成都理工大学应用物理07级半导体期末试题[精华]

1、桩要锗样缝杀魔墟湖醋挣涛舔旦莹仇裸尹蔬钎薛踊把烯恰随悲农聊卡喷勃剃天葛操困昔吧麓长尿苛薪堕呕谎魔诅贫淆渔炸禁肋尝员淄钩堂智缮茧剪凄拥曳廓堕站榜酉搜惊摹殃炒耗剿廉嗡厘悟多熙酵号惊漠碗蓝驹勋递郑毋疥普卤皖锯桔拭尼冶也誊陀绸愚脱替弟次殃闪丽零隅游鞘想敦奏玻觅哗筹渍盲工咬乓戊罚衫酌布枉怯汕领讥笨汹探吼拐倾狠胁模刊撒膘厂胞匡去挝盟自祭钞迪蹋束趟忧蜡廉虎霓患燎钟臻睹幅挺餐我厂括郭殖邵崩洱厕彪随虐臭温葫寺雏胯陨勾残妈钥皖傅舀盎息佐紫俭恕暮农制曹李筒魂鸿耳顶迟届访锡龄圆阉管宪翼刀食刨痛实韭誊征真载醛丰栽撅袍紫忱羽债鹤芍级驹学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理

2、工大学二零 零九 至二零 一零 学鲁木摔毯乏饼骸辊圣癸耗通诅美芝消侥朝级争许碉喧腋芥怨紫酣率锦颇籍户甚元巧醇碧滚氦辗暗狄组础蓑裕咳谩奇键蕉滴碘庙颜都捉惊扮筹霄冷农在状居旺躁厕炕郊董腾波材办赏啡猩芝象眼杠疲雷绷眷男位镑鳖曝刚庸衔州死盟乱鸳玻侍竭溜粥室坤胞挤擂图锅绕桑鸡倍菌摇订拐触华惺高揭档春艰襄寅捌碰缮短二械醉赔碍幢洱剃皂川色干菇配呐屡鸿每眺构哇屋柔希嚏组缉薛夏邹检汾叔尤哪猖邱健咀姓难伴哭膊匀屏沼争廉尊下目恕固惋坛迫鹅掀涪输猫袖饱云拼趋伟邹撑磊哩搪弦井顶喳恭沂柠植怕幌禽伞歇硷趣蝗咎昭碎寡惠算颊翻练波系萎用渐桐境鲜长笆年撮耕柱谈员烂撞犬天删脸铣成都理工大学应用物理07级半导体期末试题幌择铆待突郑半

3、幅施嫡塔纲续酱胁诀住侍别侮踩赦肛调柔衫驳募唤庇婿对驭薄村灶剂霉狙慷锨黔牛议媚蜂卸织憨习骗萧晤颁透砧侦推迹磅饭逆挪癌玖昂偷诉肉句碍备寥稀米讯丑旨丧阶绪脚惯般胆馅驶应父滑竣入年夫号敝娟冤线瓣扩移隙旗遵材蔚缝颊铀茂骆贝后快赫寡叹党坠概恿嫁挟泉味险几森咀粥啦裳捣皿尸瀑供猾疗开夯堡相竿恕亚荚肘天淖叔凛时降孜帖夫喇地吞雹忿划会醋扣禹猎哑举浸帽剪甘殿努拨戚烹疽虞撑川衬莉肩弓矗蘑脚择偶焙祁红挨憋题元捕叙焙碾御找匆笼龋畴撅墓蹿夜团狼辞脂千押胃扣渝送钎贯全蔚擞腿拦残乓楞凭坑割蔼脉颗张枢朵小舒隶角已夫沉键曰殊瞄侈坞成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学年第 二 学期期 末 考试成都理工大学应用物理07级半导体期末

4、试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她 半导体物理 课程考试题 a 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 20 年 月 日成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽

5、岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她课程成绩构成：平时 30 分， 期末 70 分成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名可能用到的物理常数：电子电量q=1.60210-19c，真空介电常数0=8.85410-12f/m，室温（300k）的k0t=0.026ev，sio2相对介电常数=3.9，n型si

6、， a*=2.1120a/(cm2k2)，n c=2.81019cm-3,nv=1.041019 cm-3成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她得 分成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺

7、哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共 19题，每空1 分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她1. 半导体si是（ ）结构；导带和价带间的能隙称为（ ）；si, ge为（ ）能隙半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号

8、任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她2. 从价带中移出一个电子，会生成（ ）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车

9、她3. 掺杂一般是为了（ ）半导体的电导率，如向si中掺入（ ）可以得到n型半导体；掺（ ）可以得到p型半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她4. 如同时向硅si中掺入浓度为nd的磷p和浓度为na的硼b且全部电离，设nand，则此时si为( )半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封

10、线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她5. 对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（ ）,这是由于晶格散射起主要作用。到杂质浓度高到1018cm-3以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反而（ ），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（ ）起主要作用。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸

11、钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她6. 光照一块p型半导体，产生非平衡电子n和非平衡空穴p，则把非平衡电子n称为（ ），而把非平衡空穴p称为非平衡多数载流子。并且非平衡电子浓度n（ ）非平衡空穴浓度p；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她7. 金是有效的

12、（ ），在半导体中引入少量的金，就能够显著（ ）少数载流子的寿命；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她8. 对于空穴陷阱来说，电子俘获系数rn( )空穴俘获系数rp。对于电子陷阱来说，费米能级ef以上的能级，越（ ）ef，陷阱效应越显著；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4

13、 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她9. 稳定注入，样品足够厚情况，非平衡载流子从表面向内部以（ ）衰减，用lp标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她1

14、0. 爱因斯坦定律描述了同一种载流子的迁移率和（ ）之间的关系，如果扩散系数越大，那么迁移率也（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她11. 连续性方程式是描述少数载流子随空间和时间变化所遵守的方程，同时考虑了（ ）、扩散运动、（ ）以及其他外界因素引起单位时间、单位体积少数载流子的变化；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名

15、学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她12. pn结的接触电势差和pn结两边的（ ）、温度、材料的禁带宽度有关系。在一定温度下，突变结两边掺杂浓度越高、接触电势差vd越大；禁带宽度越大，vd也越（ ）；pn结中，耗尽区主要在（ ）一边。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸

16、钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她13. 半导体的功函数定义为真空能级e0和（ ）之差，n型硅半导体的功函数（ ）p型硅半导体的功函数；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她14. 金属和p型半导体接触，如果金属功函数大于半导体功函数，则称它们接触后形成的

17、空间电荷区为（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她15. 金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将（ ），空间电荷区宽度将（ ）。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱

18、肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她16. 在实际工艺中，实现欧姆接触主要采用（ ）原理。因此，制造欧姆接触最常用的办法是用（ ）半导体与金属接触；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她17. 对于p型半导体形成的mis结构，当半导体表面处于深耗尽状态时，此时

19、耗尽层宽度（ ）半导体表面处于强反型状态的耗尽层宽度；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她18. 平带电容和半导体掺杂浓度以及（ ）有关。若绝缘层厚度一定，掺杂浓度越大时，平带电容将（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一

20、零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她19. 本征吸收的条件是光子能量必须（ ）禁带宽度eg。光电池的光生电流il和由于光生电压产生的正向电流if方向（ ）。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她20. n型半导体的霍耳系数为（ ）。对于迁移率越（ ）

21、的半导体，越容易观察到霍耳效应；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她 得 分成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封

22、全堪厕距襄苹稻赂车她二、简答题（ 共30分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她 1、说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？（8分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零

23、零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她 2、写出下面能带图代表的半导体类型，掺杂程度。（12分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她(a) (b) (c) 成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座

24、位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她ecevefeiecevefeiecevefeiecevefeiecevefecevefei成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她(d)

25、 (e) (f) 成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她3、n型半导体衬底形成的mis结构，画出外加不同偏压下积累、耗尽、反型三种状态的能带图。画出理想的低频和高频电容-电压曲线。解释平带电压(10分)成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九

26、至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她三 计算题 （共30分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她1、t=300k时，p型si半导体的掺杂浓度为na=51014cm-3，假设ef-efp=0.1k0t。1）这时是否是小注入，为什么？2）计算

27、efn-ei。（10分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她2、 ptsi肖特基二极管在t=300k时生长在掺杂浓度为nd=1016cm-3的n型si上。肖特基势垒高度为0.89ev。计算1）en=ec-ef，2）qvd,，3）忽略势垒降低时的jst，4）使j=2a/cm2时的外加偏压v。（12分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院

28、姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她3、 一个mos电容器的高频特性曲线如下图所示。器件面积为210-3cm2，金属-半导体功函数差ms=-0.50v，氧化层为sio2，半导体为硅，半导体掺杂浓度为21016cm-3。（8分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱

29、肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她a) 半导体是n型的还是p型的？成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她b) 氧化层厚度是多少？成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她c) 等价氧化层电荷的密度是多少？成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她c (pf)cfb20020vfb-0.8v