2022年2022年半导体器件物理_复习重点

1、精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载第一章 pn 结1.1 pn结为怎么形成的？耗尽区：正由于空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区；空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力；在热平稳状态下,电场力与扩散力相互平稳；p 型半导体和 n 型半导体接触面形成pn 结, p 区中有大量空穴流向n 区并留下负离子, n 区中有大量电子流向 p 区并留下正离子 （这部分叫做载流子的扩散） ,正负离子形成的电场叫做空间电荷区,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的 漂移）,载流子的扩散与漂移达到动态平稳,所以pn 结不加电压下呈电中性；1

2、.2 pn结的能带图（平稳和偏压）无外加偏压,处于热平稳状态下,费米能级到处相等且恒定不变；1.3 内建电势差运算n 区导带电子试图进入p 区导带时遇到了一个势垒,这个势垒称为内建电势差；精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载nvkt lnn a n d精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载ebifpfn2i精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载1.4 空间电荷区的宽度运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载w2s vbivr n an d1 / 2精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载en

3、a xpnd xnna nd精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载1.5 pn结电容的运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载c 'es na n d1/ 2s精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载2vbivr nan d w精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载其次章 pn 结二极管2.1 抱负 pn结电流模型为什么？势垒维护了热平稳；反偏： n 区相对于 p 区电势为正,所以n 区内的费米能级低于 p 区内的费米能级,势垒变得更高,阻挡了电子与空穴的流淌,因此pn 结上基本没有电流流淌；正偏： p 区相对于 n 区电势为正,所以p 区内的费米能级低

4、于 n 区内的费米能级,势垒变得更低,电场变低了,所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与 p 区,所以 pn 结内就形成了一股由n 区到 p 区的电子和p精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载区到 n 区的空穴；电荷的流淌在 pn 结内形成了一股电流；过剩少子电子：正偏电压降低了势垒,这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内,注入的电子增加了 p 区少子电子的浓度；2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布）2.3 抱负 pn结电流精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载jj sexpeva1kt精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载sjedp

5、 pn0l pednn p0lnen21dnin an01d pn dp0精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载2.4 pn结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？扩散电阻：在二极管外加直流正偏电压,再在直流上加一个小的低频正弦电压,就直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流,正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻,即扩散电阻；扩散电容：在直流电压上加一个很小的沟通电压,随 着外加正偏电压的转变,穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化；p 区内的少子电子浓度也经受了同样的过程, n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容,即扩散电容；精品学习资料精选学习资料 -

6、- - 欢迎下载学习必备欢迎下载2.5 产生- 复合电流的运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载jrecwerdx0eniw 20expeva12kt精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载2.6 pn结的两种击穿机制有什么不同？齐纳击穿 : 重掺杂的 pn 结由于隧穿机制而发生齐纳击穿；在重掺杂 pn 结内,反偏条件下结两侧的导带与价带离得特别近,以至于电子可以由p 区直接隧穿到n 区的导带；即齐纳击穿；雪崩击穿：当电子或空穴穿越空间电荷区时,由于电 场的作用,他们的能量会增加,增加到肯定的肯定程 度时,并与耗尽区的原子电子发生碰撞,便会产生新 的电子空穴对,新的电子空穴又

7、会撞击原子内的电子,于为就发生了雪崩击穿；对于大多数 pn 结来说,雪崩击穿占主导位置； 在电场的作用下,新的电子与空穴会朝着相反的方向运动, 于为便形成了新的电流；精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载第三章 双极晶体管3.1 双极晶体管的工作原理为什么？3.2 双极晶体管有几种工作模式,哪种为放大模式？正向有源,反向有源,截止,饱和；3.3 双极晶体管的少子分布（图示）3.4 双极晶体管的电流成分（图示）,它们为怎样形成的？正向有源时同少子分布；3.5 低频共基极电流增益的公式总结（分析如何提高晶体管的增益系数）精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载1pe

8、0 de lb1tanh xb/ lb 11n bdbxb精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载nb 0 d b le21tanh xe/ le 1n edexe精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载tcoshxb/ lb 11 xb 2/ lb 精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载1j r 0j s01expevbe2kt精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载t13.6 等效电路模型 （ebers-moll模型和 hybrid-pi模精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载型）（画图和简述）

9、3.7 双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？ 基区渡越时间；利用有内建电场的缓变掺杂基区；3.8 双极晶体管的击穿有哪两种机制？精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载第四章 mos场效应晶体管基础4.1 mos 结构怎么使半导体产生从积累.耗尽到反型的变化？反型：当在棚极加上更大的负电压时,导带和价带的 弯曲程度更加明显了,本证费米能级已经在费米能级 的上方了,以至于价带比导带更接近费米能级,这个 结果说明半导体表面为p 型的,通过施加足够大的负电压半导体表面已经从n 型转为 p 型了；这就为半导体表面的空穴反型层；4.2 mos 结构的平稳能带图（表面势.功函数和亲和

10、能）及平稳能带关系vox 0s0ms4.3 栅压的运算 非平稳能带关系 精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载vgvoxsms精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载4.4 平带电压的运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载vfbq'sscmsox精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载4.5 阈值电压的运算 *精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载vtnq' sd maxq'ssms2f pq'sdmaxvfb2f p精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载q'sd maxcoxena xdtcox精品学习资

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12、资料 - - - 欢迎下载endndf nvth lnni精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载msme g2ef n精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载coxtoxox4.6 mos 电容的运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载总的电容公式 ：c'depltoxoxxoxds精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载最大电容：c 'maxc 'c 'oxoxtoxoxsvth精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载平带电容：fbtox, ldlaoxends精

13、品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载c'minox4sf pxx精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载最小电容：t oxox,dtenadts精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载4.7 mosfet的工作原理为什么？4.8 电流- 电压关系（运算）v2n 沟道：精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载iwncoxd2l 2vgsvt vdsds精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载vds satvgsvt精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载精品学

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15、10 mosfet的等效电路（简化等效电路）精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载4.11 mosfet的截止频率主要取决于什么因素？精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载ft2cg m gstcm gm2cg精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载fn vgsvt 精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载t2l2精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载学习必备欢迎下载第五章 光器件5.1 电子- 空穴对的产生率：精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载g ' xi xh精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载5.2 pn结太阳能电池的电流精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载ii levi sexp1kt精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载5.3 光电导运算精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载enp penp g lp精品学习资料精选学习资料 - - - 欢迎下载5.4 光电导增益pphi lp1egl altnn5.5 光电二极管的光电流jlegl wl pln 5.6 pin二极管怎么提高光电探测效率？5.7 发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素？5.8 pn结二极管激光器怎样实现粒子数反转（借助于能带图说明）精品学