DDR2布线指导课件

1、DDR2布线指导DDR2布线指导 DDR2布线指导在现代高速数字电路的设计过程中，工程师总是不可避免的会与DDR或者DDR2打交道。DDR2的工作频率很高，因此，DDR的Layout也就成为了一个十分关键的问题，很多时候，DDR2的布线直接影响着信号完整性。下面本文针对DDR2的Layout 问题进行讨论。 DDR2布线指导1、DDR2的信号及分组以上数据取自于Zentel的A3R1GE4CFFDDR2布线指导1、DDR2的信号及分组DDR2信号分组1数据信号组DQ、DQS、DM，其中每个字节又是内部的一个信道LANE组，如DQ0DQ7,LDQS,LDQS#,LDM为一个信号组。2地址和命令信

2、号组，包括BA,ADDR,RAS#,CAS#,WE#3控制信号组，包括CS#,CKE,ODT4时钟信号组，包括CK,CK#DDR2布线指导2、印制电路板叠层印制电路板叠层要求印制电路板叠层要求1电路板的阻抗控制在 5060ohm，差分线为100120ohm2填充材料 Prepreg 厚度可变化范围是46mil3电路板的填充材料的介电常数一般变化范围是 3.64.5，它的数值随着频率，温度等因素变化。FR-4 就是一种典型的介电材料，在100MHz 时的平均介电常数为4.2。推荐使用FR-4 作为PCB 的填充材料，因为它便宜，更低的吸湿性能，更低的电导性。4一般来说：DQ，DQS 和时钟信号线

3、选择VSS 作为参考平面，因为VSS 比较稳定，不易受到干扰；地址/命令/控制信号线选择VDD 作为参考平面，因为这些信号线本身就含有噪声。DDR2布线指导2、印制电路板叠层4层板叠层示意图DDR2布线指导2、印制电路板叠层DDR2布线指导3、端接技术串行端接主要应用在负载DDR 器件不大于4 个的情况下。对于单向的信号来说，例如地址线，控制线，串行端接电阻放置在走线中间或者是信号的发送端，推荐放置在信号的发送端。并行端接并行端接，主要应用在负载SDRAM 器件大于4 个，走线长度2inch，或者通过仿真验证需要并行端接的情况下。并行端接电阻Rt 取值大约为2Rs，Rt 的取值范围为3656，

4、推荐47(MICRON观点)差分端接适用CK、CK#差分信号为满足信号完整性要求，信号线往往需要进行端接处理，端接方式分为以下三种DDR2布线指导3、端接技术SSTL_18电平标准端接示意图DDR2布线指导3、端接技术差分端接示意图DDR2布线指导4、布线顺序DDR2布线指导导线长度要求Data/Strobe0Data/Strobe1Address/CMDControlClockData/Strobe020mil100mil-250milData/Strobe1100mil20mil-250milAddress/CMD-100mil-100milControl-100mil100milCloc

5、k250mil250mil100mil100mil5mil5、导线宽度和间距DDR2布线指导导线间距要求相同组内相同组内其它其它DDR2信号信号非非DDR2信号信号Data/Strobe010mil15mil25milAddress/CMD10mil15mil25milControl10mil15mil25milClock15mil20mil25mil5、导线宽度和间距DDR2布线指导VREF及VTT布线要求5、导线宽度和间距 VREF走线：1) 走线宽度：建议20mil以上。2) 走线间距：建议25mil以上。3) 包地走线：条件允许下。4) 去耦电容：尽量靠近IC的管脚处，常用两个数量级电

6、容滤波（100nF和1nF）。VTT走线：1） 走线宽度：最小150mil，一般在表层或底层进行孤岛铺铜。2） 上拉电阻：常用阻排，通常直接放置在VTT铜皮上并就近打孔。3） 去耦电容：每4个电阻（或一个4电阻阻排）放置一个去耦电容，常用0.1uF电容。4） 储能电容：在VTT孤岛铜两端各放置两个电容，常用4.7uF和220uF电容。DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流 目前由于成本的原因，PCB 面积越来越小化，这给工程师带来很大的挑战，除了考虑电路精简、合理布局、改变元件封装等外，也要考虑走线的宽度， 主板上有多组电源，占用不少的面积，如何使电源的走线占用更少面积呢就成为我们一个关注

7、的问题。DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流盎司的概念盎司的概念盎司(OZ)是重量的单位, 国际上用单位面积的重量来控制铜皮的厚度，等于将一盎司质量的铜平均分配到一平方英尺的面积上，1 盎司305g/m210，它表示铜皮的厚度等于35 微米,1.4mil。PCB 銅皮厚度PCB 銅皮有厚度之分，有0.5 盎司(18um)厚度，1 盎司（35um）厚度，2 盎司（70um）厚度。需要更高厚度如3 盎司、4 盎司，线路板厂可以电镀解决。可镀铜、镀银、镀金。一般 PCB 铜皮的厚度为1 盎司，表面完成铜厚度为1.62.0mil，即40.650.8um(1.16 盎司1.45 盎司)。线路板厂家

8、会加上一定的余量。DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流 通流能力的计算公式如下：ATKI725. 044. 0max* 式中,Imax最大通流，单位为安培K降额参数，一般取0.024T通流路径上的最大容许的温度，单位是度A路径的横截面积，单位是平方米尔(mil2)DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流导线宽度100mil,厚度1oz，容许温升5度，它能通过的电流为多大？ATKI725. 044. 0max* 根据上面的公式，K=0.024，T=5， A=100mil*1.4mil=144mil2 因此I=0.024*2.03*36.71=1.78A 需要注意的是：1.公式只能用于参考

9、，必须充分降额使用2.谨慎地对各项参数取值，尤其是容许温升的值。DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流铜皮厚度,走线宽度和电流的经验关系表DDR2布线指导6、导线宽度与可承载的电流 对于过孔来说，也可以用此公式来计算通过电流的能力，需要注意的是其中过孔面积的计算。DDR2布线指导7、VTT电源芯片的选择当负载较大的时候，DDR2拓扑结构中必须加入并联终结电阻及VTT电源，这就涉及到VTT电源芯片的选择。我们将从功耗的角度来考虑VTT电源芯片的选取。DDR2布线指导7、VTT电源芯片的选择假设Rs=20ohm,Rt=25ohm,DDR2源端内串联电阻为10ohm,则DDR2输出高电平时，VTT吸收电流为：(VDDQ-VTT)/(Rs+Rt+Rin)=(1.8-0.9)/(25+20+10)=16.4mADDR2输出低电平时，VTT驱动电流为：VTT/(RS+Rt+Rin)=0.9/(25+20+10)=16.4mADDR2布线指导7、VT