元器件的标准数据元素： IEC 标准 数据元素GJ360AGJB360A-96电子及电子器件试验方法GJ546AGJB546A-96电子元器件质量保证大纲GJ548GJB548-96微电字器件试验方法和程序 GJ2823GJB2823-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法 GJ3404GJB3404-98电子元器件选用管理要求GJ4027GJB4027-2000军用电子元器件破坏性物理分析方法SJ11

4、126SJ/T11126-97 电子元器件用酚醛系包封材料 SJ11153SJ/T1115399 磁性氧化物制成的磁芯尺寸系列SJ11165 SJ/T1116598 用于光纤系统的 PIN-FIT 模块空白详细规 范 : SJ11215SJ/T11215-1999 电子元件自动编带机通用规范2. 半导体器件标准G1553 GB/T1553-97 硅和锗体内少数载流子寿命测定G1555 GB/T1555-97 半导体单晶晶向测定方法G1558 GB/T1558-97 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法G4023 GB/T4023-97 半导体分立器件：整流二极管G6217 GB/T6217-98

5、 高低频放大环境额定的双极型晶体管 : 空白详 细规范G6218GB/T6218-98 开关用双极型晶体管 : 空白详细规范G6219 GB/T6219-981GH、z 5W以下的单栅场效应晶体管 : 空白详细 规范:G6351GB/T6351-98100以下环境或管壳额定整流二极管 : 空白详 细规范 : G6352GB/T6352-98100以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流 晶体管 : 空白详细规范 : G6495.1GB/T6495.1-96 光伏器件：光伏电流电压特性的测量 G6495.2GB/T6495.2-96 光伏器件：标准太阳电池的要求G6495.3GB/T6495.3-96

6、 光伏器件：地面用光伏器件的测量原理G6495.4 GB/T6495.4-96 晶体硅光伏器件的 I-V 实测特性的修正方 法G6495.5 GB/T6495.5-97 光伏器件： 用开路电压法确定光伏器件的 等效电池温度G6588 G6589 GB/T6589-2002半导体器件 : 调整二极管和电压基准 二极管空白详细规范G6590 G8646GB/T8646-98 半导体键合铝合金 %硅细丝G8750 GB/T8750-97 半导体器件键合金丝G7149GB71497150-87开关用双极型晶体管G7153GB/T7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 :总规 范G7576

7、GB/T7576-98 高频放大管壳额定双极型晶体管 : 空白详细规 范 : G7577GB/T7577-96 低频放大管壳额定双极型晶体管 : 空白详细规 范 : G9535 GB/T9535-98 地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型G11499GB/T11499-2001半导体分立元件文字符号G12560GB/T12560-99 半导体器件分立元件分规范G12962GB/T12962-96 硅单晶G12963GB/T12963-96 硅多晶G12964GB/T12964-96 硅单晶抛光片G12965GB/T12965-96 硅单晶切割片和研磨片G16468GB/T16468-96 静电感

8、应晶体管系列型谱G16822GB/T16822-97 介电晶体介电性能的试验方法G16894GB/T16894-97 大于 100A，环境和管壳额定的整流二极管 空白详细规范 : G17007GB/T17007-97 绝缘栅双极型晶体管测试方法G17008GB/T17008-97 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号G17169GB/T17169-97 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方 法G17170GB/T17170-97 非掺杂半绝缘砷化镓单晶红外吸收测试方 法G18904.1 GB/T18904.1-2002 光电子器件纤维光学系统或子系统用 带 / 不带尾纤的光发射或红外发射二极管空

9、白详细规范G18904.2 GB/T18904.2-2002 光电子器件纤维光学系统或子系统用 带尾纤的激光二极管模块空白详细规范G18904.3 GB/T18904.3-2002 光电子器件显示用发光二极管空白详 细规范G18904.4GB/T18904.4-2002 光电子器件纤维光学系统用带 / 不带 尾纤的 Pin-FET 模块空白详细规范G18904.5 GB/T18904.5-2003 光电子器件纤维光学系统或子系统用 带 / 不带尾纤的 pin 光电二极管空白详细规范GJ33AGJB33A-97半导体分立元件总规范GJ128AGJB128A-97半导体分立元件试验方法 GJ315

10、7GJB3157-1998半导体分立器件失效分析方法和程序GJ3519GJB3519-99半导体激光二极管总规范SJ10585SJ/T1058494 半导体分立器件表面安装器件外形尺寸SJ11225 SJ/T11225-2000 电子元器件详细规范 :3DA504型 S波段硅 脉冲功率晶体管SJ11226 SJ/T11226-2000 电子元器件详细规范 :3DA505型 L 波段硅 脉冲功率晶体管SJ11227SJ/T11227-2000 电子元器件详细规范 :3DA98 型 NPN硅高 频大功率晶体管SJ20756SJ20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南SJ20757 S

11、J20757-1999 微波电路系列和品种微波开关系列的品种SJ20744SJ20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通 用导则SJ20782SJ20782-2000 充气整流管总规范SJ20784SJ20784-2000 微型杜瓦总规范SJ20785SJ20785-2000 超辐射发光二极管组件测试方法SJ20786SJ20786-2000 半导体光电组件总规范SJ20787SJ20787-2000 半导体桥式整流器热阻测试方法SJ20788SJ20788-2000 半导体二极管热阻测试方法SJ20789 SJ20789-2000MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方 法J

12、9684 JB/T9684-2000 电力半导体器件用散热器选用导则J10096JB/T10096-2000 电力半导体器件用管壳选用导则J10097JB/T10097-2000 电力半导体器件用管壳DB723电力半导体器件和半导体变流器标准（93 电工版）103.50.00DB735电力半导体器件标准（ 93 电工版）DB795电力半导体器件和整流设备标准（ 1）（ 94电工版 ）DB827电力半导体器件和整流设备标准（ 2）（ 95电工版 ）DB827电力半导体器件和整流设备标准（ 3）（ 96电工版 ）DB887电力半导体器件和整流设备标准（ 4）（ 97电工版 ）DB930电力半导体器

13、件和整流设备标准（ 5）（ 98电工版 ） DB982电力半导体器件专业卷（ 1）（ 2000 电工版）3. 集成电路标准G4377 GB/T4377-96 半导体集成电路电压调整器测试方法和基本 原理G5965GB/T5965-2000集成电路： 双极型单片数字集成电路门电路 空白详细规范G6798 GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本 原理G8976 GB/T8976-96 膜集成电路和混合膜集成电路总规范G9424 GB/T9424-98 半导体器件集成电路 :CMOS数字集成电路 4000B和 4000UBG16464GB/T16464-96 半导体器件集

14、成电路总则 G16465GB/T16465-96 膜集成电路和混合膜集成电路分规范G16466GB/T16466-96 膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规 范G16878GB/T16878-97 用于集成电路制造技术的检测图形单元规 范G17023GB/T17023-97HCOM数S字集成电路系列族规范G17024GB/T17024-97HCOM数S字集成电路空白详细规范G17572GB/T17572-99半导体 CMOS集成电路： 4000B和 4000UB系 列族规范G17573GB/T17573-99 半导体分立元件和集成电路：总则G17574GB/T17574-99 半导体分集成电路

15、：数字集成电路G17940GB/T17940-2000半导体集成电路：模拟集成电路G18500.1 GB/T18500.1-2001 半导体集成电路：线性数字 / 模拟转 换器（ DAG）G18500.2 GB/T18500.2-2001 半导体集成电路：线性模拟 / 数字转 换器（ ADC）GJ597AGJB597A-96半导体集成电路总规范GJ3203GJB3233-1998半导体集成电路失效分析程序和方法SJ10741 SJ/T10741-2000 半成品集成电路 CMOS电路测试方法的基 本原理SJ10804SJ/T10804-2000 半成品集成电路电平转换器测试方法的 基本原理SJ

16、10805SJ/T10805-2000 半成品集成电路电压比较器测试方法的 基本原理SJ20674SJ20674-1998 微波电路系列和品种微波信号检波器系列 的品种SJ20675SJ20675-1998 微波电路系列和品种微波固态噪声源系列 的品种SJ20676SJ20676-1998 通信对抗固态宽频带功率放大模块通用规 范SJ20677SJ20677-1998 微波集成 PIN 单刀开关模块通用规范SJ20678SJ20678-1998 交换网络模块通用规范SJ20679SJ20679-1998 通信用户接口模块通用规范SJ20680SJ20680-1998 通信群路接口模块通用规范S

17、J20711SJ20711-1998 分步投影曝光机通用规范SJ20750SJ20750-1999 军用 CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范SJ20758SJ20758-1999 半导体集成电路 CMOS门阵列器件规范SJ20759SJ20759-1999 混合集成电路系列与品种 DC/DC变换器系 列的品种SJ20802SJ208022001 集成电路金属外壳目检标准SJ20804 SJ208042001 微波电路系列和品种微波衰减器系列的品 种4. 集成电路卡标准G15694.2GB/T15694.2-2002 识别卡发卡者标识 : 申请和注册规程 G16649.1GB/T16649.1-9

18、6 识别卡带触点的集成电路卡： 物理特性 G16649.2 GB/T16649.2-96 识别卡带触点的集成电路卡： 触点尺寸 和位置G16649.3 GB/T16649.3-96 识别卡带触点的集成电路卡： 电信号和 传输协议G16649.5 GB/T16649.5-2002 识别卡带触点的集成电路卡：应用标 识符的编号体系G16649.6 GB/T16649.6-2001 识别卡：行业间数据元G16649.8 GB/T16649.8-2002 识别卡带触点的集成电路卡 : 与安全 相关的行业间命令G16649.10 GB/T16649.10-2002 识别卡带触点的集成电路卡：同步 卡的电

19、信号和复位应答G16790.1 GB/T16790.1-97 金融交易卡：卡的生命周期G16791.1 GB/T16791.1-97 金融交易卡：概念与结构G17550.1 GB/T17550.1-98 识别卡光记忆卡：物理特性G17550.2 GB/T17550.2-98 识别卡光记忆卡： 可访问光区域的尺寸 和位置G17550.3 GB/T17550.3-98 识别卡光记忆卡：光属性和特性G17550.4 GB/T17550.4-2000 识别卡光记忆卡：逻辑数据结构G17551GB/T17551-98 识别卡光记忆卡一般特性G17552GB/T17552-98 识别卡金融交易卡G1755

20、3.1 GB/T17553.1-98 识别卡无触点集成电路卡：物理特性G17553.2 GB/T17553.2-2000 识别卡无触点集成电路卡：耦合区域 的尺寸和位置G17553.3 GB/T17553.3-2000 识别卡无触点集成电路卡：电信号和 复位规程G17554GB/T17554-98 识别卡测试方法G18239GB/T18239-2000 集成电路 (IC) 卡读写机通用规范SJ11166SJ/T1116698 集成电路卡(卡)插座总规范SJ11220SJ/T11220-2000 集成电路卡通用规范：卡片基本规范SJ11221SJ/T11221-2000 集成电路卡通用规范：行业

21、间交换用命 令SJ11222SJ/T11222-2000 集成电路卡通用规范：测试方法SJ11230SJ/T11230-2001 集成电路卡通用规范：接口电路基本应 用编程接口规范SJ11231 SJ/T11231-2001 集成电路卡通用规范： 带触点的 IC 卡模 块SJ11232SJ/T11232-2001 集成电路卡通用规范：安全规范CJ166 CJ/T166-2002 建设事业 IC 卡应用技术5. 电容器与电感器标准G2693GB/T2693-2001电子设备用固定电容器：总规范G2900.16GB/T2900.16-96 电工术语 : 电力电容器G3615 GB/T3615-99

22、 电解电容器用铝箔G3616 GB/T3616-99 电力电容器用铝箔G5596 GB/T5596-96 电容器用陶瓷介质材料G5966 GB/T5966-96 电子设备用固定电容器： 1 类瓷介固定电容器G5967GB/T5967-96 电子设备用固定电容器： 1类瓷介固定电容器 评定水平 EG5968 GB/T5968-96 电子设备用固定电容器： 2 类瓷介固定电容器G5969GB/T5969-96 电子设备用固定电容器： 2类瓷介固定电容器 评定水平 EG6115.1GB/T6115.1-98 电力系统用串联电容器：总则G6115.2GB/T6115.2-2002 电力系统用串联电容器

23、 : 串联电容器组 用保护设备G6115.3GB/T6115.3-2002 电力系统用串联电容器 : 内部熔丝G6261 GB/T6261-98 电子设备用固定电容器：额定电压不超过 3000V的直流电容器G6262 GB/T6262-98 额定电压不超过 3000V的直流云母固定电容器: 评定水平 EG6916 GB/T6916-97 湿热带电力电容器G7209GB7209-87CD15型固定铝电解电容器G7332GB/T7332-96 电子设备用固定电容器第 2 部分：分规范 G7333 GB/T7333-96 电子设备用固定电容器第 2 部分：空白详细规 范:G7338GB/T7338-

24、96 电子设备用固定电容器第 6 部分：分规范G9324 GB/T9324-96 多片式瓷介电容器G9325GB/T9325-96 多层片式瓷介电容器 : 评定水平 EG11024.1 GB/T11024.1-2001 标称电压 1KV以上交流电力系统并联 电容器：总则G11024.2 GB/T11024.2-2001 标称电压 1KV以上交流电力系统并联 电容器：耐久性G11024.3 GB/T11024.3-2001 标称电压 1KV以上交流电力系统并联 电容器：保护G11024.4 GB/T11024.4-2001 标称电压 1KV以上交流电力系统并联电 容器：内部熔丝G14472GB/

25、T14472-98 抑制电源电磁干扰用固定电容器：分规范 G14473GB/T14473-98 抑制电源电磁干扰用固定电容器： 评定水平 DG16467 GB/T16467-96 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流片式 固定电容器G16512GB/T16512-96 抑制射频干扰固定电容器：总规范G16513GB/T16513-96 抑制射频干扰固定电容器：分规范 G17206GB/T17206-98 固体与非固体电解质片式铝固定电容器G17207GB/T17207-98固体（ MnO2电解质片式铝固定电容器 :评定 水平 E）G17208GB/T17208-98 非固体电解质片式铝固定电容器

26、 : 评定水平 EG17702.1 GB/T17702.1-99 电力电子电容器：总则G17702.2 GB/T17702.2-99 电力电子电容器：熔丝G17886.1 GB/T17886.1-99 标称电压 1KV及以下交流电力并联电容 器：总则G17886.2 GB/T17886.2-99 标称电压 1KV及以下交流电力并联电容 器：试验G17886.3 GB/T17886.3-99 标称电压 1KV及以下交流电力并联电容 器：内部熔丝G18504GB/T18504-2001管形荧光灯和其他放电灯线路用电容器: 性能要求G18939.1GB/T18939.1-2003 微波炉电容器第 1

27、部分: 总则GJ63B GJB63B-2001有可靠性指标的固定电解质钽电容器 : 总规范GJ3516GJB3516-99铝电解电容器 : 总规范J1811JB18911-92 压缩气体标准电容器DL840 DL/T840-2003 高压并联电容器使用技术条件DL842 DL/T842-2003 低压并联电容器装置使用技术条件DB802电力电容器标准（ 1）（ 94 电工版）DB980电力电容器专业卷（ 1）（ 2000 电工版）6. 电阻器与电位器标准G7154.1GB/T7154.1-2003 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 限流用G7154.2GB/T7154.2-2003 直热式阶跃

28、型正温度系数热敏电阻器 加热元件用G7154.3GB/T7154.3-2003 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 浪涌电流用G7154.4GB/T7154.4-2003 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 敏感用G10193GB/T10193-97 电子设备用压敏电阻器：总规范G10194GB/T10194-97 电子设备用压敏电阻器：浪涌抑制型压敏电 阻器G10195GB/T10195-97 电子设备用压敏电阻器： 碳化硅浪涌抑制型 压敏电阻器G10196GB/T10196-97 电子设备用压敏电阻器： 氧化锌浪涌抑制型 压敏电阻器G15883 GB/T15883-95电子设备用膜固定电阻网络

29、空白详细规范 : 评定水平 EG16515GB/T16515-96 电子设备用电位器：分规范G17025GB/T17025-97 单圈旋转功率电位器分规范G17026GB/T17026-97 单圈旋转功率电位器评定水平 EG17027GB/T17027-97 单圈旋转功率电位器评定水平 FG17028GB/T17028-97 单圈旋转低功率电位器评定水平 EG17029GB/T17029-97 单圈旋转低功率电位器评定水平 FG17034GB/T17034-97 低功率非线绕固定电阻器评定水平 FG17035GB/T17035-97 带散热器的功率型固定电阻器评定水平HGJ601AGJB601

30、A-98热敏电阻器总规范SJ10774SJ/T10774-2000 电子元器件详细规范 :RT14 型碳膜固定电阻器评定水平 ESJ10775 SJ/T10775-2000 电子元器件详细规范 :RT14 型金属膜固定电阻器评定水平 ESJ10798 SJ/T10798-2000 电子元器件详细规范 :MF11型直热式温度 系数热敏电阻器评定水平SJ10799SJ/T10799-2000 电子元器件详细规范 :MF53-1 型直热式 负温度系数热敏电阻器评定水平 ESJ10872 SJ/T10872-2000 电子元器件详细规范 RJ15型金属膜固定 电阻器评定水平 ESJ11113 SJ/T

31、11113-1999 电子元器件详细规范 RJ型金属膜固定电 阻器评定水平 ESJ11267SJ/T11267-2002 电子设备用压敏电阻器安全要求SJ11255SJ/T11255 2001叠层型片式电感器详细规范SJ11267SJ/T11267-2002 电子设备用压敏电阻器安全要求SJ20647SJ20647-97 铂热敏电阻器总规范SJ20765SJ20765-1999 实验室用 28Vd.c 电感器总规范7. 液晶与电真空器件标准G4619 GB/T4619-96 液晶显示器件测试方法G2987 GB/T2987-96 电子管参数符号G3306GB/T3306-2001小功率电子管电

32、性能测试方法G4597 GB/T4597-96 电子管词汇 G6255GB/T6255-2001空间电荷控制电子管总规范G12852GB/T12852-2001磁控管总规范G12853GB/T12853-2001连续波磁控管空白详细规范 : G18680GB/T18680-2002液晶显示器用氧化铟锡透明导电玻璃 GJ616AGJB616A-2001电子管试验方法SJ198 SJ/T198-2001 计数管总规范SJ10157SJ/T10157-2001 脉冲磁控管空白详细规范 : SJ10732SJ/T10732-2000 电子管型号命名方法SJ11082SJ/T11082-2000 电子管

33、热丝或灯丝电流和电压的测试方 法SJ11152SJ/T1115299交流粉末致光显示器件空白详细规范 : SJ11246SJ/T11246 2001真空开关用陶瓷管壳SJ11248SJ/T112482001 液晶和固态显示器件：液晶显示（ LCD） 屏空白详细规范SJ11260SJ/T11260-2001 真空开关管系列SJ11261SJ/T11261-2001 真空开关管型号命名方法SJ11249SJ/T11249 2001计数管空白详细规范SJ20023SJ20023-2000 行波管总规范SJ20746SJ20746-1999 液晶材料性能测试方法SJ20783SJ20783-2000

34、小型白炽灯泡总规范8. 压电陶瓷与石英晶体器件标准G2414.1 GB/T2414.1-98 压电陶瓷材料性能试验方法： 圆片径向伸 缩振动G2414.2 GB/T2414.2-98 压电陶瓷材料性能试验方法： 长条横向伸 缩振动G3241GB/T324198 倍频程和分数倍频程滤波器G3353 GB/T3353-95 人造石英晶体使用指南G3388GB/T3388-2002压电陶瓷材料型号命名方法G3389.1GB/T3389.1-96 铁电压电陶瓷词汇G3389.2GB/T3389.2-99 压电陶瓷纵向压电应变常数的静态测试G3389.3GB/T3389.3-99 压电陶瓷居里温度 TC

35、的测试G3389.6GB/T3389.6-97 压电陶瓷长方片厚度切变振动模式G5593 GB/T5593-96电子元器件结构陶瓷材料G6426 GB/T6426-99铁电陶瓷材料电滞回线的准静态测试方法G6427 GB/T6427-99压电陶瓷振子频率温度稳定性的测试方法G6628 GB/T6628-96人造石英晶体制材G12273GB/T12273-96石英晶体元件质量评定体系规范：总规范G12864GB/T12864-97 电子设备用压电陶瓷滤波器质量评定：鉴定批准G12865GB/T12865-97 电子设备用压电陶瓷滤波器质量评定：评定 水平 EG16304GB/T16304-96压

36、电陶瓷电场应变特性测试方法G16516GB/T16516-96石英晶体元件质量评定体系规范：能力批准G16517GB/T16517-96石英晶体元件质量评定体系规范：鉴定批准G16528GB/T16528-96压敏电阻器用氧化锌陶瓷材料G17190GB/T17190-97 电子设备用压电陶瓷滤玻器：总规范鉴定批 准SJ10707SJ/T10707 96 石英晶体元件质量评定体系规范第二部分SJ10708SJ/T10708 96 石英晶体元件质量评定体系规范第三部 分SJ10709SJ/T10709-96 压电陶瓷蜂鸣片总规范SJ11136SJ/T11136-97 电子陶瓷二氧化锆材料SJ111

37、99SJ/T1119999 压电石英晶体片SJ11210 SJ/T11210-1999 频率达 30MHz石英晶体元件负载谐振频率 fL 和 RL的测量方法SJ11212SJ/T11212-1999 石英晶体元件参数的测量：激励电平相关性（ DLD）的测量SJ11224SJ/T11224-2000 电子元器件详细规范 WIW141型螺杆驱动预调电位器评定水平 ESJ11256SJ/T11256 2001有质量评定的石英晶体振荡器：总规范SJ11257SJ/T11257 2001有质量评定的石英晶体振荡器：分规范SJ11258SJ/T11258 2001 有质量评定的石英晶体振荡器：空白详 细规范SJ20764SJ20764-1999 介电滤波器总规范9. 印制电路板与电连接器标准G1303.1GB/T1303.1-98 环氧玻璃布层压板G1303.2GB/T1303.2-2002 对三聚氰胺树脂硬质层压板的要求G1360 GB/T1360-98印刷电路网格体系G4588.1