第1A章 基本半导体分立器件

1、第第 1 1 章章基本半导体分立器件基本半导体分立器件 本章点睛本章点睛 各种基本电子各种基本电子 器件器件 能完成某种能完成某种 功能的电子功能的电子 电路电路 复杂的电子复杂的电子 电路系统电路系统 电子技术电子技术尹常永主编尹常永主编 问题1：这一章要学什么呢? 问题2：“分立”是什么意思？ 问题3：顾名思义，半导体器件一定是由半 导体材料制成的，为什么其他材料，比如 说导体不能作为构成电子器件的主要材料 呢？ 在进行本章的学习之前，先来看看下面 的3个问题。 退出退出 二极管二极管 半导体基础知识与半导体基础知识与PN结结 晶体管晶体管 场效应管场效应管 本章小结本章小结 退出退出 1

2、.1 半导体基础知识与半导体基础知识与PNPN结结 主要要求：主要要求： 了解了解半导体半导体材料的基本知识材料的基本知识 理解关于理解关于半导体半导体的基本概念的基本概念 理解理解PNPN结的形成结的形成 掌握掌握PNPN结的单向导电作用结的单向导电作用 退出退出 常用的半导体材料有常用的半导体材料有硅（硅（SiSi）和和锗（锗（GeGe），高纯度，高纯度 的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排 列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净 的、原子结构排列整齐的半导体称为的

3、、原子结构排列整齐的半导体称为本征本征半导体。半导体。 1.1.1 本征半导体本征半导体 硅和锗的硅和锗的 外层价电子都外层价电子都 是是4 4个，所以个，所以 都是都是4 4价价元素，元素， 右图是硅和锗右图是硅和锗 的原子结构示的原子结构示 意图。意图。 （a）硅原子结构）硅原子结构 （b）锗原子结构）锗原子结构 退出退出 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻 原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示：原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（热激发）价电子（热激发） 自由电子自由电子- -空穴对空穴对 （1 1

4、）温度越高，自由电子）温度越高，自由电子- -空穴空穴 对数目越多；对数目越多； （2 2）自由电子）自由电子- -空穴数目相等，空穴数目相等， 对外不显电性对外不显电性。硅（锗）原子在晶体中的共价键排列硅（锗）原子在晶体中的共价键排列 复合复合 平衡平衡 1.1.本征激发与复合本征激发与复合 退出退出 2.2.自由电子运动与空穴运动自由电子运动与空穴运动 I=In（电子电流）（电子电流）+Ip（空穴电流（空穴电流） IN IP 外电路中的电流外电路中的电流 I 退出退出 本征半导体实际使用价值不大，但如本征半导体实际使用价值不大，但如 果在本征半导体中果在本征半导体中掺入微量某种杂质元素掺入

5、微量某种杂质元素， 就形成了广泛用来制造半导体元器件的就形成了广泛用来制造半导体元器件的N N型型 和和P P型型半导体。半导体。 1.1.2杂质半导体杂质半导体 根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为 N型半导体型半导体 P型半导体型半导体 退出退出 （1）N型半导体型半导体杂质为少量杂质为少量5价元素，如磷（价元素，如磷（P）；）； （2） P型半导体型半导体杂质为少量杂质为少量3价元素，如硼（价元素，如硼（B）。）。 1.1.2杂质半导体杂质半导体 N 型型 磷原子磷原子 自由电子自由电子 自由电子自由电子多多数载流数载流子子 空穴空穴少少数载流数载流子

6、子 载流子数载流子数 电子数电子数 P 型型 硼原子硼原子 空穴空穴 空穴空穴 多子多子 自由电子自由电子 少子少子 载流子数载流子数 空穴数空穴数 退出退出 注意：注意： 无论是无论是N型还是型还是P型半导体都是电型半导体都是电 中性，对外不显电性！中性，对外不显电性！ 退出退出 1.1.3 PN结形成与单向导电性结形成与单向导电性 什么是什么是PNPN结？结？ PNPN结是结是P P型与型与N N型半导体区域交界处的特殊带电薄层，型半导体区域交界处的特殊带电薄层， 具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。 退出退出 1.1.3

7、 PN结形成与单向导电性结形成与单向导电性 载流子载流子 浓度差浓度差 复复 合合 (耗尽层耗尽层) 内电场内电场 阻碍阻碍多子扩散多子扩散 帮助帮助少子漂移少子漂移 扩散扩散 漂移漂移 动态动态 平衡平衡 注意：动态平衡的注意：动态平衡的PN结交界面上无电流流过，即结交界面上无电流流过，即 I = 0。 内电场内电场 PNPN结的形成结的形成 多多 子子 扩扩 散散 空间空间 电荷电荷 区区 平衡平衡 PN结结 P 区区 N 区区 1.1.3 PN结形成与特性结形成与特性 （1 1）PNPN结的正向导通特性结的正向导通特性正偏导通（正偏导通（P P区电位高于区电位高于N N区）区） 内电场内

8、电场外电场外电场 所以，正偏时扩散运所以，正偏时扩散运 动增强，漂移运动几乎减动增强，漂移运动几乎减 小为小为0 0，宏观上形成很大的，宏观上形成很大的 正向电流正向电流 I IF F 。 外电场越强，正向 外电场越强，正向 电流越大，电流越大，PNPN结的正向电结的正向电 阻越小。阻越小。 P区区 N区区 多子空穴多子空穴多子自由电子多子自由电子 正向电流正向电流IF + U R 退出退出 + U R 1.1.3 PN结形成与特性结形成与特性 （2 2）PNPN结的反向截止特性结的反向截止特性反偏截止（反偏截止（P P区电位低于区电位低于N N区）区） P区区N区区 少子自由电子少子自由电子

9、 少子空穴少子空穴 反向电流反向电流IR 内电场内电场 外电场外电场 所以，反偏时漂移运所以，反偏时漂移运 动增强，扩散运动几乎减动增强，扩散运动几乎减 小为小为0 0，由于少子数目较少，由于少子数目较少， 宏观上形成极小的反向电宏观上形成极小的反向电 流流I IR R （接近于 （接近于0 0） 。 。 外电场增强，反向 外电场增强，反向 电流也几乎不增加，电流也几乎不增加，PNPN结结 的反向电阻很大。的反向电阻很大。 退出退出 1.1.3 PN结形成与特性结形成与特性 要记住：要记住： （1）外加正向电压时）外加正向电压时PN结的正向电阻结的正向电阻 很小，电流较大，是多子扩散形成的；很

10、小，电流较大，是多子扩散形成的； （2）外加反向电压时）外加反向电压时PN结的反向电阻结的反向电阻 很大，电流极小，是少子漂移形成的。很大，电流极小，是少子漂移形成的。 要注意：要注意： PN结电路中要串联限流电阻。结电路中要串联限流电阻。 退出退出 退出退出 1.2 二极管二极管 主要要求：主要要求： 了解了解半导体二极管的结构、类型、特性与参数半导体二极管的结构、类型、特性与参数 掌握半导体二极管在电子技术中的应用掌握半导体二极管在电子技术中的应用 退出退出 1.2.1 二极管概述二极管概述 一个一个PNPN结加上相应的外引线，然后用外壳封装结加上相应的外引线，然后用外壳封装 就成为最简单

11、的二极管了，其中，从就成为最简单的二极管了，其中，从P P区引出的引区引出的引 线叫做阳极或正极、从线叫做阳极或正极、从N N区引出的引线叫做阴极或区引出的引线叫做阴极或 负极。负极。 常用常用D D （DiodeDiode）表示二极管。）表示二极管。 图中的箭头表示正偏时图中的箭头表示正偏时 的正向电流方向。的正向电流方向。 退出退出 1.1. 二极管的符号与常见外形二极管的符号与常见外形 分类：分类： 按材料分按材料分 硅二极管硅二极管 锗二极管锗二极管 按结构分按结构分 点接触型点接触型 面接触型面接触型 点接触型点接触型 金属触丝金属触丝 N 型锗型锗 P型层型层 阳极阳极 阴极阴极

12、面接触型面接触型 P型扩散层型扩散层锡锡 支架支架 N型硅型硅 SiO2保护层保护层 阴极阴极 阳极阳极 1. 1. 常见二极管的外形常见二极管的外形 2 . 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 半导体二极管的内部就是一个半导体二极管的内部就是一个PNPN结，因此二极管具有和结，因此二极管具有和 PNPN结相同的单向导电性，实际的二极管伏安特性曲线如下结相同的单向导电性，实际的二极管伏安特性曲线如下 图所示：图所示： u/V i/mA 正向特性正向特性 死区死区 电压电压 反向特性反向特性 IS 0 A 击穿击穿 电压电压 击穿特性击穿特性 反向反向 电流电流 硅管硅管2CP12 锗管锗管2AP

13、9 退出退出 3. 二极管的特性与参数二极管的特性与参数 PN 结的正向和反向电流与外加电压的关系结的正向和反向电流与外加电压的关系 可以用公式表示为：可以用公式表示为： ) 1( T U/ U S eII 反向饱反向饱 和电流和电流 温度的电压当量，常温下温度的电压当量，常温下： UT = 26 mV 当当U0时为正向特性；当时为正向特性；当U0时为反向特性。时为反向特性。 退出退出 3. 二极管的特性与参数二极管的特性与参数 2.2.二极管的主要参数二极管的主要参数 （1 1）最大整流电流）最大整流电流I IF F 指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。指二极管长期工作时允许通过

14、的最大正向平均电流值。 （2 2）最高反向工作电压）最高反向工作电压U UBR BR 指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，U UBR BR 通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。 （3 3）反向电流）反向电流I IR R 在常温下和规定的反偏电压下的反向电流。在常温下和规定的反偏电压下的反向电流。 退出退出 1.2.2 稳压二极管稳压二极管 【相关链接】稳压二极管的温度特性 1.2.3 发光二极管发光二极管 1. 1. 发光二极管的符号及特性发光二极管的符号及特性 发光二极管是一种将电能直接转

15、换成光能的固体器件，发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件， 简称简称LEDLED（L Light ight E Emitting mitting D Diodeiode）。）。 和普通二极管相和普通二极管相 似，似，LEDLED也是由一个也是由一个PNPN 结组成的，当正向导结组成的，当正向导 通时可以发出一定波通时可以发出一定波 长的可见光，常有长的可见光，常有红、红、 绿、黄绿、黄等颜色。等颜色。 也有可以发出也有可以发出红外光红外光等不可见光的发光二极管。等不可见光的发光二极管。 退出退出 1.2.3 发光二极管发光二极管 发光二极管具有驱动电压低、工作电流小、具有发光二极管具

16、有驱动电压低、工作电流小、具有 很强的抗振动和抗冲击能力、体积小、可靠性高、很强的抗振动和抗冲击能力、体积小、可靠性高、 耗电省和寿命长等优点，广泛应用于信号指示等电耗电省和寿命长等优点，广泛应用于信号指示等电 路中。路中。 一般一般LEDLED的工作电流为的工作电流为几十几十 mAmA，正向导通压降，正向导通压降 为为（1.5 1.5 3) V3) V，安全使用电压应选择安全使用电压应选择5V5V以下。以下。 退出退出 1.2.3 发光二极管发光二极管 （a a）反偏）反偏 （b b）正偏）正偏 1.2.4 二极管的应用电路举例二极管的应用电路举例 二极管是电子电路中常用的半导体器件， 利用

17、其单向导电性和正向压降很小的特点，可应 用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保 护等各项工作。 1.1.整流应用整流应用 整流就是利用二极管的单向导电特性将交流电变成单 方向脉动的直流电的过程，这部分内容将在第6章作详细 介绍。 退出退出 1.2.4 二极管的应用电路举例二极管的应用电路举例 2. 2. 限幅限幅 利用二极管正向导通后两端电压很小且基本不变的特利用二极管正向导通后两端电压很小且基本不变的特 性可以构成各种限幅电路，使输出电压限制在某一电压值性可以构成各种限幅电路，使输出电压限制在某一电压值 以内。下图为一正、负对称限幅电路以内。下图为一正、负对称限幅电路:u:ui i=5s

18、in=5sint t（V V），）， U US1 S1=U =US2 S2=3V =3V。可见，如忽略二极管正向导通压降，输出被限。可见，如忽略二极管正向导通压降，输出被限 制在大约制在大约3V3V之间。之间。 Ot uO/ V 3 3 -5 ui / V Ot 5 3 -3 退出退出 1.2.4 二极管的应用电路举例二极管的应用电路举例 3. 3. 稳压应用稳压应用 4. 4. 开关应用开关应用 退出退出 图1.2.8 光电耦合装置的应用 5光电转换与隔离光电转换与隔离 二极管的极性判别与性能二极管的极性判别与性能 测试测试: : （1 1）二极管的极性判别）二极管的极性判别 （2 2）性能

19、测试）性能测试 退出退出 1.3 晶体管晶体管 主要要求：主要要求： 了解了解半导体晶体管的结构、类型与参数半导体晶体管的结构、类型与参数 掌握半导体晶体管的电流分配关系掌握半导体晶体管的电流分配关系 掌握半导体晶体管的特性曲线的含义掌握半导体晶体管的特性曲线的含义 理解晶体管的放大作用理解晶体管的放大作用 了解复合晶体管的概念与意义了解复合晶体管的概念与意义 退出退出 晶体管的结构晶体管的结构 1.3.1 晶体管的结构和类型晶体管的结构和类型 N N P 发射极发射极 E 基极基极 B 集电极集电极 C 发射结发射结 集电结集电结 基区基区 NPN 型型 E C B 三区三区 三极三极 两结

20、两结 集电区集电区 基区基区 发射区发射区 集电极集电极 Collector 基极基极Base 发射极发射极Emitter 集电结集电结 发射结发射结 集电区集电区 发射区发射区 P P N PNP型型 常见三极管的外形与实物常见三极管的外形与实物 退出退出 下面以下面以NPNNPN管为例讨论晶体管的电流分配管为例讨论晶体管的电流分配 与放大作用，所得结论一样适用于与放大作用，所得结论一样适用于PNPPNP三极管。三极管。 1.3.2 晶体管的基本工作原理晶体管的基本工作原理 注意：晶体管放大的条件注意：晶体管放大的条件 内部内部 条件条件 发射区掺杂浓度发射区掺杂浓度 高高基区薄且掺杂浓度低

21、基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大集电结面积大 外部外部 条件条件 发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏 晶体管电流关系实验电路晶体管电流关系实验电路 1.晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系 1.晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 退出退出 晶体管电流分配和放大作用晶体管电流分配和放大作用 正偏使发正偏使发 射结射结 使集电结使集电结 反偏反偏 1.1.发射区向基区发射区向基区 发射电子，形成发射电子，形成 发射极电流发射极电流I IE E的的 主要成份。主要成份。 IE 2.2.基区中电子的基区中电子的 复合形成基极电复合形成基极电

22、流流I IB B的主要成份。的主要成份。 IB 3.3.集电区收集电集电区收集电 子形成集电极电子形成集电极电 流流I IC C的主要成份。的主要成份。 IC 退出退出 综上所述，得到三极管的电流分配关系综上所述，得到三极管的电流分配关系： （1 1）I IE E=I=IC C+I+IB B （2 2）I IC C=I=IB B （3 3）I IE E=I=IC C+I+IB B = =（ （1+ 1+ ）I IB B I IC C 晶体管中还有一些少子电流，比如晶体管中还有一些少子电流，比如 I ICBO CBO ，通常可以忽略不计，但它们对温度十 ，通常可以忽略不计，但它们对温度十 分敏感

23、。分敏感。 退出退出 1.3.3 晶体管的特性曲线晶体管的特性曲线 晶体管有三个电极，因此，分别将三晶体管有三个电极，因此，分别将三 极管的三个电极作为输入端、输出端和公极管的三个电极作为输入端、输出端和公 共端，有三种不同的三极管电路的组成方共端，有三种不同的三极管电路的组成方 式。根据公共电极的不同，分别叫做共发式。根据公共电极的不同，分别叫做共发 射极电路、共集电极电路和共基极电路。射极电路、共集电极电路和共基极电路。 退出退出 1.3.3 三极管的特性曲线三极管的特性曲线 1. 1. 输入特性曲线输入特性曲线 常数常数 CE )( BEB u ufi uCE1V，集电结反，集电结反 偏

24、，电场足以将发射偏，电场足以将发射 区扩散到基区的载流区扩散到基区的载流 子吸收到集电区形成子吸收到集电区形成 IC， uCE 再增大曲线再增大曲线 也几乎不变也几乎不变 死区死区电压与电压与导通电压导通电压UBE 硅管分别约为硅管分别约为0.5V和和0.7V 锗管分别约为锗管分别约为0.1V和和0.3V （1）截止区）截止区iB=0曲线以曲线以 下的区域：下的区域： iC= ICEO 0，两结均反偏，两结均反偏， 三极管各电极电流均约等于三极管各电极电流均约等于0， 所以可以等效为断开的开关；所以可以等效为断开的开关； 退出退出 1.3.3 三极管的特性曲线三极管的特性曲线 2. 2. 输出

25、特性曲线输出特性曲线 常数常数 B )( CEC i ufi 放放 大大 区区 截止区截止区 ICEO 饱饱 和和 区区 （2）放大区）放大区在在iB=0的特的特 性曲线上方，近似平行于横性曲线上方，近似平行于横 轴的曲线族部分：轴的曲线族部分： iC基本不随基本不随uCE变化仅受变化仅受 iB控制，控制，iC=iB，发射结正偏、，发射结正偏、 集电结反偏，相当于受控电集电结反偏，相当于受控电 流源。流源。 uCE /V iC / mA 100 A 80 A 60 A 40 A 20 A IB = 0 O 2 4 6 8 10 25 20 15 10 5 （3）饱和区）饱和区输出特性曲输出特性

26、曲 线近似直线上升部分：线近似直线上升部分： 三极管饱和时管压降三极管饱和时管压降 uCE很小，叫做饱和压降很小，叫做饱和压降uCES， 两结均正偏，相当于闭合开两结均正偏，相当于闭合开 关。关。 退出退出 1.3.4 三极管的主要参数三极管的主要参数 1.1.电流放大系数电流放大系数 交流电流放大系数交流电流放大系数 直流电流放大系数直流电流放大系数 交流、直流电流放大系数的意义不同，但在输出特性线交流、直流电流放大系数的意义不同，但在输出特性线 性良好的情况下，两个数值的性良好的情况下，两个数值的差别很小差别很小，一般不作严格区分。，一般不作严格区分。 常数 CE u i i B C I

27、I I II B C B CEOC 退出退出 1.3.4 三极管的主要参数三极管的主要参数 2.2.极间反向电流极间反向电流 集、基间反向饱和电流集、基间反向饱和电流I CBO 集、射间反向饱和电流集、射间反向饱和电流 （穿透电流（穿透电流） ICEO 测试电路测试电路I CBO 测试电路测试电路 ICEO 反向电流反向电流 受温度受温度 影响大影响大 越小越好越小越好 退出退出 1.3.4 三极管的主要参数三极管的主要参数 3.极限参数极限参数 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I CM 反向击穿电压反向击穿电压U (BR)CEO 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM 集电极

28、电流超集电极电流超 过一定数值时过一定数值时 要下降 要下降 击穿时三极击穿时三极 管电流急剧管电流急剧 增大，会使增大，会使 三极管损坏三极管损坏 功耗过高会烧毁三极管功耗过高会烧毁三极管 PuiPCMCECC 3.3.极限参数极限参数 和和 4.4.温度对晶体管参数的影响温度对晶体管参数的影响 晶体管受温度影响较大的参数是晶体管受温度影响较大的参数是 ICBO ICEO 1.3.5 晶体管在电子技术的应用晶体管在电子技术的应用 1.1.放大应用放大应用 2.2.开关应用开关应用 （a a）开关电路（）开关电路（b b）截止时的等效电路（）截止时的等效电路（c c）饱和时的等效电路）饱和时的

29、等效电路 【相关链接】你会用万用表对三极管的电极与性能进行简单的测试吗？【相关链接】你会用万用表对三极管的电极与性能进行简单的测试吗？ 退出退出 1.4 场效晶体管场效晶体管 主要要求：主要要求： 了解了解场效应管的结构、特点场效应管的结构、特点 了解场效应管的原理、特性曲线与参数了解场效应管的原理、特性曲线与参数 场效应管是一种利用 场效应管是一种利用电场效应电场效应来控制其电流来控制其电流 大小的半导体三极管，是利用一种载流子导电的大小的半导体三极管，是利用一种载流子导电的 单极型单极型器件。器件。 特点特点：具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、：具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、 抗辐

30、射能力强、耗电省等优点，制作工艺简单、抗辐射能力强、耗电省等优点，制作工艺简单、 便于集成。便于集成。 退出退出 1. 1. N N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFETMOSFET的结构的结构 ( (M Mental ental O Oxide xide S Semiconductor emiconductor F Field ield E Effect ffect T Transistor)ransistor) 1.4.1 绝缘栅场效应管的原理和特性绝缘栅场效应管的原理和特性 P P 型硅衬底型硅衬底 S 源极源极 Source G 栅极栅极 Gate D 漏极漏极

31、Drain D SG SiOSiO2 2绝缘体绝缘体 金属铝金属铝 N N沟道沟道 D G S 还有多种其他类型的场效应管，比如还有多种其他类型的场效应管，比如 这是这是P P沟道耗尽型场效应管的符号沟道耗尽型场效应管的符号： 退出退出 1.4.1 绝缘栅场效应管的原理和特性绝缘栅场效应管的原理和特性 2.2.场效晶体管的电压控制作用场效晶体管的电压控制作用 1 1）MOSMOS管的栅极是绝缘的，因此管子的输入电阻可达管的栅极是绝缘的，因此管子的输入电阻可达10101010欧欧 姆以上，故姆以上，故i iG0G0。所以和三极管不同的是：场效应管不是。所以和三极管不同的是：场效应管不是 用栅极电

32、流来控制漏极输出电流的，而是利用输入栅源电压用栅极电流来控制漏极输出电流的，而是利用输入栅源电压 U UGS GS来控制漏极输出电流 来控制漏极输出电流I ID D，是电压控制器件；，是电压控制器件； 2 2）和三极管的类似的参数是低频跨导）和三极管的类似的参数是低频跨导 3 3）在场效应管的放大作用中，少子并不参与控制作用，）在场效应管的放大作用中，少子并不参与控制作用， 是单极型器件是单极型器件 退出退出 1.4.1 绝缘栅场效应管的原理和特性绝缘栅场效应管的原理和特性 3. 3. 增强型增强型NMOSNMOS管的特性曲线管的特性曲线 （1 1）转移特性曲线）转移特性曲线 （2 2）漏极特

33、性曲线）漏极特性曲线 常数 DS GSD u )u(fi 常数 GS DSD u )u(fi 退出退出 1.4.2 场效应管的主要参数场效应管的主要参数 常数 DS u i GS D m g u 1. 1. 开启电压开启电压当当u uDS DS为常数时，有沟道将漏、源极连接 为常数时，有沟道将漏、源极连接 起来的最小起来的最小| |u uGS GS| |值，称开启电压。 值，称开启电压。 2. 2. 低频跨导低频跨导g gm mu uDS DS为定值时， 为定值时，i iD D的变化量与引起该变化的变化量与引起该变化 的的u uGS GS的变化量的比值，它代表了场效应管的电压控制能力， 的变化量的比值，它代表了场效应管的电压控制能力， 即即 3.3.漏源击穿电压漏源击穿电压U U（ （BRBR）DSDS 4. 4.