数字电路基础 -阎石第五版-第3章

1、 本章总的要求：本章总的要求： 熟练掌握熟练掌握TTLTTL和和CMOSCMOS集成门电路输集成门电路输 出与输入间的逻辑关系、外部电气特出与输入间的逻辑关系、外部电气特 性，包括电压传输特性、输入特性、性，包括电压传输特性、输入特性、 输出特性和动态特性等；掌握各类集输出特性和动态特性等；掌握各类集 成电子器件正确的使用方法。成电子器件正确的使用方法。 重点：重点： TTLTTL电路与电路与CMOSCMOS电路的结构与特点电路的结构与特点. . 3.1 概述概述 门电路是用以实现逻辑运算的电子电路，与已 经讲过的逻辑运算相对应。常用的门电路在逻辑功 能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与

2、或 非门、异或门等。 正逻辑正逻辑：高电平表示逻辑：高电平表示逻辑1 1、低电平表示逻辑、低电平表示逻辑0 0。 负逻辑负逻辑：高电平表示逻辑：高电平表示逻辑0 0、低电平表示逻辑、低电平表示逻辑1 1。 获得高、低电平的基本方法获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的：利用半导体开关元件的 导通导通、截止截止（即开、关）两种工作状态。（即开、关）两种工作状态。 3.2 半导体二极管门电路半导体二极管门电路 3.2.1 半导体二极管的开关特性 IF 0.5 0.7 iD(mA) u D(V) 伏安特性 U BR 0 Ui0.5V时，二时，二 极管导通。极管导通。 Ui0时时 vGS足够大

3、时足够大时 （vGSVGS(th)），）， 形成电场形成电场GB,把把 衬底中的电子吸引衬底中的电子吸引 到上表面，除复合到上表面，除复合 外，剩余的电子在外，剩余的电子在 上表面形成了上表面形成了N型型 层（反型层）为层（反型层）为D、 S间的导通提供了间的导通提供了 通道。通道。 VGS(th)称为阈值电压称为阈值电压(开启电压）开启电压） 源极与源极与 衬底接衬底接 在一起在一起 N沟道沟道 可以通过改变可以通过改变vGS的大小来控制的大小来控制iD的大小。的大小。 二、MOS管的输入、输出特性管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧对于共源极接法的电路，栅极和衬底

4、之间被二氧 化硅绝缘层隔离，所以化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零栅极电流为零。 输出特性曲线输出特性曲线 （漏极特性曲线）（漏极特性曲线） 夹断区（截止区） 用途：做无触点的、断开状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 )(thGSGS vv 0 D i特点： 可变电阻区 特点特点: :(1)(1)当vGS 为定值 时,iD 是 vDS 的线性函数， 管子的漏源间呈现为线 性电阻，且其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。 用途：用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的 电子开关。 条件：源端与漏端沟 道都不夹断 恒流恒流区： (又称饱和区或放大区）又称饱和区或放大区） 特点特点

5、:(1)受控性：受控性： 输入电压输入电压 vGS控制输出电流控制输出电流 2 )( 1 thGS GS DSD V v Ii (2)恒流性：恒流性：输出电流输出电流iD 基本上不受输出电压基本上不受输出电压vDS的影响。的影响。 条件条件:(1)源端沟道未夹断源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断漏端沟道予夹断 用途用途:可做可做放大器放大器和和恒流源恒流源。 三、MOS管的基本开关电路管的基本开关电路 当当vI=vGSVGS(th)且且vI继续升高时，继续升高时，MOS管工作在可变管工作在可变 电阻区。电阻区。MOS管导通内阻管导通内阻RON很小，很小，D-S间相当于闭合间相当于闭合 的开关

6、的开关,vO0。 四、MOS管的四种基本类型管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型沟道耗尽型 G S D N沟道增强型沟道增强型 G S D P 沟道增强型沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。在数字电路中，多采用增强型。 3.3.2 CMOS反相器工作原理 PMOS管管 NMOS管管 CMOS电路电路 VDD T1 T2 vIvO 一、电路结构一、电路结构 当当NMOS管和管和PMOS管成对出现在电路中，管成对出现在电路中， 且二者在工作中互补，称为且二者在工作中互补，称为CMOS管管(意为互补意为互补)。 VDD TP TN vIvO vI=0

7、 截止截止 vo=“” 导导 通通 vI=1 VDD T1 T2 vIvO 导通导通 vo=“” 截止截止 静态下，无论静态下，无论vI是高电平还是低电平，是高电平还是低电平，T1、T2总有总有 一个截止，因此一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。反相器的静态功耗极小。 二、电压传输特性和电流传输特性二、电压传输特性和电流传输特性 电 压 传 输 特 性 阈值电压阈值电压VTH T1导通T2截止 T2导通T1截止 T1T2同时导通 电 流 传 输 特 性 T2截止 T1截止 CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。 (max)(max)OLILNL VVV 输入低电平时噪

8、声容限：输入低电平时噪声容限： 在保证输出高、低电在保证输出高、低电 平基本不变的条件下平基本不变的条件下,输入输入 电平的允许波动范围称为电平的允许波动范围称为 输入端噪声容限输入端噪声容限。 (min)(min)IHOHNH VVV 输入高电平时噪声容限：输入高电平时噪声容限： 三、输入端噪声容限三、输入端噪声容限 噪声容限衡量门电路的噪声容限衡量门电路的抗干扰能力。抗干扰能力。 噪声容限越大，表明电路抗干扰能力越强。噪声容限越大，表明电路抗干扰能力越强。 测试表明：测试表明：CMOS电路噪声容限电路噪声容限 VNH=VNL30VDD，且随，且随VDD的增加而加大。的增加而加大。 因为因为

9、MOS管的栅极和衬底之间存在着以管的栅极和衬底之间存在着以SiO2 为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被 击穿，所以应采取保护措施。击穿，所以应采取保护措施。 3.3.3 CMOS反相器的静态输入输出特性 一、输入特性一、输入特性 iI (mA) -0.7 0VDD + 0.7 vI (V) 在正常的输入信号范围内，在正常的输入信号范围内， 即即0.7V vI (VDD+0.7)V时输时输 入电流入电流iI 0。(因为因为CMOS门电门电 路的路的GS间有一层绝缘的间有一层绝缘的SiO2薄薄 层。层。) 在在0.7V (VDD+0.7)V以外的以

10、外的 区域，区域， iI从零开始增大，并随从零开始增大，并随 vI增加急剧上升，原因是保护增加急剧上升，原因是保护 电路中的二极管已进入导通状电路中的二极管已进入导通状 态。态。 注意：注意：由于门电路输入端的由于门电路输入端的 绝缘层使输入的阻抗极高，绝缘层使输入的阻抗极高， 若有静电感应会在悬空的输若有静电感应会在悬空的输 入端产生不定的电位，故入端产生不定的电位，故 CMOSCMOS门电路的输入端不允许门电路的输入端不允许 悬空悬空。 二、输出特性二、输出特性 低电平输出特性低电平输出特性 高电平输出特性高电平输出特性 VOL0 VOHVDD 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传

11、输延迟时间一、传输延迟时间 t vi o t vo o 50% 50% tpdHL tpdLH 平均传输时间平均传输时间 )( 2 1 pHLpLHpd ttt 二、交流噪声容限二、交流噪声容限 噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容 限越大。限越大。 三、动态功耗三、动态功耗 反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过 程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。 动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率PC和和 PM

12、OS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。 在工作频率较高的情况下，在工作频率较高的情况下，CMOS反相器的动态功耗反相器的动态功耗 要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。 3.3.5 其他类型CMOS门电路 1. 与与 非非 门门 )(BAY 一、其他逻辑功能的一、其他逻辑功能的CMOS门电路门电路 任一输入端为低，设任一输入端为低，设vA=0 vA=0 断开断开 导通导通 vO=1 输入全为高电平输入全为高电平 vA=1 vB=1 导通导通 断开断开 vO=0 2.或非门或非门 )(BAY 任一输入端为高，设任一输

13、入端为高，设vA=1 vA=1 导通导通 断开断开 vO=0 输入端全为低输入端全为低 vA=0 vB=0 断开断开 导通导通 vO=1 3. 带缓冲级的带缓冲级的CMOS门电路门电路 )()( BABAY )()( BABAY 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及 电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的 转折区也变得更陡。转折区也变得更陡。 二、漏极开路输出门电路（二、漏极开路输出门电路（OD门）门） 为什么需要为什么需要OD门？门？ 普通与非门输出不能普通与非门输出不能 直

14、接连在一起实现直接连在一起实现“线与线与”！ A B Y C D )()( CDABY 1 0 产产 生生 一一 个个 很很 大大 的的 电电 流流 需将一个需将一个MOS管的漏极开路构成管的漏极开路构成OD门。门。 需加一上 拉电阻 )(BAY A B Y OD输出与非门的逻辑符号及函数式输出与非门的逻辑符号及函数式 ODOD门输出端可直接连接实现线与。门输出端可直接连接实现线与。 )( )()( 21 CDAB CDABYYY A B Y C D VDD RL RL的选择：的选择： (max)L IHOH OHDD L R mInI VV R IOH IIH n个m个 OHLIHOHDD

15、VRmInIV)( VDD VIL VIL VIL RL VOH n是并联是并联OD门的数目，门的数目，m是负载门电路高电平输入电流的数目。是负载门电路高电平输入电流的数目。 VIH VIL VIL VDD RL VOL m个 IOL IIL (max) / )( OLILLOLDD IImRVV (min) (max) | L ILOL OLDD L R ImI VV R 例例3.3.2 m是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为 CMOS门电路的情况下，门电路的情况下，m和和m相等。相等。 C0、 ，即，即C 端为低电平（端为低电平（0V）、

16、）、 端为高电平端为高电平 （VDD）时，）时， T1和和T2都不具备开启条件而截止，输都不具备开启条件而截止，输 入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。 1C C 三、三、CMOS传输门传输门 C1、 ，即，即C 端为端为 高电平（高电平（VDD）、）、 端为端为 低电平（低电平（0V）时，）时，T1和和T2至至 少有一个导通，输入和输出少有一个导通，输入和输出 之间相当于开关接通一样，之间相当于开关接通一样， 呈低阻态，呈低阻态，vovi 。 0C C TG1 TG2 A B Y A=1、B=0时，时，TG1截止，截止，TG2导通，导通，Y=B

17、 =1; TG1 TG2 A B Y A=0、B=1时，时，TG2截止，截止，TG1导通，导通，Y=B =1; TG1 TG2 A B Y A=0、B=0时，时，TG2截止，截止，TG1导通，导通，Y=B =0; TG1 TG2 A B Y A=1、B=1时，时，TG1截止，截止，TG2导通，导通，Y=B =0; BAY 双向模拟开关双向模拟开关 1NE , G4输出高电平，输出高电平，G5输出低电平，输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈同时截止，输出呈高阻态高阻态； 四、三态门四、三态门 A Y EN 逻辑符号逻辑符号 10 1 1 0 0NE AY A Y EN 逻辑符号逻辑符号 0

18、1 0 1 1 10 若若A=1，则，则G4、G5输出均为高电平，输出均为高电平，T1截止、截止、T2导通，导通，Y=0； 若若A=0，则，则G4、G5输出均为低电平，输出均为低电平，T1导通、导通、T2截止，截止，Y=1； 0 0 01 A Y EN A Y EN 低电平有效低电平有效 ) 1( )0( NEZ NEA Y 高电平有效高电平有效 )0( ) 1( ENZ ENA Y 三态门有三种状态三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。高电平、低电平、高阻态。 3.3.6 CMOS电路的特点 CMOS电路的优点电路的优点 1. 静态功耗小。静态功耗小。 2. 允许电源电压范围宽允许电源电

19、压范围宽(3 18V）。）。 3. 扇出系数大，噪声容限大。扇出系数大，噪声容限大。 1 1输入电路的静电保护输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者电路的输入端设置了保护电路，给使用者 带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于 CMOS电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电 电压，从而击穿电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器管栅极极薄的绝缘层，造成器 件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点：件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点： CMOS电路的正确使用电路

20、的正确使用 （1 1）所有与）所有与CMOS电路直接接触的工具、仪电路直接接触的工具、仪 表等必须可靠接地。表等必须可靠接地。 （2 2）存储和运输）存储和运输CMOS电路，最好采用金属电路，最好采用金属 屏蔽层做包装材料。屏蔽层做包装材料。 2 2多余的输入端不能悬空。多余的输入端不能悬空。 输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，输入端悬空极易产生感应较高的静电电压， 造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按 功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联 使用。使用。 3输入电路需过流保护输入电路需过流保护

21、3.5 TTL门电路门电路 3.5.1 双极型三极管的开关特性 一、双极型三极管的结构一、双极型三极管的结构 B E C N N P 基极基极 发射极发射极 集电极集电极 B E C NPN型三极管型三极管 P N P 集电极集电极 基极基极 发射极发射极 B C E B E C PNP型三极管型三极管 二、双极型三极管的输入特性和输出特性二、双极型三极管的输入特性和输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 36912 IB=0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A IB( A) UBE(V) 20 40 60 80 0.40.8 输入特性曲线输入特性曲线输出特性曲

22、线输出特性曲线 开启电压开启电压 饱饱 和和 区区 截止区截止区 放大区放大区 三、双极型三极管的基本开关电路三、双极型三极管的基本开关电路 在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和饱和 和和截止截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。 三极管临界饱和三极管临界饱和 时的基极电流：时的基极电流： mA094. 0 mA 150 3 . 05 c CESCC BS R UV I ui=1V时，三极管导通，基极电流：时，三极管导通，基极电流： mA03. 0mA 10 7 . 01 b BEi B

23、R uu i uo=uCE=VCC-iCRc=5-0.03501=3.5V ui= =0.3V时，因为时，因为uBE 0.5V，iB=0=0，三极管工作在，三极管工作在 截止状态，截止状态，ic=0=0。因为。因为ic=0=0，所以输出电压：，所以输出电压： uo=VCC=5V 截止状态截止状态 ui=UIL0.5V uo=+VCC +VCC Rb Rc bc e mA094. 0 mA 150 3 . 05 c CESCC BS R UV I ui3V3V时，三极管导通，基极电流：时，三极管导通，基极电流： mA23. 0mA 10 7 . 03 B i uoUCES0.3V0.3V 三极管

24、饱和三极管饱和 饱和状态饱和状态 iBIBS ui=UIH uo=0.3V Rb Rc +VCC bc e 0.7V 0.3V 四、双极型三极管的开关等效电路四、双极型三极管的开关等效电路 开关等效电路开关等效电路 (1) 截止状态 条件：发射结反偏 特点：电流约为0 (2)饱和状态 条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅 三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时 ui t uo t +Vcc 0.3V 五、双极型三极管的动态开关特性五、双极型三极管的动态开关特性 BJTBJT的开关时间：的开关时间：是指是指BJTBJT管由管由截止到饱和截止到

25、饱和导通导通 或者由或者由饱和导通到截止饱和导通到截止所需要的时间。所需要的时间。 延迟时间延迟时间td从从+ +VB2加到集加到集 电极电流电极电流ic上升到上升到0.10.1ICS所需所需 要的时间；要的时间； 上升时间上升时间tric从从0.10.1ICS到到 0.90.9ICS所需要的时间；所需要的时间； 开通时间开通时间t ton on= =t td d+ +t tr r 就是建立基区电荷时间就是建立基区电荷时间 存储时间存储时间ts从输入信号降从输入信号降 到到- -VB1到到ic降到降到0.90.9ICS 所需要所需要 的时间；的时间； 下降时间下降时间tfic从从0.90.9I

26、CS降到降到 0.10.1ICS所需要的时间。所需要的时间。 关闭时间关闭时间toff=ts+tf就是就是 存储电荷消散的时间存储电荷消散的时间 加入加入VEE的目的是确的目的是确 保即使输入低电平信号稍大保即使输入低电平信号稍大 于零时，也能使三极管基极于零时，也能使三极管基极 为负电位，从而使三极管为负电位，从而使三极管 可靠截止，输出为高电平。可靠截止，输出为高电平。 AY 六、三极管反相器六、三极管反相器 A Y 集成门电路集成门电路 双极型双极型 TTL (Transistor-Transistor Logic Integrated Circuit , TTL) ECL NMOS C

27、MOS PMOS MOSMOS型型（M Metal-etal-O Oxide-xide- S Semiconductoremiconductor，MOSMOS） TTL 晶体管晶体管- -晶体管逻辑集成电路晶体管逻辑集成电路 MOS 金属氧化物半导体场效应管集成电路金属氧化物半导体场效应管集成电路 3.5.2 TTL反相器 输入级倒相级输出级 称为称为推拉式推拉式 电路电路或或图腾图腾 柱输出电路柱输出电路 一、一、TTL反相器的电路结构和工作原理反相器的电路结构和工作原理 1.输入为低电平（输入为低电平（0.2V）时）时 三个三个PN结结 导通需导通需2.1V 0.9V 不足以让不足以让 T

28、2、 、T5导通 导通 T2、T5截止截止 1.输入为低电平（输入为低电平（0.2V）时）时 vo vo=5vR2vbe4vD23.4V 输出输出高电平高电平 2.输入为高电平（输入为高电平（3.4V）时）时 电位被嵌电位被嵌 在在2.1V 全导通全导通 vB1=VIH+VON=4.1V 发射结反偏 1V 截止 T2、T5饱和导通饱和导通 2.输入为高电平（输入为高电平（3.4V）时）时 vo =VCE50.3V 输出低电平输出低电平 可见，无论输入如何，可见，无论输入如何，T4和和T5总是一管总是一管 导通而另一管截止。导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，这种推拉式工作方式，带负载能力很

29、强带负载能力很强。 AB段：段： vI0.6V, vB10.7V, vI1.4V, vI继继 续升高续升高,vo不不 再变化，保再变化，保 持低电平持低电平 0.3V。 （饱和区饱和区） 二、电压传输特性二、电压传输特性 输出高电平输出高电平VOH、输出低电平、输出低电平VOL VOH 2.4V VOL 0.4V 便认为合格。便认为合格。 典型值典型值VOH=3.4V VOL 0.3V 。 阈值电压阈值电压VTH(门槛电压门槛电压) vIVTH时，认为时，认为vI是高电平。是高电平。 VTH=1.4V OLILNL VVV 输入低电平时噪声容限：输入低电平时噪声容限： IHOHNH VVV 输

30、入高电平时噪声容限：输入高电平时噪声容限： 三、输入端噪声容限三、输入端噪声容限 一一.输入特性输入特性: 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 输入短路电输入短路电 流流IIS(IIL) 高电平输入电流高电平输入电流IIH 二二.输出特性输出特性 TTL反相器高电平输出特性反相器高电平输出特性 由于受到功耗的 限制手册上给出 的高电平输出电 流的最大值要比 5mA小得多。 74系列系列 IOH(max)=0.4mA 二二.输出特性输出特性 TTL反相器低电平输出特性反相器低电平输出特性 IOL(max) 前后级之间电流的联系前后级之间电流的联系 ？ 前级输出为前级输出为 高电平时

31、高电平时 前级（驱动门）前级（驱动门）后级（负载门）后级（负载门） 前级流出前级流出 电流电流I IOH OH （拉电流）（拉电流） 1 发射结反偏发射结反偏,输输 入电流入电流IIH很小很小 (几十几十A) 前级输出为前级输出为 低电平时低电平时 前级（驱动门）前级（驱动门） 后级（负载门）后级（负载门） 0 流入前级流入前级 的电流的电流IOL (灌电流灌电流) 输入低电平输入低电平 时的输入电时的输入电 流流I IIL IL，大约 ，大约 为为1mA1mA。 扇出系数扇出系数驱动同类门的个数。驱动同类门的个数。 灌电流工作时：灌电流工作时： IL OL OL I I N 拉电流工作时：拉

32、电流工作时： IH OH OH I I N 扇出系数扇出系数NO取取NOL、 NOH中较小的一个。中较小的一个。 扇出系数衡量门电路的扇出系数衡量门电路的带负载能力带负载能力。 IIL IOL IIH IOH 例例3.5.2 解：解： VOL=0.2V时，驱动门输出电流IOL=16mA,每 个负载门的输入电流为IIL=1mA。 16 1 16 IL OL OL I I N VOH=3.2V时，驱动门输出电流IOH=7.5mA, 但手册规定|IOH|0.4mA,故取|IOH|=0.4mA;每个负 载门的输入电流为IIH=40A。 10 04. 0 4 . 0 IH OH OH I I N 扇出系

33、数扇出系数NO=10 输入端输入端 “1”,“0” ？ 三三. 输入端负载特性输入端负载特性 在一定范围内， uI随RP的增大而升 高。但当输入电压 uI达到1.4V以后， uB1 = 2.1V，RP增大， 由于uB1不变，故uI = 1.4V也不变。这 时T2和T5饱和导通， 输出为低电平。 1.4 开门电阻开门电阻RON (2K左右）左右） (1) (1) 关门电阻关门电阻ROFF 在保证门电路输出在保证门电路输出 为额定高电平的条件下，所允许为额定高电平的条件下，所允许RP 的最大值称为的最大值称为 关门电阻。典型的关门电阻。典型的TTLTTL门电路门电路ROFF 0.7k 0.7k。

34、(2) (2) 开门电阻开门电阻RON 在保证门电路输出为在保证门电路输出为 额定低电平的条件下，所允许额定低电平的条件下，所允许RP 的最小值称为开的最小值称为开 门电阻。典型的门电阻。典型的TTLTTL门电路门电路RON 2k 2k。 数字电路中要求输入负载电阻数字电路中要求输入负载电阻RP RON或或RP ROFF ，否则输入信号将不在高低电平范围内。，否则输入信号将不在高低电平范围内。 振荡电路则令振荡电路则令 ROFF RP RON使电路处于转使电路处于转 折区。折区。 10K 例：判断如图例：判断如图TTL电路输出为何状态？电路输出为何状态？ Y0=0 1 0 Y1=1 Y0 1

35、1 10 Y1 Y2=0 1 0 VCC Y2 10K 1. 悬空的输入端相当于接高电平。悬空的输入端相当于接高电平。 2. 为了防止干扰，一般应将悬空的为了防止干扰，一般应将悬空的 输入端接高电平。输入端接高电平。 例例3.5.3 解：解：vO1=VOH、vI2VIH(min)时时 应满足：应满足：VOHIIHRPVIH(min) k I VV R IH IHOH P 35 (min) vO1=VOL、vI2VIL(max)时时 P OLILILBECC R VV R VvV (max) 1 (max)1 kR VvV VV R ILBECC OLIL P 69. 0 1 (max)1 (m

36、ax) 因此，因此，RP不应大于不应大于690. G1G2 RP vO1 vI2 3.5.4 TTL反相器的动态特性 一、传输延迟时间一、传输延迟时间 t vi o t vo o 50% 50% tpdHL tpdLH 平均传输时间平均传输时间 )( 2 1 pdHLpdLHpd ttt 平均传输延迟时间平均传输延迟时间 tpd表征了门电路的开表征了门电路的开 关速度。关速度。 二二. .功耗：功耗： 有静态功耗和动态功耗。有静态功耗和动态功耗。静态功耗静态功耗指的是当指的是当 电路没有状态转换时的功耗电路没有状态转换时的功耗;动态功耗动态功耗只发生在状只发生在状 态转换的瞬间。对于态转换的瞬

37、间。对于TTL电路静态功耗是主要的，电路静态功耗是主要的， 用用PD表示表示 。 3.5.5 其他类型的TTL门电路 一一. 其他逻辑功能的门电路其他逻辑功能的门电路 输入端改成多发输入端改成多发 射极三极管射极三极管 )(BAY 1. 与与 非非 门门 TTL集成门电路的封装：集成门电路的封装： 双列直插式双列直插式 如：如：TTLTTL门电路芯片（门电路芯片（四四2 2输入与非门，输入与非门，型号型号74LS0074LS00 ) ) 地地GNDGND 外外 形形 管脚管脚 电源电源V VCC CC（ （+5V+5V） 74LS00内含4个2输入与非门， 74LS20内含2个4输入与非门。

38、例：例：如图电路，已知如图电路，已知 74S00 门电路门电路GP参数为：参数为： IOH/IOL=-1.0mA/20mA IIH/IIL=50A/-1.43mA 试求门试求门GP能驱动多少同类门？能驱动多少同类门？ 若将电路中的芯片改为若将电路中的芯片改为 74S20，其门电路参数同，其门电路参数同 74S00，问此时，问此时GP能驱动多能驱动多 少同类门？少同类门？ GP G1 Gn 门门GP输出低电平时，设可带同类门数为输出低电平时，设可带同类门数为NOL： 14 43. 1 20 | IL OL OL I I N 解：解： 门门GP输出的高电平时，设可带同类门数为输出的高电平时，设可带

39、同类门数为NOH： 10 05. 02 0 . 1 | 2 | IH OH OH I I N 扇出系数扇出系数=10 由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电 平时，负载门只要一个输入端为低电平，平时，负载门只要一个输入端为低电平，T2、T5就截止。就截止。 74S20为为4输入输入与非门，所以与非门，所以 门门GP输出低电平时，设可带同类门数为输出低电平时，设可带同类门数为NOL： 14 43. 1 20 | IL OL OL I I N 门门GP输出高电平时，设可带同类门数为输出高电平时，设可带同类门数为NOH： 5 05. 04 0

40、 . 1 | 4 | IH OH OH I I N 扇出系数扇出系数No=5 两方框中电路相同两方框中电路相同 A为高电平时， T2、T5同时导 通，T4截止， 输出Y为低电平。 B为高电平时， T2、T5同时导 通，T4截止， 输出Y为低电平。 A、B都为低电都为低电 平时平时，T2、T2 同时截止，T5 截止，T4导通， 输出Y为高电平。 )(BAY 2.或非门或非门 或非门或非门 与或非门与或非门 )(DCBAY 3. 与与 或或 非非 门门 4.异或门异或门 若A、B同时 为高电平， T6、T9导通， T8截止，输 出低电平； A、B同时为 低电平，T4、 T5同时截止， 使T7、T9

41、导 通，T8截止， 输出也为低 电平。 A、B不同 时，T1正向 饱和导通， T6截止；T4、 T5中必有一 个导通，从 而使T7截止。 T6、T7同时 截止，使得 T8导通，T9 截止，输出 为高电平。 74LS86 二二.集电极开路门（集电极开路门（OC门）门） 为什么需要为什么需要OC门？门？ 普通与非门输出不能普通与非门输出不能 直接连在一起实现直接连在一起实现“线与线与”！ 1 0 产生一个很大的电流产生一个很大的电流 )()( CDABY A B Y C D 集电极悬空集电极悬空 )(BAY A B Y OCOC门输出端可直接连接实现线与。门输出端可直接连接实现线与。 VCC VI

42、L VIL VIL RL RL的选择：的选择： (max)L IHOH OHCC L R mInI VV R IOH IIH n个 m个 OHLIHOHCC VRmInIV)( VOH 负载门输入负载门输入 端个数端个数 VIH VIL VIL VCC RL VOL m个 IOL IIL (max) / )( OLILLOLCC IImRVV (min) (max) | L ILOL OLCC L R ImI VV R 负载门个数负载门个数 由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低 电平时，负载门只要一个输入端为低电平，电平时，负载门只要一个

43、输入端为低电平，T2、T5就截止。就截止。 若为或非门，若为或非门，m是输入端的个数，而不是负载门的数目。是输入端的个数，而不是负载门的数目。 例例3.5.5 三三. 三态门三态门 （TSTS门门) ) 三态输出门三态输出门 (Three-State Output Gate)是是 在普通门电路的在普通门电路的 基础上附加控制基础上附加控制 电路而构成的。电路而构成的。 EN A Y B EN A Y B 0 截截 止止 )( ABY 1 导导 通通 截止截止 截止截止 高阻态高阻态 3.5.6 TTL数字集成电路的各种系列 74H系列：系列：高速系列。其工作速度的提高是用增高速系列。其工作速度

44、的提高是用增 加功耗的代价换取的，效果不够理想。加功耗的代价换取的，效果不够理想。 从从提高工作速度提高工作速度、降低功耗降低功耗两方面考虑进行改进。两方面考虑进行改进。 74S系列：系列：肖特基系列。采用抗饱和三极管，提肖特基系列。采用抗饱和三极管，提 高了工作速度，但电路功耗加大，并且输出的低高了工作速度，但电路功耗加大，并且输出的低 电平升高。电平升高。 74LS系列：系列：低功耗肖特基系列。兼顾功耗和速度低功耗肖特基系列。兼顾功耗和速度 两个方面，得到更小的延迟功耗积。两个方面，得到更小的延迟功耗积。 74AS系列：系列：电路结构与电路结构与74LS系列相似，采用低系列相似，采用低 阻

45、值，提高了工作速度，但功耗较大。阻值，提高了工作速度，但功耗较大。 74ALS系列：系列：其延迟功耗积是其延迟功耗积是TTL电路所有系电路所有系 列中最小的一种。列中最小的一种。 54、54H、54S、54LS系列：系列：54系列与系列与74系列电路系列电路 具有完全相同的电路结构和电气性能参数。具有完全相同的电路结构和电气性能参数。54系列系列 工作温度范围更宽，电源允许的工作范围更大。工作温度范围更宽，电源允许的工作范围更大。 74系列：温度系列：温度070，电源电压，电源电压5V5%; 54系列系列: 温度温度-55+125，电源电压，电源电压5V10%。 型 号名 称主 要 功 能 7

46、4LS00四2输入与非门 74LS02四2输入或非门 74LS04六反相器 74LS05六反相器OC门 74LS08四2输入与门 74LS13双4输入与非门施密特触发 74LS308输入与非门 74LS32四2输入或门 74LS644-2-3-2输入与或非门 74LS13313输入与非门 74LS136四异或门OC输出 74LS365六总线驱动器同相、三态、公共控制 74LS368六总线驱动器反相、三态、两组控制 TTL集成门电路系列集成门电路系列 CMOS电路与电路与TTL电路比较：电路比较： （1）CMOS电路的工作速度比电路的工作速度比TTL电路的低。电路的低。 （2）CMOS带负载的能力比带负载的能力比TTL电路强。电路强。 （3）CMOS电路的电源电压允许范围