杂质扩散 (1)_第1页
杂质扩散 (1)_第2页
杂质扩散 (1)_第3页
杂质扩散 (1)_第4页
杂质扩散 (1)_第5页
已阅读5页，还剩17页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、三、杂质扩散三、杂质扩散 1. 恒定表面源扩散恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不 变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散恒定表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数余误差函数分 布 2. 有限表面源扩散有限表面源扩散 扩散前在硅片表面先淀积一层杂质， 在整个过程中，这层杂质作为扩散 源，不再有新源补充，杂质总量不 再变化。这种类型的扩散称为有限有限 表面源扩散。表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数高斯函数分 布布 3. 两步扩散 预淀积（或预扩散）：温度低、时间短 主淀积（或推进）：温度高、时间长 预淀积（或预扩散）现已普遍被离子注 入代替 4.实际杂质分布(偏离理论

2、值) 1)二维扩散 一般横向扩散(0.750.85)*Xj(Xj纵向结深) Xj 0.750.85 Xj 横向扩散 2)杂质浓度对扩散系数的影响 其中Di0 、 Di、 Di、 Di2分别表示中性 、正一价、负一价、负 二价的低浓度杂质空穴对的本征扩散系数。 其中Di0 、 Di(p/ni)、 Di(n/ni)、 Di2(n/ni) 2分别表示中性 、正一价、负 一价、负二价的高浓度杂质空穴 对的非本征条件下的有效扩散系数。 以上是考虑多重电荷空位的杂质扩散模型时， 扩散衬底杂质浓度将严重影响扩散系数 3)电场效应 4)发射区推进效应 V2- :二价负 电荷空位 N+ P N- 5)热氧化过程

3、中的杂质再分布 (杂质分凝) 硼:m1 砷:m1 6）氧化增强扩散）氧化增强扩散 7)硅片晶向的影响 2 典型扩散工艺方法 一双温区锑扩散一双温区锑扩散 制作双极型集成电路的隐埋区时，常用锑和砷 作杂质。因为它们的扩散系数小，外延时自掺 杂少，其中又因为锑毒性小，故生产上常用锑。 系统特点：用主辅两个炉子，产生两个恒温区。 杂质源放在低温区，硅片放在高温区。 反应式：3Sb2O3+3Si=4Sb+SiO2 优点： 1）可使用纯Sb2O3粉状源，避免了箱法扩散中 烘源的麻烦； 2)两步扩散，不象箱法扩散那样始终是高浓度 恒定表面源扩散，扩散层缺陷密度小； 3）表面质量好，有利于提高表面浓度。 二二. 常见扩散方法常见扩散方法 液态源扩散常用液态源扩散常用POCl3 600 5POCl3 =P2O5 3PCl5 2P2O5 5Si =5Si O24P 氧过量 4PCl5

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论