光电子学 (第五章1)

1、 光电子学 第五章 光辐射的探测 第十八讲 湖南大学 物理与微电子科学学院，王玲玲 2016 年 3 月 物理与微电子科学学院物理与微电子科学学院 School of Physics and Microelectronics Science 问题一：波导制造技术的目标？ 同基片上制造大量小型互联装置， 及光电二极管、半导体激光器和探测器； 问题二：波导的制造的过程 1. 平板波导加工 2. 基片的制备 3. 波导膜的沉积与生长波导膜的沉积与生长 4. 材料的改性 5. 刻 蚀 6. 金属板印刷 问题三：外延生长条件? 吸附原子表面扩散速率； 基体与薄膜材料结晶相容性（共格）； 基体表面状态。

2、量子阱：2种不同半导体相间排列成，明显量子限制效 应电子或空穴势阱。 特征： p 量子阱宽度限制（足够小形成），载流子波函数一 维向局域化。 p 三明治结构，中间很薄层半导体膜，外侧两隔离层。 问题四：量子阱及其特征？ 问题五：平板波导的主要应用 光开关、 光调制器、 干涉滤波器。 光源 传输 调制 探测成像显示 光电子技术的研究内容 光辐射的探测 5 5-4 光辐射的探测方法 5-3 光辐射探测过程中的噪声 5-2 光探测的基本物理效应 5-1 物质中的光吸收 吸收现象 结合固体 （半导体） 中几种光吸 收过程特点 1 3 2 本征、 晶格振动、 自由载流子、 激子、 杂质吸收 5-1 物质

3、中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 光通过物质，与其电子，激子，晶格振动，杂质作用光吸收。 由能量大小，材料能级结构，掺杂物性质，光吸收： 本征吸收 晶格振动吸收 自由载流子的光吸收 激子吸收 杂质吸收 直接跃迁 间接跃迁 光吸收 光电探测技术：光电探测技术：把被调制光信号转变成电信号并将其提出技术。 半导体本征吸收：电子吸收光子能量，价带跃到导带。 价带顶与导带底间跃迁； 条件： p 光子能量或=Eg，能量与动量守恒定律： ) 115( 0 hEh g p 0引起本征吸收最低 各半导体，Eg不同， 0不同； 几种半导体E

4、g 0 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 四、激子吸收 五、杂质吸收 (5-1-1)，引起本征吸收最低 本征吸收光谱长波限： )215)( 24. 1 0 m EE hc gg 理论分析： p 电子从价带到导带跃迁满足能量守恒能量守恒、 动量守恒动量守恒。 电子跃迁： p 满足选择定则选择定则。 根据能级结构，本征吸收： 1. 直接跃迁（仅仅光子）； 2. 间接跃迁（不仅不仅光子）。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物

5、理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 半导体波矢k，电子吸收光子跃迁到波矢k态，k和k： 光子动量h/ ，与能带电子动量（T=300K，电子 量级 510-7cm）比极小（ 0） 电子吸收能量，动量不变准动量守恒（ 0）； )315( 光子动量khkh )415( kk 0 光子动量khkh 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的

6、探测方法 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 h=6.63 10-34J/s 直接跃迁特点： mvp 电子动量 图E(k)曲线，动量不变（ k=0），电子前后态同垂线上 直接跃迁 跃迁（跃迁前后波矢=）：）： -族GaAs，InSb及-族 半导体，导带极小值与价带极 大值同k直接带隙半导体。 光照，电子跃迁几率大。 )415( kk 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征

7、吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Ef Ei 价带顶能量O点，电子初态Ei与末态Ef对应： 抛物线能带结构： 则（下页） p m 折合质量折合质量； p m*N，m*P电子与空穴有效质量有效质量。 ）（515| if EhE )615( 2 2 * 22 * 22 P i N gf m k E m k EE )715( 2 ) 11 ( 2 * 22 * 22 m k mm k Eh PN g 能带间直接跃迁，准动量守恒，跃迁几率Pif 常数，与光子能量无关。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探

8、测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Ef Ei E=0 价带顶能量0 |Ei| 由价带顶能量为0点确定 )515( | if EhE | if EEh )615( 2 2 * 22 * 22 P i N gf m k E m k EE )715( 2 ) 11 ( 222 * 22 * 22 * 22 * 22 m k mm k m k m k Eh PNPN g gifg EEEEh| 推导(5-1-7)式： * 11

9、1 PN mmm 其中： 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 ) 715 ( 2 ) 11 ( 2 * 22 * 22 m k mm k Eh PN g h Eg，光吸收系数： A，B常数，跃迁几率Pif，计算得B e电子电量；n折射率。 )815()()( 2 )2( )2( 8 )()( 2 1 32 2 3 3 2 hdEh m dk

10、k hdhN g )1015( )2( *2 2 3 2 N mnch me B m 折合质量；m*N，m*P电子与空穴有效质量 k波矢空间，kk+dk状态数（N(h )） m 折合质量 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Ef Ei E=0 价带顶能量0 |Ei|由价带顶能量为0点确定 )915()()()( 2 1 1 gif EhBhN

11、APha Eg，h 单位eV 对任何k成立，某些材料，k=0电子直接跃迁禁止， k0直接跃迁，跃迁几率Pifk2，吸收系数： m*N=m*P=m，n=4： ）（1315 1 3 2 * hm Bm B P 1415()( )( 103 . 1)( 1 2 3 4 2 cm h Eh ha g )1015( )2( *2 2 3 2 N mnch me B ）（1215)()()( 2 3 2 gif EhBhNPAha k=0被禁止直接跃迁几率 k=0直接跃迁几率 )915()()()( 2 1 1 gif EhBhNAPha k=0直接跃迁几率 m*N=m*P=m，m自由电子质量，n=4：

12、)1115()()(102)( 1 2 1 4 1 cmEhha g 吸收系数 吸收系数 k=0被禁止直接跃迁几率 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 (5-1-11)与(5-1-14)比，区别： p (5-1-14)多一项(h -Eg)/h p k=0附近， h -Eg0.01eV，h 1eV，(h -Eg)/h =0.01eV/1eV=0

13、.01， 2 1 p k=0被禁止直接跃迁几率比直接跃迁低得多。 ）（1115)(102)( 1 2 1 4 1 cmEhha g ）（1415 )( 103 . 1)( 1 2 3 4 2 cm h Eh ha g k=0 k0 k=0被禁止直接跃迁几率n=4 k=0直接跃迁几率n=4 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子）直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 动量守恒： 略光子

14、动量： q声子波矢，“”发出“+”吸收声子 )1515(光子动量qkk if ）（1615qkk if 间接跃迁：半导体Si，Ge，导带最低能态与价带最高能态k ，本征 吸收长波限不对应k空间原点直接跃迁，间接跃迁，跃迁动量变。 跃迁除吸收光子，借助声子（吸收可发射声子 ）。 0 光子动量khkh 直接跃迁： 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸

15、收 Ef Ei k k 声子能量EP，跃迁能量守恒定律： 间接与直接跃迁不同，价带每个被电子占据态， 和导带全部空态联系。 能量Ei初态密度： 能量Ef末态密度： (5-1-17)代入(5-1-19)： ）（1715| hEEE Pif )1815(|)2( 2 1 )( 2 1 2 3 * 32 iPi EmEN )1915()()2( 2 1 )( 2 1 2 3 * 32 gfNf EEmEN )2015(|)|()2( 2 1 )( 2 1 2 3 * 32 iPgNf EEEhmEN )815()()( 2 )2( )2( 8 )()( 2 1 32 2 3 3 2 hdEh m d

16、k k hdhN g 直接跃迁k空间状态数 ) 115( 0 hEh g 本征吸收能量守恒）（515| if EhE )615( 2 2 * 22 * 22 P i N gf m k E m k EE 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 吸收系数 电子与声子互作用几率f(NP)，NP能量EP声子数。得： 积分上限 对某光子 产生间接跃迁最低初

17、态能量 直接跃迁（仅光子）。 m ipg m i EEEhE， )2115( |)|(|)()( 2 1 0 2 1 iiPg E iP EdEEEhENAfha m i 初态密度 末态密度 推导下页 吸收系数 初N(Ei)与末态密度N(Ef )乘积，对两态相隔 h EP（声子能量）可能积分； k=0直接跃迁几率 ）（915)()()( 2 1 1 gif EhBhNAPha ）（1015 )2( *2 2 3 2 N mnch me B k=0被禁止直接跃迁几率 ）（1315 1 3 2 * hm Bm B P ）（1215)()()( 2 3 2 gif EhBhNPAha 5-1 物质中

18、的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 )2115( |)|(| )( |)|(|)2( 2 1 )2( 2 1 )( |)|()2( 2 1 |)2( 2 1 )( |)()()()( 2 1 2 1 0 2 1 2 1 2 3 * 32 2 3 * 0 32 2 1 2 3 * 32 2 1 2 3 * 0 32 0 iiPgi E P iiPgiNP E

19、 P iiPgNiP E P if E iP EdEEEhENAf EdEEEhEmmNf EdEEEhmEmNf EdENENNfha m i m i m i m i p 其中: 2 3 * 32 2 3 * 32 )2( 2 1 )2( 2 1 NP mmA ）（1815|)2( 2 1 )( 2 1 2 3 * 32 iPi EmEN ）（2015|)|()2( 2 1 )( 2 1 2 3 * 32 iPgNf EEEhmEN ）（2115|)|(|)()( 2 1 0 2 1 iiPg E iP EdEEEhENAfha m i 间接跃迁吸收系数 间接跃迁能量Ef末态密度 间接跃迁能

20、量Ei初态密度 推导(5-1-21)：吸收系数 初态密度N(Ei)与末态N(Ef)乘积，两态间隔h EP （声 子能量）组合积分；吸收系数 电子与声子相互作用几率f(NP)，NP能量EP声 子数。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 量子统计，电子吸收声子几率： (5-1-22)代入(5-1-21)，吸收一个声子间接跃迁吸收系数： ）（221

21、5 1 1 )( kT EPP P e NNf 声子发射几率f (NP+1) NP+1，发射一个声子间接跃迁吸收系数： ）（2115|)|(|)()( 2 1 0 2 1 iiPg E iP EdEEEhENAfha m i NP能量EP声子数 )2315()( 1 )( 2 Pg kT E Pg a EEh e EEhA P 当 吸收一个声子 )2415()( 1 )( 2 Pg kT E Pg e EEh e EEhA P 当 发射一个声子 间接跃迁吸收系数 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃

22、迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Eg-EPh Eg+EP，吸收声子和发射声子跃迁都发生。 总吸收系数： h Eg-EP，跃迁不发生，a=0， 5-1-4光激发，发射与吸收声子示意图。 )2515)()()( hhh ea 1. 总吸收系数=吸收一声子间接跃迁吸收 系数+发射一声子间接跃迁吸收系数 ）（当 Pg kT E Pg a EEh e EEhA P 1 )( 2 吸收一个声子 ）（当 Pg kT E Pg e EEh e EEhA P 1 )( 2 发射一个声子

23、 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Eg 吸收（间接跃迁）： p 依赖EM与电子互作用， p 依赖电子与晶格（声子）互作用。 二级过程几率远只取决电子与EM作用 直接跃迁， 间接跃迁a（吸收系数）直接跃迁a，差103倍 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 1

24、. 直接跃迁（只有光子） 2. 间接跃迁（不仅光子）间接跃迁（不仅光子） 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 Eg 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 四、激子吸收 五、杂质吸收 一、本征吸收一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 发生条件 只发生吸收声子跃迁直接 吸收和发射声子跃迁发生间接 跃迁不发生 gpgp EEhEE gp hEE gp hEE 10-100 m红外波段，固体有光子和晶格振动互作用引起吸收区。 离子晶体或离子性强

25、化合物（GaAs）存在强晶格振动吸收带。 晶格原子振动由若干不同基本波动按波叠加原理组合成，基波 格波。 与电子波相似，格波失q格波 及传播方向，|q|=1/ 晶体，同q格波不止一个： p 原胞一原子，每个q三格波； p 原胞两原子（Si，Ge及及-族化合物），每个q有6格波， 及振动向不同； p 低三声学波， p 高三光学波。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 光学或声学波，原子振动与波传播向关系：一纵波，两

26、横波。 a格波，能量量子化：n=0，1，2， 晶格与其他物质（电、光子）作用交换能量，晶格原子振动状态 变，格波能量变，改变量h a整数倍，h a声子（h 光子）。 光学波及声学波同光波互作用，看成声子与光子互作用。 “声子”分析晶格与物质互作用方便。 晶格能量变吸收或放出声子过程。 aa hnE) 2 1 ( 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 p 入射光与晶格作用产生光吸收因素： u 光偏振向，晶格振动方式（

27、纵 或横波），晶格尺寸。 注意：光子 介于长光学纵波( LO) 和横波( TO)间，介电常数 ( ) 负，晶体吸收系数 大。 特定光子 ，光吸收强度决定于：有效声子态密度， 声子分布和 光子产生声子几率。 声子吸收是晶体固有电偶极矩与光频电磁场间耦合； 纯单元素晶体（Si单晶），观察晶格振动吸收光谱，因： p 光E感应电偶极矩，也与光E耦合引起光吸收。二级过程。 此光频区（晶格）剩余射 线带。 光E使正负离子沿相反向位移， 形成电偶极子，晶体极化， 电偶极矩从光场吸收能量。 光 =晶格振动 ，光吸收极大。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中

28、的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 k光子波矢，q声子波矢。光子只与q0光学声子作用。 剩余射线带短 向，吸收光谱依赖T，吸收过程两个以上声子产生。 吸收一光子产生两声子，守恒定律： 光子波矢小，略， 产生两声子波矢，大小等方向反。 21 qq )2615( 0 )()( kq qk 能量守恒能量守恒 动量守恒动量守恒 ）（2715 )()()( 21 21 qqk qqk 能量守恒能量守恒 动量守恒动量守恒 光子 介于长光学纵 波( LO)和横波( TO)间 p 光子与晶格振动作用，一光子产生一声

29、子，守恒定律： 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 本段小结： u 10-100 m红外段，强晶格振动吸收带。 u 基波格波。 u 格波失q格波 及传播向，|q|=1/ p 原胞一原子，每q有三格波； p 原胞含两原子，每q有6格波， 低 三声学波， 高三 光学波。 光或声学波：一纵两横波 量子化能量： h a声子（h 光子）。 aa hnE) 2 1 ( p 光子 介于长光学纵波( LO)和横波( TO)间，

30、( )负收系数 大，光频区剩余射线带。 )2615( 0 )()( kq qk 能量守恒能量守恒 动量守恒动量守恒 p 光子与晶格振动作用，一光 子产生一声子，守恒定律： ）（2715 )()()( 21 21 qqk qqk 能量守恒能量守恒 动量守恒动量守恒 剩余射线剩余射线带短 向，吸收 光谱依赖T，吸收有两个 以上声子产生。吸收一光 子产生两声子，守恒定律： 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 p 自由载

31、离子动量(k)变同能带 内。电子与晶格碰撞，跃迁： p 受声学声子散射， 1.5 p 受光学声子散射， 2.5 p 受电离杂质散射， 3.5 总自由载流子吸收系数 f： A，B，C与 无关常数；S波长指数； D与S常数，S随半导体掺杂 。 )2815( 5 . 35 . 25 . 1 S f DCBA u 入射光能量低，导带电子或价带 空穴吸收光子，载流子能带跃 迁 自由载流子吸收。 u 吸收能量红外波段。 u 与本征吸收间接跃迁类似，载流 子跃迁满足能量、动量守恒。 u 动量守恒，电子动量改变由声子 吸收或发射及电离杂质散射补偿。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理

32、效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 多半导体自由载流子吸收，图Si吸收 曲线，本征吸收限以外长波出现不断 吸收，自由载流子同带内跃迁引起。 表半导体自由载流子 f，N载流子浓度， f /N俘获截面，S波长指数， =9 m. S f DCBA 5 . 35 . 25 . 1 总自由载流子总自由载流子 f 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子

33、的光吸收三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 自由载离子k变化在 同能带内 自由载离子k变在同 能带内 p 受声学声子散射，吸收系数 1.5 p 受光学声子散射，吸收系数 2.5 p 受电离杂质散射，吸收系数 3.5 总自由载流子吸收系数： )2815( 5 . 35 . 25 . 1 S f DCBA p 本段小结： u 入射光能量低，导带电子或价带空穴吸收光子，载流子能带跃 迁（同带内）自由载流子吸收。 5-1 物质中的光吸收物质中的光吸收5-2 光探测的基本物理效应5-3 光辐射探测过程中的噪声5-4 光辐射的探测方法 一、本征吸收 二、晶格振动吸收 三、自由载流子的光吸收三、自由载流子的光吸收 四、激子吸收 五、杂质吸收 运动，激子不带净电荷，不形成I，消失： 1. 吸收更多能量（热激发或其他能量激 发），电子与空穴分离； 2. 电子