微电子器件工艺实例

1、1N阱阱CMOS工艺工艺P阱阱CMOS工艺工艺BiCMOS工艺工艺5微米双极集成电路工艺微米双极集成电路工艺大功率管工艺流程大功率管工艺流程21. N阱阱CMOS工艺工艺 34初始氧化：通过氧化，生长一层SiO2膜，用作杂质扩散掩蔽膜膜厚350nm5用第一块掩膜版，经曝光、等离子刻蚀，形成N阱窗口6在N2:O2=9:1的气氛中退火和驱 进 。 温 度1150，时间60分钟。N阱深度为56微米。同时生长一层约200nm的氧化层。7首先生长缓冲SiO2薄层，厚度600nm，目的是减少淀积的氮化硅与硅衬底之间的应力。其次低压CVD氮化硅，用于掩蔽氧化，厚度100nm8确定NMOS有源区：利用第二块掩

2、膜版，经曝光、等离子刻蚀，保留NMOS有源区和N阱区的氮化硅，去掉场区氮化硅，NMOS场区硼注入，剂量1*1013cm-2，能量120keV，防止场区下硅表面反型，产生寄生沟道。9利用氮化硅掩蔽氧化的功能，在没有氮化硅、并经硼离子注入的区域，生长一层场氧化层，厚度400nm10去除N阱中非PMOS有源区部分的氧化硅和氮化硅，这部分将是场区的一部分。对N阱中场区部分磷离子注入，防止寄生沟道影响。11一般采用湿氧氧化或高压氧化方法生长一层1微米厚的SiO212栅氧化及开启电压调整：1、去掉氮化硅和缓冲SiO2。2、栅氧化：在HCl气氛中干氧氧化 生 长 S i O2约40nm。3、用硼离子注入调节

3、开启电压，剂量6*1011cm-2，能量100keV13LPCVD淀积多晶硅层，厚度400500nm，淀积温度62514光刻NMOS多晶硅（保持PMOS区多晶硅不动），形成NMOS多晶硅栅，去掉没有多晶硅覆盖的栅氧化层。磷离子注入，形成NMOS源、漏区 。 注 入 剂 量3*1015cm-2，典型能量150keV151、保持NMOS区不动，用光刻胶保护。光刻N阱中PMOS区的多晶硅，形成PMOS多晶硅栅，去掉没有多晶硅覆盖的PMOS区栅氧化层，确定PMOS源、漏区。2、硼离子注入，形成PMOS源、漏区。硼离子注入剂量5*1015cm-2，能量100keV.3、离子注入退火和推进：在N2下退火，

4、并将源、漏区推进，形成0.30.5微米深的源、漏区。16化学气相淀积磷硅玻璃介质层17刻金属化的接触孔磷硅玻璃回流，使接触孔边缘台阶坡度平滑，以利于金属化。否则在台阶边缘上金属化铝条容易发生断裂。在N2气氛下，1150回流30分钟。181、采用电子束蒸发或溅射的方法淀积Al-Si合金，利于解决电迁移现象2、刻蚀金属化层，形成最后互连。3、合金：使金属化引线与接触孔处的硅形成良好的欧姆结。在N2-H2气氛下45020-30分钟4、钝化和开压焊孔。192 . P阱阱CMOS工艺工艺2021222324252627282930313233343536373839403. BiCMOS工艺工艺41424344454647484950515253545556574. 5微米双极集成电路工艺微米双极集成电路工艺58596061626364656667