材料科学基础---第一章结晶学基础（晶体化学基本原理）

1、第一章第一章 结晶学基础结晶学基础 （晶体化学基本原理）（晶体化学基本原理）本章内容本章内容:晶体化学基本原理晶体化学基本原理 主要从主要从离子半径离子半径、球体紧密堆积、配位数、球体紧密堆积、配位数、离子极化和鲍林规则几个方面离子极化和鲍林规则几个方面讨论决定晶体结讨论决定晶体结构的基本原理。构的基本原理。晶体化学晶体化学：研究晶体的组成、内部结构和性质：研究晶体的组成、内部结构和性质之间的关系及其规律的一门学科。之间的关系及其规律的一门学科。1.;2021-03-28重点：重点： 1. 球体紧密堆积的方式球体紧密堆积的方式 2. 配位数及配位数及配位多面体配位多面体 3. 鲍林规则内容及应

2、用鲍林规则内容及应用难点：难点：鲍林规则的应用鲍林规则的应用2第一节第一节晶体中的键合3.;2021-03-28类型类型离子键离子键共价键共价键金属键金属键范德华键范德华键结构结构特征特征无方向性无方向性有方向性、有方向性、饱和性饱和性无方向性无方向性无方向性无方向性键强键强 中强至强中强至强中强至强中强至强各种强度各种强度弱弱晶体晶体性质性质强度高、硬强度高、硬度大、无延度大、无延展性；绝缘展性；绝缘体，熔体中体，熔体中离子导电离子导电强度高、硬度强度高、硬度大、无延展性；大、无延展性；绝缘体（半导绝缘体（半导体），熔体不体），熔体不导电导电具有各种强具有各种强度和硬度、度和硬度、延展性好；

3、延展性好；导电性能好导电性能好 熔体导电熔体导电强度低、强度低、硬度小；硬度小；绝缘体，绝缘体，熔体不导熔体不导电电4v硅酸盐晶体硅酸盐晶体中，中，R+_O键键为典型的离子键为典型的离子键 Si_O键键中离子键共价键成分各占中离子键共价键成分各占50%v根据元素根据元素电负性电负性，可估计原子之间化学键的性质。电负可估计原子之间化学键的性质。电负性相差较大的元素的原子结合时，即成离子键。而电负性性相差较大的元素的原子结合时，即成离子键。而电负性相差较小的则形成共价键。相差较小的则形成共价键。v一种晶体，不只存在一种性质的键，而经常是几种型式一种晶体，不只存在一种性质的键，而经常是几种型式的键组

4、合起来构成晶体，如粘土矿物中就存在着分子键和的键组合起来构成晶体，如粘土矿物中就存在着分子键和带有共价性的离子键。带有共价性的离子键。5第二节第二节 晶体化学基本原理晶体化学基本原理6.;2021-03-28一、原子半径和离子半径一、原子半径和离子半径 有效半径有效半径:在晶体结构中原子和离子的有效半径是指在晶体结构中原子和离子的有效半径是指离子或原子在晶体结构中处于相接触时的半径。离子或原子在晶体结构中处于相接触时的半径。 在在离子晶体离子晶体中，一对相邻接触阴阳离子的中心距，中，一对相邻接触阴阳离子的中心距，即为该阴阳离子的离子半径之和即为该阴阳离子的离子半径之和, r0 = r+ + r

5、- 在在共价晶体共价晶体中，两个相邻键合原子的中心距，即中，两个相邻键合原子的中心距，即为这两个原子的共价半径之和。为这两个原子的共价半径之和。 在在金属单质金属单质晶体中，两个相邻原子中心距的一半，晶体中，两个相邻原子中心距的一半，就是金属原子半径就是金属原子半径7二、球体紧密堆积原理二、球体紧密堆积原理1、等大球体的最紧密堆积及其空隙等大球体的最紧密堆积及其空隙 (1)堆积方式堆积方式六方最紧密堆积：六方最紧密堆积：见演示图见演示图 ABAB立方最紧密堆积：见演示图立方最紧密堆积：见演示图 ABCABC8 面心立方结构的原子堆积方式 密排六方的原子堆垛方式 A层B层C层返回返回89A层B层

6、C层 面心立方晶胞原子堆垛方式 密排六方晶胞原子堆垛方式10(B)立方最紧密堆积立方最紧密堆积ABCABC(A)六方最紧密堆积六方最紧密堆积ABABA11 (3)球体数（球体数（n）与空隙数量的关系：）与空隙数量的关系： 若有若有n个球体作最紧密堆积则必有个球体作最紧密堆积则必有n个八面体空隙和个八面体空隙和2n个四面体空隙。个四面体空隙。(2)空隙空隙 四面体空隙：由四个球包围，四个球体中心的连线四面体空隙：由四个球包围，四个球体中心的连线构成一个四面体形状。构成一个四面体形状。见图见图(未穿透两层的空隙未穿透两层的空隙) 八面体空隙：由六个球包围，六个球体中心的连线八面体空隙：由六个球包围

7、，六个球体中心的连线构成一个八面体形状。见图构成一个八面体形状。见图(连续穿透两层的空隙连续穿透两层的空隙)122、不等径球体的紧密堆积不等径球体的紧密堆积 较大的球体成等大球体紧密堆积方式，较小的球体较大的球体成等大球体紧密堆积方式，较小的球体则充填在四面体或八面体空隙中，形成不等径球体的紧密则充填在四面体或八面体空隙中，形成不等径球体的紧密堆积。堆积。 离子晶体结构离子晶体结构中中,相当于半径较大的阴离子作最紧密相当于半径较大的阴离子作最紧密堆积堆积,半径较小的阳离子则填充于空隙中。半径较小的阳离子则填充于空隙中。.13三、配位数和配位多面体三、配位数和配位多面体1、配位数（、配位数（CN

8、）定义：定义：一个原子（或离子）的配位数是指在晶体结构中，一个原子（或离子）的配位数是指在晶体结构中，与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。一般地：一般地： 金属单质晶体金属单质晶体: 配位数较高，多为配位数较高，多为12或或8; 共价晶体共价晶体: 配位数较低，小于配位数较低，小于4； 离子晶体离子晶体: : 比共价晶体高，比金属晶体低，一般为比共价晶体高，比金属晶体低，一般为4 4或或6 6。若。若阴离子不作紧密堆积，阳离子还可能出现其它配位数，离子晶体的阴离子不作紧密堆积，阳离子还可能出现其它配位数，离子晶体的配位数取决于正、负离

9、子的半径比。配位数取决于正、负离子的半径比。14正负离子半径比正负离子半径比(r(r+ +/r/r- -) )的临界值与配位数的关系的临界值与配位数的关系 下图为配位数等于下图为配位数等于3 3时，晶体中阴阳离子紧密接触的一种极限时，晶体中阴阳离子紧密接触的一种极限状态状态. .由图可知：由图可知：b=2rb=2r- - a=r a=r+ + + r + r- -r r- -/a=r/a=r- -/(r/(r+ +r+r- -)=sina=sin60)=sina=sin60o or r+ +/r/r- -=1/sin60=1/sin60o o-1=0.155-1=0.15515讨论：讨论：1

10、1、r r+ +/r/r- -0.1550.155时，时，正负离子不会相互接触，而负离子正负离子不会相互接触，而负离子相接触，静电引力小而斥力大，体系处于不稳定状态。相接触，静电引力小而斥力大，体系处于不稳定状态。2 2、r r+ +/r/r- -0.1550.155时，时，正负离子相互接触，而负离子脱离正负离子相互接触，而负离子脱离接触，引力大而斥力小，能量低，体系稳定。由此看来，接触，引力大而斥力小，能量低，体系稳定。由此看来，正负离子半径比直接影响着体系的稳定性，对于配位数正负离子半径比直接影响着体系的稳定性，对于配位数为为3 3的必要条件应是：的必要条件应是：r r+ +/r/r- -

11、0.1550.155。3 3、r r+ +/r/r- -增大到增大到0.2250.225时，时，正离子周围即可能配置正离子周围即可能配置4 4个负离个负离子，依据同样的方法类似推理，可得出配位数为子，依据同样的方法类似推理，可得出配位数为6 6和和8 8时时正负离子半径比的临界值，于是可得出正负离子半径比正负离子半径比的临界值，于是可得出正负离子半径比和配位数的关系。见表和配位数的关系。见表1-101-1016r+/r-配位数配位数离子结构形状离子结构形状00.1550.2250.4140.7321.0 2 3 4 6 812直线直线三角形三角形四面体四面体八面体八面体立方体立方体密堆积密堆积

12、注：注：当当r r+ +/r /r- -处于边界值附近时，同一阳离子的配位数可以不止一个，处于边界值附近时，同一阳离子的配位数可以不止一个，如如AlAl3+3+与与OO2-2-离子配位时，离子配位时，CNCN可以是可以是4 4 ，即，即 AlOAlO4 4 ；也可以形成八；也可以形成八面体配位，即面体配位，即AlOAlO6 6 。17r+/r-=0.414 此图为配位数等于此图为配位数等于6 6时，阴离子成最紧密堆积，阳离时，阴离子成最紧密堆积，阳离子处于八面体空隙中，正负离子刚好接触的情况：子处于八面体空隙中，正负离子刚好接触的情况：18 晶体结构中阳离子和阴离子的位置关系有以下三种情况：晶

13、体结构中阳离子和阴离子的位置关系有以下三种情况：阴阳离子相互接触，但阴离子被撑开，稳定。阴阳离子相互接触，但阴离子被撑开，稳定。阴阳离子相互接触，阴离子也正好接触，稳定。阴阳离子相互接触，阴离子也正好接触，稳定。阴阳离子不接触，只有阴离子接触，不稳定。阴阳离子不接触，只有阴离子接触，不稳定。19负离子配位数负离子配位数 化学式中正离子数化学式中正离子数正离子配位数正离子配位数 化学式中负离子数化学式中负离子数附附:负离子配位数的计算：负离子配位数的计算：如如：CaF2 其中其中 Ca2+的的CN=8 则则 F- 的的CN=420(3)影响配位数的因素影响配位数的因素 除正负离子半径比外，还有温

14、度、压力、除正负离子半径比外，还有温度、压力、正离子类型以及极化性质等。正离子类型以及极化性质等。 对于典型的离子晶体，在常温常压下，对于典型的离子晶体，在常温常压下，如果正离子不变形或变形很小，其配位情况如果正离子不变形或变形很小，其配位情况主要取决于正、负离子半径比，否则应考虑主要取决于正、负离子半径比，否则应考虑离子极化对晶体结构的影响离子极化对晶体结构的影响。212 2、配位多面体、配位多面体定义：定义：配位多面体是指在晶体结构中，与某一个阳离子配位多面体是指在晶体结构中，与某一个阳离子（或原子）成配位关系而相邻结合的各个阴离子（或原（或原子）成配位关系而相邻结合的各个阴离子（或原子）

15、，它们的中心连线所构成的多面体。多面体的形状取子），它们的中心连线所构成的多面体。多面体的形状取决于阴离子数量的多少。决于阴离子数量的多少。22附附 硅酸盐晶体结构中正负离子的配位关系硅酸盐晶体结构中正负离子的配位关系: vSi4+: SiO4四面体中心四面体中心vAI3+: AIO6八面体中心八面体中心vMg2+ 、Fe2+ 、Fe3+ : 一般位于一般位于6O2-形成的形成的 MO6八面体中心八面体中心23作业: 110补充:1、据半径比的关系,说明下列离子与O2-配位时的配位数各是多少? ro2- = 0.132nm r si4+ =0.039nm rk+ =0.131nm rAI3+

16、=0.057nm rMg2+ =0.078nm2、Mg2+的半径为0.072nm， O2-的半径为0.140 nm，计算MgO晶体的堆积系数与密度。24四、离子的极化四、离子的极化 配位数取决于阴阳离子的半径比，有时会发生意外配位数取决于阴阳离子的半径比，有时会发生意外. . 例如银的卤化物例如银的卤化物AgCl，AgBr和和AgI，按正负离子半径比，按正负离子半径比预测，预测，Ag+离子的配位数都是离子的配位数都是6，属于，属于NaCl型结构，但实际上型结构，但实际上AgI晶体属于配位数为晶体属于配位数为4的立方的立方ZnS型结构，见表型结构，见表1-8。 Zn0Zn0：r+/r-=0.63

17、r+/r-=0.63，配位数应为，配位数应为6 6，但实际上，但实际上ZnOZnO的配位数为的配位数为4 4（不属（不属NaC1NaC1型，而属于型，而属于ZnSZnS型）。型）。 Ca0Ca0：r+/r-=0r+/r-=08080，不属，不属CsClCsCl而属而属NaClNaCl型型 这是由于这是由于离子间很强的极化作用，使离子间强烈靠近，配位离子间很强的极化作用，使离子间强烈靠近，配位数降低，结构类型发生变化。数降低，结构类型发生变化。由于极化使离子的电子云变形失去由于极化使离子的电子云变形失去球形对称，相互重叠，导致键性由离子键过渡为共价键。球形对称，相互重叠，导致键性由离子键过渡为共

18、价键。25表表1-8 离子极化与卤化银晶体结构类型的关系离子极化与卤化银晶体结构类型的关系 AgCl AgBr AgI Ag+和 X半径之和（nm） Ag+X实测距离（nm） 极化靠近值（nm） r+/r-值 理论结构类型 实际结构类型 实际配位数 0. 123+0.172=0.295 0.277 0. 018 0.715 NaCl NaCl 6 0.123+0.188=0.311 0.288 0.023 0.654 NaCl NaCl 6 0.123+0.213=0336 0.299 0.037 0.577 NaCl 立方 ZnS 4 26 1. 定义：定义： 前面所讨论的都是把离子当作不可

19、压缩的圆球来前面所讨论的都是把离子当作不可压缩的圆球来处理。但实际上，离子并不完全是一个圆球，离子在紧密处理。但实际上，离子并不完全是一个圆球，离子在紧密相接的时候，带电荷的离子所生成的电场，就要对另一离相接的时候，带电荷的离子所生成的电场，就要对另一离子的电子云发生作用（斥或吸），因而使这个子的电子云发生作用（斥或吸），因而使这个离子的大小离子的大小和形状发生了改变和形状发生了改变，就叫做极化（下图）。，就叫做极化（下图）。 离子的极化离子的极化情况常用可极化性与极化力来说明。情况常用可极化性与极化力来说明。27 2.2.离子极化的两个方面：离子极化的两个方面： 被极化（可极化性、自身被极化

20、）：被极化（可极化性、自身被极化）：一个离子在其一个离子在其它离子所产生的外电场作用下发生极化。它离子所产生的外电场作用下发生极化。被极化程度的大小用被极化程度的大小用极化率极化率 来表示：来表示： F其中其中 离子的诱导偶极矩离子的诱导偶极矩 = =el F离子所在位置的有效电场强度离子所在位置的有效电场强度28(2)(2)主极化：主极化：一个离子以本身的电场作用于周围离子，使一个离子以本身的电场作用于周围离子，使其它离子极化。其它离子极化。v极化力：极化力：=W/r=W/r2 2 r r离子半径离子半径 W W离子的电价离子的电价v极化力反映了极化周围其它离子的能力极化力反映了极化周围其它

21、离子的能力v在离子晶体中，被极化的主要是负离子，即正离子为在离子晶体中，被极化的主要是负离子，即正离子为极化者，负离子作为被极化者。极化者，负离子作为被极化者。29注意：注意：（1）自身被极化和极化周围其它离子两个作用同时）自身被极化和极化周围其它离子两个作用同时存在。存在。正离子正离子半径较小，电价较高，半径较小，电价较高，极化力极化力表现明显，不表现明显，不易被极化；易被极化；负离子负离子则相反，经常表现出则相反，经常表现出被极化被极化的现象，的现象，电价小而半径较大的负离子（如电价小而半径较大的负离子（如I，Br等）尤为显著。等）尤为显著。（2）考虑离子间相互极化作用时，一般只考虑正离）

22、考虑离子间相互极化作用时，一般只考虑正离子对负离子的极化作用，子对负离子的极化作用，但当正离子为但当正离子为18电子构型时，电子构型时，必须考虑负离子对正离子的极化作用，以及由此产生的必须考虑负离子对正离子的极化作用，以及由此产生的诱导偶极矩所引起的附加极化效应。诱导偶极矩所引起的附加极化效应。 303 3、极化对晶体结构的影响：、极化对晶体结构的影响： 极化会对晶体结构产生显著影响，主要表现为极化会对晶体结构产生显著影响，主要表现为 （1）极化会导致极化会导致正负离子间正负离子间距离距离缩短缩短（键长缩短）键长缩短），离子配位数降低离子配位数降低 。 （2）变形的电子云相互重叠，使）变形的电

23、子云相互重叠，使键性由键性由离子键向共价离子键向共价键过渡键过渡，最终使最终使晶体结构类型发生变化晶体结构类型发生变化。31由于离子的极化作用，使其正负电荷中心由于离子的极化作用，使其正负电荷中心不重合，产生偶极矩，见不重合，产生偶极矩，见图图1-7。如果正离子的。如果正离子的极化力很强，将使负离子的电子云显著变形，产极化力很强，将使负离子的电子云显著变形，产生很大的偶极矩，加强了与附近正离子间的吸引生很大的偶极矩，加强了与附近正离子间的吸引力，使得正负离子更加接近，距离缩短，配位数力，使得正负离子更加接近，距离缩短，配位数降低，如降低，如图图1-8所示。所示。 32图1-7 离子极化作用示意

24、图 33图1-8 负离子在正离子的电场中被极化使配位数降低34 五、电负性：五、电负性：表示形成负离子倾向大小的量度称为电负性表示形成负离子倾向大小的量度称为电负性。 35综上所述，离子晶体的结构主要取决于综上所述，离子晶体的结构主要取决于离子间离子间的相对数量的相对数量(反映在原子比例方面反映在原子比例方面)，离子的相对大离子的相对大小小(反映在离子半径比上反映在离子半径比上)以及以及离子间的极化离子间的极化等因素。等因素。这些因素的相互作用又取决于晶体的化学组成，其这些因素的相互作用又取决于晶体的化学组成，其中何种因素起主要作用，要视具体晶体而定，不能中何种因素起主要作用，要视具体晶体而定

25、，不能一概而论。一概而论。 36结晶化学定律结晶化学定律 即哥尔德希密特定律：一个晶体的结构，取即哥尔德希密特定律：一个晶体的结构，取决于其组成单位的数目、相对大小以及极化性能。决于其组成单位的数目、相对大小以及极化性能。37结晶化学定律概括地指出了结晶化学定律概括地指出了影响晶体结构的三个因素：影响晶体结构的三个因素： （1 1）物质的晶体结构一般可按其化学式的类型分别进物质的晶体结构一般可按其化学式的类型分别进行讨论。在无机化合物中，一般按化学式类型行讨论。在无机化合物中，一般按化学式类型ABAB、ABAB2 2等等来讨论。化学类型不同来讨论。化学类型不同（结构基元之间数目的对比不（结构基

26、元之间数目的对比不同），同），则晶体结构也不相同。则晶体结构也不相同。（2 2）结构基元的结构基元的离子半径比值离子半径比值r+/r-r+/r-不同不同，晶体结构也晶体结构也不相同。不相同。 （3 3）结构基元的结构基元的极化极化情况不同，晶体结构也不相同。情况不同，晶体结构也不相同。注意：注意：结晶化学定律中所指的决定晶体结构的三个因素结晶化学定律中所指的决定晶体结构的三个因素是一个整体，三者不能分离，三者中间何者起决定性的是一个整体，三者不能分离，三者中间何者起决定性的作用，要看具体的情况而定，不能一概而论。作用，要看具体的情况而定，不能一概而论。38 六、鲍林规则六、鲍林规则 主要适用于

27、离子晶体或以离子键为主的晶体。主要适用于离子晶体或以离子键为主的晶体。1、鲍林第一规则、鲍林第一规则阴离子多面体规则阴离子多面体规则 围绕每一阳离子，形成一个阴离子配位多面体，围绕每一阳离子，形成一个阴离子配位多面体，阴阳离子的间距决定于它们的半径之和，阳离子的配阴阳离子的间距决定于它们的半径之和，阳离子的配位数则取决于它们的半径之比。位数则取决于它们的半径之比。 应用：求阳离子的配位数。应用：求阳离子的配位数。39阴阳离子半径比与阳离子的配位数阴阳离子半径比与阳离子的配位数00.1550.2250.4140.7321阳离子阳离子配位数配位数2346812阳离子阳离子配位配位多面体多面体的形状

28、的形状哑铃哑铃状状等边等边三角三角形形四面四面体体八面体八面体立方体立方体截角立方截角立方体体(立方最立方最紧密堆积紧密堆积)截顶的两方截顶的两方双锥的聚形双锥的聚形(六方最紧密六方最紧密堆积堆积)实例实例闪锌闪锌矿矿 -ZnS食盐食盐NaCl荧石荧石CaF2自然金自然金Au自然锇自然锇Osacrr402、鲍林第二规则鲍林第二规则静电价规则静电价规则 在一个稳定的晶体结构中，每个阴离子的电价在一个稳定的晶体结构中，每个阴离子的电价等于（或近似等于）其邻近的阳离子至该阴离子的等于（或近似等于）其邻近的阳离子至该阴离子的各静电键强度的总和。各静电键强度的总和。 即即 Z- =Si其中从中心阳离子至

29、每一个配位阴离子的静电键强度：其中从中心阳离子至每一个配位阴离子的静电键强度： Si=Z+/n Z+阳离子的电荷数阳离子的电荷数 n阳离子的配位数阳离子的配位数41 举例：举例：v(1)NaCl(1)NaCl配位八面体配位八面体 每个每个ClCl- -同时是同时是6 6个配位八面体的顶点个配位八面体的顶点S=ZS=Z+ +/n=1/6 Z/n=1/6 Z- -= =Si=1/66=1 所以所以ClCl- -为为-1-1价。价。v(2)TiO(2)TiO2 2( (金红石金红石 6 6：3 ) 3 ) 每个每个O O2-2-同时是三个同时是三个TiOTiO6 6 配位八面体配位八面体的顶点的顶点

30、S=4/6=2/3 ZS=4/6=2/3 Z- -= =Si=2/33=2 所以所以O O2-2-为为-2-2价。价。v(3)CaF(3)CaF2 2( (萤石萤石 8 8：4 )4 )S=2/8=1/4 ZS=2/8=1/4 Z- -= =Si=1/44=1而而F F- -为为-1-1价，因此每个价，因此每个F F- -是是4 4个个CaFCaF8 8 立方体的共用顶点。立方体的共用顶点。或者说或者说F F- -的配位数为的配位数为4 4，Z Z- -= =Si=1/44=142 应用：应用：v( (1)1)判断晶体结构是否稳定（满足静电平衡）。判断晶体结构是否稳定（满足静电平衡）。v(2)

31、(2)判断共用一个顶点的多面体的数目（即确定阴离子判断共用一个顶点的多面体的数目（即确定阴离子配位数）。配位数）。 例：例：SiOSiO4 4 中，根据电价规则，从中，根据电价规则，从SiSi4+4+上分配至每个上分配至每个O O2-2-的静电键强度为的静电键强度为4/4=14/4=1，而，而O O2-2-的电价为的电价为-2-2，所以这样的，所以这样的O O2-2-还可以和其它的还可以和其它的SiSi4+4+或金属离子相配位。或金属离子相配位。AlOAlO6 6 八面体中，八面体中，S=3/6=1/2S=3/6=1/2MgOMgO6 6 八面体中，八面体中，S=2/6=1/3S=2/6=1/

32、343 结论：结论： SiOSiO4 4 四面体中的每一个四面体中的每一个O O2-2-还可同时与另一个还可同时与另一个SiOSiO4 4 中的中的SiSi4+4+配位（即两个四面体共用一个配位（即两个四面体共用一个O O2-2-）；或）；或同时与两个同时与两个AlOAlO6 6 八面体中的八面体中的AlAl3+3+相配位（即三个配位相配位（即三个配位多面体共用同一个多面体共用同一个O O2-2-）；或者与）；或者与3 3个个MgOMgO6 6 八面体中的八面体中的MgMg2+2+相配位（即四个多面体共用一个相配位（即四个多面体共用一个O O2-2-），这样对），这样对SiOSiO4 4 四面

33、体中的每个四面体中的每个O O2-2-的电价就饱和了。的电价就饱和了。443 3、鲍林第三规则鲍林第三规则阴离子多面体的共顶、共棱和阴离子多面体的共顶、共棱和共面规则共面规则 原因：原因：阴离子多面体在共棱、共面时，多面体中心距发生变化。阴离子多面体在共棱、共面时，多面体中心距发生变化。 共顶共顶 共棱共棱 共面共面 四面体四面体 1 0.58 0.331 0.58 0.33 八面体八面体 1 0.71 0.581 0.71 0.58 应用：应用： 解释解释SiOSiO4 4 一般共顶连接一般共顶连接 TiOTiO2 2中中TiOTiO6 6 八面体共棱八面体共棱 在配位结构中，阴离子多面体之

34、间共棱、共用面的存在配位结构中，阴离子多面体之间共棱、共用面的存在会降低结构的稳定性，特别是高电价、低配位数的阳离在会降低结构的稳定性，特别是高电价、低配位数的阳离子此效应显著。子此效应显著。454 4、第四规则、第四规则- -不同配位多面体连接规则不同配位多面体连接规则 例：镁橄榄石结构（例：镁橄榄石结构（MgSiOMgSiO4 4）中有）中有SiOSiO4 4 四面体和四面体和MgOMgO66 八面体，但八面体，但SiSi4+4+电价高、配位数低，所以电价高、配位数低，所以SiOSiO4 4 四四面体之间彼此无连接；但是面体之间彼此无连接；但是SiSi4+4+与与MgMg2+2+间斥力较小，故间斥力较小，故Si