第一章半导体的n型、p型掺杂

1、半导体的n型、p型掺杂教师：黄辉办公室:创新大厦A1226本章内容 1半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体4.掺杂工艺简介1半导体概述3根据物体导电能力(电阻率) 的不同，物质可分为导体(p<10- iQcm)、绝缘体(p>109 Q-cm)和半 导体(101Q<p< 109Q-cm)三大类。半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特 殊性能。#1半导体概述5#典型的半导体有硅Si和错Ge以及碑化镣GaAs等， 其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子）， 其原子结构模型和简化模型如图所示。价电子图1.1.1半导体的原子结构示意图（a）硅原子；

2、（b）错原子；（c）简化模型1半导体概述每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原 子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此 ,价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现 在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原 子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的 O硅、错原子的共价键结构如图所示。2.本征半导体纯净的、不含其他杂质的半导体称为木征半 导体。在热力学温度零度（即T=0 K,相当于-273°C） 时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此， 晶体中没有自由电子。所以在T=0 K时，半导体不能 导电，如同绝缘体一样。在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足 够的能量，挣脱

3、共价键的束缚成为自由电子，在原位 留下一个空穴，这种产生电子空穴对的现象称为本征 激发。92.本征半导体由于随机热振动致使共价键被打破而产生电子空穴对。本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电 子和带正电的空穴。分别用n和p表示自由电子和空穴 的浓度，有n=p。3.杂质半导体2.本征半导体空氏、电&导电机禮由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用 下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个 电子原来的位置上又留下新的 空位，以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移。空穴的移动方向和电子移动方向是相反的。本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓

4、 度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某 种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发 生质的变化。N型半导体掺入五价杂质元素（如磷、碑）的 半导体。P型半导体掺入三价杂质元素（如硼、镣）的 半导体。n型半导体因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而多余的一 个价电子因无共价键束缚而很容 易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂 质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成 为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质. 若用Nd表示施主原子的浓度，n表示总自由电子 的浓度，P表示少子空穴的

5、浓度，则有如下的浓 度关系：n = p + Nd上式表明，离子化的施主原子和空穴的正电荷 必为自由电子的负电荷所平衡，以保持材料的 电中性。应当注意，通过增加施主原子数可以提高半导 体内的自由电子浓度，由此增加了电子与空穴 的复合几率，使本征激发产生的少子空穴的浓 度降低。由于电子与空穴的复合，在一定温度 条件下，使空穴浓度与电子浓度的乘积为一常 数，即Pn 二 Pg式中分别为本征*才料申的空穴浓度和电子 浓度，可以得到如下关系式：命Pn 二 nip型半导体因三价杂质原子在与硅原子 形成共价键时，缺少一个价 电子而在共价键中留下一个 空穴。邻近的电子落入受主的 空位，留下可移动的空穴受主获得一

6、个电子 而形成一个负离子受主原子在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形 成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价 杂质因而也称为受主杂质。133.杂质半导体若用Na表不受主原子的浓度，n表不少子电 子的浓度，p表示总空穴的浓度，则有如下 的浓度关系：NA + n = p这是因为材料中的剩余电荷浓度必为零。或 者说，离子化的受主原子的负电荷加上自由 电子必与空穴的正电荷相等。#3.杂质半导体杂质半导体的特点在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺入的杂质浓度；而小数载流子的浓度主要取决于 温度。杂质半导体，无论是N型还是P型，从总体上看

7、， 仍然保持着电中性。在纯净的半导体中掺杂后，导电性能大大改善。 但提高导电能力不是其最终目的，因为导体导电能 力更强。杂质半导体的奇妙之处在于,N、P型半导 体可组合制造岀各种各样的半导体器件.153.杂质半导体#3.杂质半导体杂质半导体的示意图P型半导体 L e° 。e° g° t g° e° g° e°0° G° G° G°多子一空穴多子一电子n型半尊少子一电子少子一空穴多子浓度与杂质浓度有关少子浓度与温度有关174.掺杂工艺简介杂质掺杂的实际应用主要是改变半导体的电特性。扩 散

8、和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由 高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂 过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓 度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高 温与扩散时间来决定。离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内， 杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由 离子质量和注入能量决定。扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电 路，因为二者互补不足，相得益彰。#4.掺杂工艺简介扩散和离子注入的示意图194.掺杂工艺简介杂质扩散通常是在经仔细控制的石英高温炉管中放 入半导体硅晶片并通入含有所需掺杂剂的气体

9、混合 物。硅的温度在800-1200°C；碑化掾的温度在600- 1000°Co扩散进入半导体内部的杂质原子数量与气 体混合物中的杂质分压有关。对硅而言，B、P和As分别是常用的p型和n型掺杂剂, 引入方式有：固态源（BN、As203、P205）；液态源它们在硅中都有极咼的固溶度，可高于5X 1020cm-3o（BBr3、AsCI3、P0CI3）；气体源（B2H6、AsH3、 PH3 ），其中液态源最常用。使用液态源的磷扩散的化学反应如下:4POCl3 + 3O2 t 2P2C>5 + 6C/2P2O5在硅晶片上形成一层玻璃并由硅还原岀磷，氯 气被带走。2P2O5+5

10、Si T 4P + 5S®214.掺杂工艺简介对碑化掾的扩散工艺而言，因确的蒸汽压高，所以需要特别 的方式来防止碑的分解或蒸发所造成的损失。包括含过压的 封闭炉管中扩散及在含有掺杂氧化物覆盖层（氮化硅）的开 发炉管中扩散。P型扩散选用Zn元素，采用Zn-Ga-As合金或 ZnAs2 （封闭炉管法）或ZnO-Si02 （开放炉管法）。n型掺杂 剂有硒和碼。电炉石英管硅晶片亠»>Q一卡气口02液态杂质勿电炉半导体中的扩散可以视作在晶格中通过空位或填隙 原子形式进行的原子移动。下图显示了2种基本的原 子扩散模型。234.掺杂工艺简介离子注入的分布离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过 程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达 10nm"l0um,离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的 1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3o相对于扩散工艺，离子 注入的主要好处在于能更准确地控