双向可控硅好坏检测方法_第1页
双向可控硅好坏检测方法_第2页
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文档简介

1、双向可控硅好坏检测方法双向可控硅是在普通可控硅的根底上开展而成的， 它不仅能代替两只反极性 并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比拟理想的交流开关器件。其英文名 称TRIAC即三端双向交流开关之意。1.双向可控硅的检测方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮 RXlk档，如果测得T2-T1、T2 - G之 间的正反向电阻接近，而万用表置于RX10档测得T1- G之间的正反向电阻在 几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，假设测得T2 - T1 ,、T2 G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl - G之间的正反向电阻很小或接近于零时就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；

2、如果测得 T1 -G之间的正反向电阻很大接近时，说明控制极G与主电极T1之间内部 接触不良或开路损坏，也不能使用。方法二：检查触发导通能力。万用表置于 RX 10档：如图，1a所示，用黑表笔接 主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将 G与T1或T2 短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一局部其中一个单向可控硅是好的，如图1b所示，改黑表笔接 主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将 G与T1或T2 短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一局部其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是

3、好的，即在两个方向在不同极性的触发电压证均能触发导通。图1 判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器，将万用 表置于RX 10k档V电压，对电解电容器充电35s后用来代替图1中的短路 线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于 RX 10档, 照图2b连接好后进行测试。测试时，电容 C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与方法二相同，就证明双向可控硅是好的。图2 判断双向可控硅的触发导通能力应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。2.双向可控硅参数符号IT(AV)-通态平均电流VRRM-反向反复峰值电压IDRM-断态重复峰值电流ITSM-通态一个周波不反复浪涌电流VTM-通态峰值电压IGT-门极触发电流VGT-门极触发电压IH-维持电流dv/dt-断态电压临界上升率di/dt-通态电流临界上升率Rthjc-结壳热阻VI

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