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碳纳米管晶体管(CNTFET)在未来，硅芯片已经不能被制造得更小，因而必须寻找新的制造计算机芯片的材料，碳纳米管将是很好的选择。Pn结o 碳纳米管根据结构的不同，有1/3为金属型，2/3为半导体型。o 碳纳米管一般表现为n型特性，通过掺杂可以使其呈现p型特性，或者制造出单壁碳纳米管pn管。2021-11-2822021-11-283结构o 1998年，Dekker研究组制作出第一个碳纳米管场效应晶体管，同年IBM公司也制作出了CNTFET。工作原理o 电子或空穴从金属注入到碳纳米管中成为载流子。如果金属的功函数小于碳纳米管的功函数，则金属的导带与碳纳米管接触，载流子为电子；反之，载流子为空穴。o 使用不同功函数的金属电极 作源漏，可以得到n型或p型 的碳纳米管场效应晶体管。 (碳纳米管功函数约为4.8V ) 2021-11-284工作原理o 通过栅极电压调制碳纳米管的能带相对于金属电极费米能级的位置，正的栅压使碳纳米管的能带向下弯曲，在电极和碳纳米管的接触处形成空穴势垒，场效应管处于关闭状态；负栅压形成欧姆接触，场效应管开启。2021-11-285碳纳米管电子器件2021-11-286基于单根碳纳米管构

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