2021年广东省集成电路EDA开发应用技能竞赛

1、2021年广东省集成电路eda开发应用技能竞赛暨2021年全国工业和信息化技术技能大赛计算机软件测试员（集成电路eda开发应用）赛项广东省选拔赛 理论知识竞赛试题（样题）考试时间：60 分钟 考试形式：上机考试一、单项选择题（共 40 题，每题 1 分，共 40 分）1.在共源级电路中，在一定范围的电源电压下，要获得高电压增益，负载阻抗（）a.要尽可能大b.要尽可能小c.与电压增益无关d.为特定数值2.mos 管开关的工作区（）a.饱和区b.线性区c.可变电阻区d.mos 管不能用作开关3.如果跨导减小，mos晶体管的噪声电流将（）a.减小b.增大c.不变d.不确定4.在反馈系统的输出端检测电

2、流会使得输出阻抗（） a.减小b.增大c.不变d.不确定5.下列结构中米勒效应最大的是（）a.源极跟随器b.共栅放大器c.共源共栅放大器d.共源放大器136.nmos 管中，如果衬底电压变得更负，则耗尽层（）a不变b.变得更窄c.变得更宽d.几乎不变7.差动放大电路的主要特点是( )a.有效放大差模信号，有效抑制共模信号 b.既放大差模信号，有放大共模信号c.有效放大共模信号，有效抑制差模信号d.既抑制共模信号，又抑制差模信号8.在 pmos 中, 衬底上加上正电压偏置, 会使阈值电压( )a.增大b.不变c.减小d.可大可小9.假设如果所有的存储访问在一级 cache 命中， 则基准处理器的

3、 cpi 为1.0， 时钟频率为 4ghz。 假设主存的访问时间为 100ns， 包括所有的失效处理过程。 一级 cache 中每条指令的平均失效率为 2%。 如果增加一个二级 cache， 不论失效或命中其访问时间都为 5ns, 其容量足够大， 可以将失效率降低到 0.5%， 问(增加了二级 cache 的)处理器增速多少？（）a. 2.6 b. 3.4 c. 5.2 d. 9.010.在机器中，（）的零的表示形式是唯一的。a.原码b.补码c.反码d.原码和反码11.在下列电路中，不属于组合逻辑电路的有（）。a.译码器b.编码器c.加法器d.计数器12.判断下图所示电路，在 c=1 的状态下

4、所实现的逻辑功能是：（）。a.同或门b.与非门c.或非门d.与或非门13.计算机中或数字电路中使用的数制是（）。a.二进制b.四进制c.八进制d.十进制e.十六进制14.在（）输入情况下，“与非”运算的结果是逻辑 0。a.全部输入是 0b.任一输入是 0c.仅一输入是 0d.全部输入是 115.在晶体三极管（）放大电路中，输出电压与输入电压反相，且输出电压幅度大于输入电压。a.共射极b.共基极c.共集极d.共射极和共基极16.对于反相比例16.运算放大电路而言，以下说法正确的是（）。a.只能放大交流信号b.能放大直流信号c.交直流信号均能放大d.交直流信号都不能放大17.下图所示电路属于（）负

5、反馈放大电路。a.电压串联负反馈b.电流串联负反馈c.电压并联负反馈d.电流并联负反馈18.转换效率是功率放大电路的主要技术指标之一，是指（）。a.输出功率与晶体管上消耗的功率之比b.晶体管上消耗的功率与电源提供的功率之比c.输出功率与电源提供的功率之比d.最大输出功率与电源提供的功率之比19.在微型计算机中，应用最普遍的字符编码是（） a.bcd 码 b.汉字编码 c.ascii 码 d.补码20.运算器虽有许多部件组成，但核心部分是（）a. 数据总线b. 算数逻辑运算单元c. 多路开关d. 通用寄存器21.下列有关 verilog 语言定义端口表达正确的是（）。a.input p3:0,

6、q, r;b.input p, q, r3:0;c.input3:0 p, q, r;d.input p, 3:0q, r;22.下列 eda 工具是属于典型数字集成电路设计流程的是（）。altium designerb.hspice c.virtuoso schematic editor d.vcs23.基于标准 cmos 逻辑门电路结构设计逻辑 y=a·b+c，通常使用的mos 晶体管数量为（）a.4 个b.5 个c.6 个d.8 个24.对于硅基 cmos 电路，一个 2 输入或非门的逻辑努力是（）a. 1b.4/3c.5/3d. 325.下列表达式中，和 y=(a+b)

7、83;(c·d) 逻辑等价的是（）a. y=(a·b)·(c+d)b. y=(a+b)+(c+d)c. y=(a·b)·(c·d)d. y=！( (a·b)·(c+d) ) 26.下列电路实现形式中，哪一种是无比逻辑（）a.nmosb. cmosc. ttld.ecl 27.通常讲的 28nm 工艺，是指（）a.wafer 的直径b.管芯的大小c.晶体管的面积d.晶体管沟道长度28.集成电路制造过程中，把版图转移到晶圆的过程叫（）a.设计规则b.封装c.光刻d.测试29.（）工艺就是往晶圆片中注入离子，生成相应的

8、p、n 类半导体的工艺a.氧化b.掺杂c.光刻d.蚀刻30.pvd 沉积温度一般为（）a.600以下b.600-650c.650-700d.700以上31.半导体工艺中掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质 分布，加工方法有热扩散掺杂和（）注入法 。a 原子b 电子c 质子d 离子32.采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的a.结晶形态b.非结晶形态c.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的d.以上都不对33.权限为 755 的文件，下列哪个是正确的权限位标记（）?a. -rwxrwxrwxb. -rw-r-xr-xc. -rwxr-xr-xd. -rwxrw-r-x34.标

9、准 c 语言程序的文件名的后缀为（）。a. .cb. .cppc. .objd. .cc35.根据下面递归函数：调用函数 fun（2），返回值是多少（） int fun(int n)if(n=5)return 2;elsereturn 2*fun(n+1);a. 2b. 4c. 8d. 1636.代码 char *p = new char100()a.p 和 new 出来的内存都在栈上b. p 和 new 出来的内存都在堆上c. p 在栈上， new 出来的在堆上d. p 在堆上， new 出来的在栈上37.如果编译器没有进行特殊处理， 那么 sizeof a 的大小为(): a. 0b. 4

10、c. 8d. 1238.以下()算法是稳定的排序算法快速排序b. 堆排序c. 直接插入排序d. 简单选择排序39.若将关键字 1，2，3，4，5，6，7 依次插入到初始为空的平衡二叉树 t中，则 t 中平衡因子为 0 的分支结点的个数是（）。a. 0b. 1c. 2d. 340.有向图 g 中有 n 个顶点，e 条边，采用邻接表存储，若采用 bfs 方式遍历其时间复杂度为（）a.o(n)b. o(e)c. o(n+e)d. o(n*e)二、判断题（共 40 题，每题 0.5 分，共 20 分）1.mos 器件的体效应是由于衬底与源端未连接在一起，引起阈值电压发生变化（）2.差动放大器可以抑制共

11、模扰动的影响（）3.共源共栅电流源可以抑制沟道长度调制效应（）4.负反馈会提高电路的增益灵敏度（）5.mos 电容中对电容值贡献最大的是𝐶𝐺𝑆（）6.mos 管从不导通到导通过程中，最先出现的是反型层（）7.mos 器件的长度 l 会影响器件的闪烁噪声，并且呈正相关（）8.相比于折叠共源共栅运放，套筒式共源共栅运放在实现相同增益时功耗较低（）9.计算机操作的最小时间单位是时钟周期( )10.系统总线中地址线的功用是用于选择进行信息传输的设备( )11.异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数（）12.8421bcd 码、2421bcd 码和余 3 码

12、都属于有权码（）13.二进制计数中各位的基是 2，不同数位的权是 2 的幂（）14.每个最小项都是各变量相“与”构成的，即 n 个变量的最小项含有 n个因子（）15.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）16.整流电路的作用是把高频变为低频。（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平就是低电平。（）18.包含无源元件和有源元件（双极性管、集成运放等）的滤波电路，称为有源滤波电路（）。19.cmos 电路的栅极输入阻抗极高，直流状态下可近似认为接近无穷大（ ）20.在 verilog 语言中，如果有语句 assign c=a+b，则可以确定变量 c 是 r

13、eg类型（）21.在大规模数字集成电路设计过程中，通常使用的综合工具是 design compiler，可以实现从 rtl 到 gate level netlist 的转换（）22.fpga 是一类特殊的芯片，可以把写好的 verilog hdl 转化为相应电路烧写到芯片内部，直接获得一颗具有相应功能的集成电路（）23.在 cmos ic 中通常可以使用两级反相器作为输入缓冲，其中第二级反相器通常兼有电平转换的功能（）24.在 cmos 集成电路设计中，只需要把面积做大，就可以使得性能提高（）25.低功耗设计是系统人员的任务，和电路设计没有关系（）26.考虑集成电路时序实现，对于两输入与非门的

14、两个输入引脚其本征延 迟是不同的（）27.动态预测可以增加 cache 命中率( )28.奇偶校检可以发现并纠正一位错误( )29.数据在计算机内有链式和顺序两种存储方式，在存储空间使用的灵活性上，链式存储比顺序存储要高（）30.一个进程的读磁区操作完成后，操作系统进入就绪态（）31.在进程切换过程中，进程上下文信息的保存与恢复过程必须在内核态 完成()32.计算机启动时，操作系统的所有模块都必须常驻内存（）33.c 语言规定，在一个源程序中， main 函数的位置可以任意（）34.若变量 a 是 int 类型，并执行了语句 a=a'+1.6；，则 a 的值是字符a的 asc值加上 1

15、()35.定义一个 class 类时， 可以在静态方法中使用 this()36.若函数的定义出现在主函数之前且仅被主函数使用，则可以不必再说 明()37.金属与有源区大面积连接时可能会导致“接触穿刺”现象将二极管短路（）38.半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅（）39.二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中 的扩散悉数大于在二氧化硅中的扩散系数（）40.离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高 于临界能量时电子阻止占主导（）三、多项选择题（共 20 题，每题 2 分，共 40 分）1.关于虚拟储存器，下列说法正确的是（）a.虚拟储存

16、器利用了局部性原理b.页式虚拟储存器的页面如果很小，主存中存放的页面数较多，导致缺 页频率较低，换页次数减少，最终可以提升操作速度c.页式虚拟储存器的页面如果很大， 主存中存放的页面数较少，导致页面调度频率较高，换页次数增加，降低操作速度d.段式虚拟存储器中，断具有逻辑独立性， 易于实现程序的编译，管理和保护，也便于多道程序共享2.下列关于基本差分对电路中尾电流的作用的说法正确的是（） a.a.为放大器管提供固定偏置b.b.为放大管提供电流通路c.c.减小放大器的共模增益d.d.提高放大器的增益3.电阻负载共源级放大器中，下列措施能提高放大器小信号增益的是（） a.增大器件的沟道长度lb.增大

17、负载电阻c.降低输入信号直流电平d.增大器件宽长比4.下列外延工艺中属于按工艺方法划分的是（）a.气相外延b.液相外延c.同质外延d.高温外延5.运放设计的重要指标有（）a.带宽b.增益c.输入阻抗d.输出摆幅6.反馈电路具有的特性有（）a.增益灵敏度提高b.终端阻抗变化c.带宽变化d.非线性减小7.离子注入法具有的特点主要有（）a.不受固溶度限制b.精确的剂量控制c.参杂深度小d.均匀性好8.对于一个或门逻辑电路，输入为（）的情况下，输出为 1。a. 均为 0b. 其中一个为 1c. 两个输入均为1d.两个输入为 x 态和 19.关于同步电路和异步电路，下列说法正确的是（）a.同步电路和异步

18、电路均可以含有触发器b.同步电路的全部触发器应该连接到一个时钟信号上 c.异步电路设计更加复杂，不适合大规模使用。d.同步电路往往更加节约芯片面积，在任何情况下都应该使用同步电路。 10.利用晶体管放大电路的微变等效电路，可计算（）。a.频率响应b.输入电阻c.输出电阻d.放大倍数11.正弦波振荡器通常（）部分组成。放大电路b.正反馈网络c.选频网络d.稳幅环节12.对比典型的 ttl 电路，标准的 cmos 反相器电路主要的优点包括（）a.速度快b.负载能力强c.电路尺寸小d.功耗低13.冯·诺依曼型计算机的基本特点是什么？( )a.采用二进制形式表示数据和指令。指令由操作码和地址码组成。b.将程序和数据存放在存储器中，使计算机在工作时从存储器取出指令 加以执行，自动完成计算任务。c.指令的执行是顺序的d.计算机由存储器、运算器、控制器、输入设备和输出设备五大基本部 件组成14.下列选项中属于标准单元版图特点的是（）a.等高b.电源和地线确定宽度c.等宽d.等面积15.集成电路设计规则有（）a.比例（）设计规则b.功耗设计规则c.绝对设计规则（微米/纳米设计规则)d.速度设及规则16.下列选项中属于集成电路工艺过程的是（） a外延b.注入c.光刻d.eda17.操作系统来维护一组队列，表示系统中所有进程的当前状态，有关管 理进程的描述正确的是（）a.