万里学院-数字电子技术基础-第六章习题及参考答案

1、第六章习题 一、选择题1. PROM和PAL的结构是 。A.PROM的与阵列固定，不可编程B. PROM与阵列、或阵列均不可编程C.PAL与阵列、或阵列均可编程D. PAL的与阵列可编程2. PAL是指。A.可编程逻辑阵列 B.可编程阵列逻辑 C.通用阵列逻辑 D.只读存储器3当用异步I/O输出结构的PAL设计逻辑电路时，它们相当于 。A.组合逻辑电路 B.时序逻辑电路 C.存储器D.数模转换器4. PLD器件的基本结构组成有 。A.输出电路 B.或阵列C.与阵列D.输入缓冲电路5. PLD器件的主要优点有。A.集成密度高 B.可改写C可硬件加密 D.便于仿真测试6. GAL的输出电路是。A.

2、OLMC B.固定的 C.只可一次编程 D.可重复编程7. PLD开发系统需要有。A.计算机B.操作系统 C. 编程器D.开发软件&只可进行一次编程的可编程器件有 。A.PAL B.GALC.PROMD.PLD9可重复进行编程的可编程器件有 。A.PAL B.GALC.PROMD.ISP-PLD10. ISP-PLD器件开发系统的组成有 。A.计算机B.编程器 C.开发软件 D.编程电缆11全场可编程（与、或阵列皆可编程）的可编程逻辑器件有 。A.PAL B.GAL C.PROM D.PLA12.GAL16V8的最多输入输出端个数为 。A.8输入8输出 B.10 输入10输出 C.16 输入8

3、输出 D.16 输入1输出13 一个容量为1KX 8的存储器有 个存储单元。A.8 B. 8192C.8000 D. 8K14要构成容量为 4KX 8的RAM需要 片容量为256 X 4的RAMA. 8B.4C. 2D.3215. 寻址容量为16KX 8的RAM需要根地址线。A. 8 B. 4C.14D.16K E. 16条。16. RAM的地址码有8位,行、列地址译码器输入端都为4个，则它们的字线加位线共有 _A.8B.16C.32D.25617. 某存储器具有 8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为 。A.8 X 3 B.8K X 8C.256 X 8 D. 256 X 25618

4、. 采用对称双地址结构寻址的1024 X 1的存储矩阵有 。A.10 行 10 列 B.5 行 5 列 C.32 行 32 列 D.1024 行 1024 列19随机存取存储器具有 功能。A.读/写B.无读/写C.只读 D. 只写20. 欲将容量为128X 1的RAMT展为1024X 8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。A.1B.2C.3D.821. 欲将容量为256X 1的RAMT展为1024X 8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。A.4B.2C.3D.822. 只读存储器ROM在运行时具有功能。A.读/无写B.无读/写 C.读/写 D. 无读/无写23. 只读存储器

5、 ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。A.全部改变B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变24. 随机存取存储器 RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。A.全部改变B.全部为1 C.不确定 D.保持不变25. 一个容量为 512X 1的静态 RAM具有。A.地址线9根，数据线1根 B. 地址线1根，数据线9根C.地址线512根，数据线9根 D. 地址线9根，数据线512根26. 用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 相应地并联在一起。A.读/写线 B.数据线 C. 地址线 D.片选信号线27. PRO啲与陈列（地址译码器）是 。A.全译码可编程阵列B.全译码不

6、可编程阵列C.非全译码不可编程阵列D.非全译码可编程阵列二、判断题（正确打/错误的打X）1. P ROM不仅可以读，也可以写（编程），则它的功能与 RAMf同。（）2. PAL的每个与项都一定是最小项。（）3. PAL和GAL都是与阵列可编程、或阵列固定。 （）4. PLA的与门阵列是可编程的，或门阵列是固定的。（）5. PAL的输出电路是固定的，不可编程，所以它的型号很多。（）6. GAL的型号虽然很少，但却能取代大多数PAL芯片。（）7. ABEL语言是一种通用的硬件描述语言（HDL）,用于PLD的开发。（）8. GAL不需专用编程器就可以对它进行反复编程。（）RAM随 机9. 在系统可编

7、程逻辑器件 ISP-PLD不需编程器就可以高速而反复地编程，则它与 存取存储器的功能相同。（）10. PLA是全场可编程（与、或阵列皆可编程）的可编程逻辑器件，功能强大，便于使用， 因此被普遍使用。（）11. 实际中，常以字数和位数的乘积表示存储容量。（）12. RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。（）13. 动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。（）14. 用2片容量为16KX 8的RAM构成容量为32KX 8的RAM是位扩展。（）15. 所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（）16. ROM和 RAM中存入的信息在电源断掉后都不会

8、丢失。（）17. RAM中的信息，当电源断掉后又接通，则原存的信息不会改变。（）18. 存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。（19. PRO M的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。（）20. RO M的每个与项（地址译码器的输出）都一定是最小项。（）21. 用PROM现四位二进制码到 Gray码的转换时，要求 PRO啲容量为4*4b。（三、填空题1 存储器的和是反映系统性能的两个重要指标。2. 半导体存储器按功能可分为 和两种类型，其中_在电源掉电后信息不会丢失。3. 用户可编程ROM有、和三种类型，其中的编程是一次性的。4. PLD器件的基本结构包括 和两部分。5

9、. GAL器件由 、和三个主要部分组成。6. PROM的与门阵列是 ，或门阵列是 ; PLA的与门阵列是，或门阵列是 ; PAL的与门阵列是 ，或门阵列四、综合题Y的最小项表示形式。1 试分析题图6-1给定的阵列图，试写出输出表达式B -cD -4 -& 1Y题图6-12 .对于题图6-2所示PAL，试列出其输入、输出真值表.*X。X2 餐&丫。Yi题图6-24X2位容量的ROM的点阵图如题图 6-3所示.。试写出逻辑表达式，列出其真值表，并 说明电路的逻辑功能。1 1 &或逻辑阵列题图6-3第六章习题参考答案一、选择题1.AD;2.B ;3.A;4.ABCD ;5.ABCD;6.AD ;7.

10、ABCD8.AC ;9.BD ;10.ACD ;11.D;12.C;13.BD;14.D ;15.C ;16.C ;17.C;18.C;19.A ;20.D ;21.A;22.D ;23.B;24.A;25.D ;26.C ;27.A;28.ACD ;29.B。、判断题1. X ;2.X;3. V;4.X;5. V; 6. V ;7.V;8. X;9. X;10. X ; 11.V ;12. V;13.V ;14.X;15.X;16. X ;-17. X;18. V ;19.V;20.V ;21. X。三、填空题1存储容量存取时间;2.RAMROMROM ;3.PROMEPROM E 2PROM PROM4.与门阵列或门阵列；5.与门阵列或门阵列输出逻辑宏单元(OLMC;6.固定的 可编程的 可编程的 可编程的 可编程的 固定的四、综合题1.