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文档简介
1、供应商名称;'、 供方填写OEM (*设计)ODM (供应商设计)承认书编号:供方编号!I1产品证书编号:! MOS管类承认书接受: 产品承认书M叱:英汉双语。不接受全英1客户名称:惠州材*光电科技有限公司(红色字体文本框提示了解后删除)此处产品名称必须是与 ;*SAP系统录入的产品名称!制造商客户确认(品质)客户确认(研发)拟制:必须是手写,: !并盖上公司:!公盖,章印要!合 格合格口不合格不合格审核!清晰:1I审核审核批准批准批准(双方WiX认书合格后蜩斟莓正式承认书除签名外,其它地方不町手工涂写I版 水A0 '初次受控的承认书填写Ao:;,机;如冇更新则升版成Al,以此
2、类推;:承认书生效0W:-期,供应商不用填写I供方地址:m电子邮箱:电话:传真:网站:产品名称:OV MO 2N65 2A 650V T0-252客户物料编号:10036711 豊二二SA豎录仝的更料弩J此处必须体现供应商:/ !此产品的芯片大小:I-1 供方物料编号:严自制编皿2窗-2貰:_:总翼.I页须盖: !此日期为承认书"和生效日! * :NVe-GFF066Rev.DeSCr ipt ion Of Change/变更内容描述Changed Date/ 日期经手人版本Before/变更前After/变更后AO2018-04-27供应商XXNVC-GF-F-066E. C. L
3、IST/变更履历表:注:1、整份承认书内容不能出现有手写改动的现象,若需修改的必r I须由供应商修改后受控正式承认书;:2、承认站需修改时需在此页“变更履历表”中标出变更内I容、口期、姓冬、版本号;:3、全文请使用中文,町以采用双语,但拒绝纯英文;4、全文请严格按照要求制作,此后所有新供应商送样承认书不I符合要求的一概不予理会!:5、蓝色字体以及图示皆为示例,请按实际情况填写,切勿机械I式复制粘贴.1、 基本特性及应用:N沟道增强型场效应晶体管i简述满足的基本待性即叭!:具体格式不限:产品特性:热阻低开关速度快 输入阻抗高* WROHS;用途:电子镇流器 电子变压器 高频开关电源*此处需体现基
4、本外形及 等效电路,要求必须清 晰。:此处需体现基本参数特;性,具体样式不限;2>主要参数(TC=25eC)Vm65OV0a<0N>ID=2.OATO20MtlDMK)Ii绝对最大额定值参数PARAMETER符号SYMBOL数值VALUE单位UNlT漏源电压DRAlN-SoIKCE VOLTAGEVDSS650V栅源电压GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS±30V连续漏极电流COXTINUoIS-DRAlNCuRRENTID2. 0 ®TC=25°C1.256TC=IOOA帰大脉冲漏极电流DRAIN CURRENT -PULSEIDM8
5、A耗散功率POWER DISSIPATIONPD44W最高结温JUNCTION TEMPERATVRETJ150C存储温度STORAGE TEifPERATURET"55*150C玳脉冲雪射能虽SlNGLE-PILSEAVALANCHE ENERGYEAS120MJ¾JpJ能呈REPETlTlVE-AVALANCHECURRENTEAI4.4MJ二极管反向恢复鼓大电 压变化速率DD4.5V/NS引线最高焊接温度TL300c此处町加具体标注电特性!衣格根据实际晴况貝体制作符号测试条件最大典型旨人单IhParneterSylnbOlTeStS COnditiOnSMin TyP
6、 MaX UniIS关杰特性 Off-Characgrigtics第9页共9页漏源击穿电压 Drain-Source VOlta pariBreakdown VOltage Terr)PeratUre ABVdss仏TJ CoefflClentBVDS5lo=250A1 VGS=OVilo=1mA re fere need to25 V650WTC零冊爪下涵极冕电漩 ZerO Gate VOltage Draln CUrrentVDS=6$ WVG 尸 OU c=2510 AVOS 二 520W TCN259IVM极体炯电濒Y Ieakage CUITentS SPVOS=OVVGS =30V
7、氏向樹极休漏电涼Gate-body IeakageCUrrentI reverseIGSSRVPS=OVIVGS -3OV100 A100 nA-100 nA通态特性 On-Characteristics闽値电圧VGate ThreShOId VOltaqeVDS S Vqs o2 501JA-T- V2.0 f4.0V _ I静态导通电阳StatlC DraIn-SOUrCeOn-ReSlStanee1ROSl OH)VGS =IOV t ID=IA395.0止向跨杲FOrWard TranSCOndUCta ncegsVDS = 4OV d=1 QA<note 4)2 05S动态特性
8、 DynafniC CharaCtenStiCS输入电容InPUt CaPaCIta ncep*il*.4OUtPUt CaPaCltanCeClMC0$Vs=25V.VGS =OVl f=1 OMH2261560PF3680 PFi , T2 2反向传输电容ReVerSe transfer Oapac tanceCfeS7PF开关特性 SWitChitIg CharaCteriStiCSIi 迟时 fl TUiTbOn delay timeIIa(On)Vt)O=32V112 OA Rqz25Q20550ns1:升时何 TUm-On rise timet(note 4. 5、145230n8
9、延迟时何 TUm-OffdeIay timetd(off)-25 260ns下碎时何 TUm-Of FaIl timeV11.2一3 Jns 栅极电荷总帘TOtal Gate ChargeQqVOS =520V.I 58 Iio |C j册一源电荷 Gate-SOUrCe ChargeQAo2 OA1 26C柵一漏电f Gate-Orain Charge0刑VgL1IOV(note4, 5丿-2.22M 加 极营特件及協人税定伍 Drain-SOUrCe DiodO CharaCtenStiCS and MaXimUm RatingS止向域大连续电说MaXirnUm COntlnUOUS Dr
10、aln -SOUrCe DIQde ForWard CUrrent IS1.9AiE向1*冲电漁MaXimUfTl PUlSed Drain-SourceDlOde FOrWard CUrrent60丄A正向压陆Dram-SOUrCe DiOde FOrWardVOItageVSOVGS=Ovs=20A1 4 IV反向恢交时间ReVerSe recovery timeUVgs=OV1. 5=2.0A270I.k"-X-"S反向恢复电iReVerSe recovery ChargeQ “dFdt=100Airs (note 4)1 Q-C热特性农格请根据实际怙:况具体制作項目
11、符号Mai单位ParameterSymbOI JCS2N65VBRBMBM JCS2N65 JCS2N65FBFB I CBUnit结到竹壳的热RlThermal ReSlStanCeI JUnCtion to CaSeRq<>2.87j 5.50 2,75tCTW结到坏境的加阻Thermal ReSISlanCe JUnCtIOn toAmblentRtn-AHO4038tw注释:具体注释请根据具体情况标注。3、特性曲线卜图鸳作参考,曲线图需漣且尽量包含 :测试血图、OOI 10SdnY)Wxs|。°占?U01Wy 二cg: PJ 占dIV, Urain to SOUr
12、Ce VOltaeC (volts)图1输出特性曲线,Tc=25tFigl TyPiCaI OUtPUt Characlerislics, TC=25iC(Pal 三;£)vum0 io|0|6占0|0>80604020Tj9 JtlIKtiOD TCBpcroturc (X?) 图3导通电FflW5线2(s PULSE WIOTH c-w1LA 110IOOVw, DraiDtO* Source VOltaee (volts)图2输出转性曲线,Tc=150CFig2 IyPiCaI OlltPUt CharaCteriStics, TC=J 50IC10.0VSto SOUr
13、Ce-IO-Drain VOltage(VOltS)ffl4二极管止向电压曲线(Sdwy) y 口 2ug <)v)h<>AvN s【;此处需另外添加能体现MOS功耗随温度变:化的曲线图:开关时间测试电路及波形图I、图仅作参考,具体元件尺寸和包装尺寸需标:4、元件及包装尺寸生世!TO252封装机械尺寸TO-252 MECHANlCAL DATA单r*JN mm符号SYMBoL址小值 minmax符号SYMBoLi小值 minM<ftmaxA2.102.50B0 851.25b0.500.80bi0 500 90b20 450 70C0450.70D.30.75DI5105.50E5.306.30e12252.35Ll9.2010.e24 454.75L20.901.75L30601.10K0.0 23TO 252编带規格尺寸TO-252 TAPE AND REEL DATASYMBOLmin典"finom大值
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