康第三章场效应管(3)

1、 场效应管是另一种有正向受控作用的半导体器件。场效应管是另一种有正向受控作用的半导体器件。它它比比BJTBJT体积小、工艺简单、器件特性便于控制，是体积小、工艺简单、器件特性便于控制，是目前制造目前制造LSICLSIC的主要有源器件。的主要有源器件。P沟道（沟道（P-EMOS） N沟道（沟道（N-EMOS） P沟道（沟道（P-DMOS） N沟道（沟道（N-DMOS） 增强型（增强型（E） 耗尽型（耗尽型（D） N- -MOS管与管与P- -MOS管工作原理相似，不同在管工作原理相似，不同在：形成电流的载流子性质不同，因此，导致加在各极形成电流的载流子性质不同，因此，导致加在各极上的电压极性相反

2、上的电压极性相反。 JFET结型结型N沟道沟道P沟道沟道N-JFETP-JFETN+N+P+P+PUSGDq3.1.1 N-EMOS FET结构示意图结构示意图源极源极漏极漏极衬底极衬底极 SiO2绝缘层绝缘层金属栅极金属栅极P P型硅型硅 衬底衬底SGUD电路符号电路符号l沟道长度沟道长度W沟道沟道宽度宽度铝，多晶硅铝，多晶硅1 1、由金属、氧化物和半导体制成。称为、由金属、氧化物和半导体制成。称为金属金属- -氧化物氧化物- -半半导体场效应管导体场效应管（M-O-S）。2 2、栅极有、栅极有SiOSiO2 2绝缘层绝缘层，或又称，或又称 I-G-FETI-G-FET（绝缘栅型）（绝缘栅型

3、）场场效应管。效应管。 P-EMOS 结构结构? 符号？符号？FETFET利用输入回路的利用输入回路的压压（来控制输出回来控制输出回路电流的器件，故此命名。路电流的器件，故此命名。q P沟道沟道EMOS管管+ -+ - VGSVDS+ - + - NN+P+SGDUP+N-EMOS管与管与P-EMOS管管工作原理相似。工作原理相似。PN结反偏结反偏=U接最高电位，即接最高电位，即 VDS 0 、VGS 0 ( (保证漏、衬保证漏、衬PN结反偏结反偏) )。 VDS 0 0 ( (形成导电沟道形成导电沟道) )。 VGS 0时，时，VGS对对沟道沟道导电能力的控制作导电能力的控制作用。图用。图(

4、b)(b) 若若VGS0（正栅源电压）（正栅源电压）耗尽层，耗尽层，如图如图(b)所示。所示。 VGS反型层加厚反型层加厚沟道电阻变小。沟道电阻变小。 当当VGS耗尽层加宽耗尽层加宽反型层反型层N型型导电沟道，导电沟道，如如图图(C)所示。所示。反型层反型层VGS越大，反型层中越大，反型层中n 越多，导电能力越强。越多，导电能力越强。图图(b)(b)图图(C)(C)二、当二、当vGSVGS(th)且且不变不变，0vDSVB对沟道导电能力对沟道导电能力iD的的影响影响图图(d)(d) V VDSGSGDVVV 讲讲P114图图(d)(d)图图(e)(e)vB= vGS-VGS(th) VDGVG

5、S(th)且且不变不变，vDSVB对沟道导电能力对沟道导电能力iD的的影响影响图图(e)(e)若考虑沟道长度调制效应（若考虑沟道长度调制效应（CLME）则则VDS 沟道长度沟道长度L略略 沟道电阻沟道电阻Ron略略 。因此，因此，VDS ID略略 。如虚线。如虚线。由上述分析可描绘出由上述分析可描绘出ID随随VDS 变化变化的关系曲线：的关系曲线：iDvDS0vGS VGS(th)vGS一定一定曲线形状曲线形状类似类似三极管输出特性。三极管输出特性。B B MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称称单极型器件。单极型器件。 三极三极管中多子、少子同时参与导电

6、，故称管中多子、少子同时参与导电，故称双双极型器件（极型器件（BJT）。）。 利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变感生电荷的多少，从而改变（的变化，改变感生电荷的多少，从而改变（感生）感生）导电导电沟道的宽窄，以控制漏极电流沟道的宽窄，以控制漏极电流ID。MOSFET工作原理小结：工作原理小结： 二氧化硅 g s d iD0 铝 耗尽层 N N P B 衬底引线 VGG s d iD0 耗尽层 P B 衬底引线 N N N 型(感生)沟道 g g s d iD 迅 速 增 大 N 型(感生)沟道 P B 衬底引线 VGG VDD N N

7、 g s d iD 饱 和 P B 衬底引线 VGG VDD N N 夹断区 总图：总图：NEMOSFET 工作原理工作原理N-EMOS管管N-DMOS管管N-MOS管管结构及符号结构及符号 由于由于N-EMOS管栅极管栅极电流为零，故没有输入特电流为零，故没有输入特性曲线。性曲线。 共源组态特性曲线：共源组态特性曲线：iD= f ( vGS )vDS = 常数常数转移特性：转移特性：iD= f ( vDS )vGS = 常数常数输出特性：输出特性：q一、一、伏安特性伏安特性+TVDSiG 0vGSiD+- - - 转移特性与输出特性反映转移特性与输出特性反映FETFET管同一物理过程，管同一

8、物理过程，它们之间可以相互转换。它们之间可以相互转换。 （3-1-5）q3.1.3 N-EMOS（3-1-6）NEMOS管管输出特性曲线输出特性曲线可变电可变电阻区阻区击穿区击穿区IDV DS0 VGS=5VVGS=4V-3VVGS=3V-5V线性放线性放大区大区1 1、非饱和（可变电阻区）、非饱和（可变电阻区）4 4、击穿区。、击穿区。2 2、饱和区（线性放大区）、饱和区（线性放大区）3 3、截止区。、截止区。有四个工作区：有四个工作区：ID=f(VDS)VGS=constNEMOS管输出特性曲线管输出特性曲线 NEMOS管转移特性曲线管转移特性曲线VGS(th) = 3VVDS = 5V

9、转移特性曲线反映转移特性曲线反映VDS为常数时，为常数时，VGS对对ID的控的控制作用制作用, ,可由输出特性转换得到。可由输出特性转换得到。 ID/mAVDS /V0VDS = VGS VGS(th)VGS =5V3.5V4V4.5VVDS = 5VID/mAVGS /V012345 转移特性曲线中转移特性曲线中, ,ID = =0 时对应的时对应的VGS值值, ,即开启即开启电压电压VGS（th） 。（3-1-8） MOSMOS管管C COXOX很小，当带电物体（很小，当带电物体（烙铁烙铁或人或人）靠近）靠近金属栅极时金属栅极时= =Q大大，感生电荷在，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生绝缘

10、层中将产生很大的电压很大的电压VGS(=Q/COX)，使，使绝缘层绝缘层击穿，造成击穿，造成MOS管永久性损坏管永久性损坏。MOS管保护措施：管保护措施：分立的分立的MOS管：管：各极引线短接、烙铁外壳接地。各极引线短接、烙铁外壳接地。MOS集成电路：集成电路：限幅。限幅。TD2D1D1 与与D2：(1)限制限制VGS间间最大电最大电压。压。类似类似P34P34。（2）对感）对感 生电荷起旁生电荷起旁路作用。路作用。当栅源当栅源电压电压VGS很大时的击穿很大时的击穿: :q二、二、衬底效应衬底效应 IC中，许多中，许多MOS管做在同一衬底上，为保证管做在同一衬底上，为保证U与与S、D之间之间P

11、N结反偏，衬底应接电路最低电位（结反偏，衬底应接电路最低电位（N沟道）沟道）或最高电位（或最高电位（P沟道）。沟道）。 若若| VUS | - - +VUS耗尽层中负离子数耗尽层中负离子数 因因VGS不变（不变（G极正电荷量不变）极正电荷量不变）ID VUS = 0ID/mAVGS /VO- -2V- -4V根据衬底电压对根据衬底电压对ID的控制作用，又的控制作用，又称称U极为极为背栅极。背栅极。PP+N+N+SGDUVDSVGS- - +- - +阻挡层宽度阻挡层宽度 表面层中表面层中电子电子数数 SGUDIDSGUDIDPP+N+SGDUN+N沟道沟道DMOSNN+P+SGDUP+P沟道沟

12、道DMOSq 一、一、DMOS管结构管结构VGS=0时，导电沟道已存在时，导电沟道已存在沟道线是实线沟道线是实线2、耗尽型：当、耗尽型：当VGS0时，存在导电沟道，时，存在导电沟道，ID 01、增强型：当、增强型：当VGS0时，没有导电沟道，时，没有导电沟道，ID0 q 二、二、N-DMOS管管伏安特性（伏安特性（P119）ID/mAVDS /V0VDS = VGS VGS(th)VGS =1V- -1. 5V- - 1V- -0. 5V0V0. 5V- -1. 8VID/mAVGS /V0VGS(th)VDS 0，VGS 正、负、零均可。正、负、零均可。外部工作条件：外部工作条件：DMOS管

13、在饱和区与非饱和区的管在饱和区与非饱和区的ID表达式表达式与与EMOS管管相同相同。DMOS-P与与N差别仅在电压极性与电流方向相反。差别仅在电压极性与电流方向相反。转移特性转移特性NEMOS管输出曲线管输出曲线q 1 1、非饱和区、非饱和区相当三极管饱和区。相当三极管饱和区。 特点：特点：ID同时受同时受VGS与与VDS的控制。的控制。当当VGS=常数，常数，VDSID近似线性近似线性 ，表现为一种电阻特性；，表现为一种电阻特性； 当当VDS= =常数，常数，VGS ID ，表现出一种压控电阻的特性。，表现出一种压控电阻的特性。 沟道预夹断前对应的工作区。沟道预夹断前对应的工作区。条件：条件

14、：VGS VGS(th) 00 V DS VGS(th) 0V DS VGSVGS(th) 0 考虑沟道长度调制效应考虑沟道长度调制效应(CLME)(CLME)，输出特性曲线，输出特性曲线随随VDS的增加略有上翘。的增加略有上翘。注意：饱和区（又称有源区）对应三极管放大区。注意：饱和区（又称有源区）对应三极管放大区。数学模型数学模型( (理论与实验证明理论与实验证明) ) ：MOSMOS管的正向受控作用，服从平方律关系式：管的正向受控作用，服从平方律关系式：若考虑若考虑CLME，则，则ID的修正方程：的修正方程： 2GS(th)GSDSS2GS(th)GSOXnD)1 ()(2VVIVVlWC

15、IADS2GS(th)GSOXnD1)(2VVVVlWCIDS2GS(th)GSOXn1)(2VVVlWC其中：其中： =-1/VA称称沟道长度调制系数，其值与沟道长度调制系数，其值与l 成反比。成反比。通常通常 =( 0.005 0.03 )V- -1（3-1-9）（3-1-10）当当VGS=2VGS(th)漏极电流漏极电流2GS(th)OXnDSSD2VlWCII可画出转移可画出转移特性曲线。特性曲线。q 3 3、截止区、截止区特点：特点：相当于相当于MOS管三个电极断开。管三个电极断开。 ID/mAVDS /V0VDS = VGS VGS(th)VGS =5V3.5V4V4.5V沟道未形

16、成时的工作区沟道未形成时的工作区. .条件：条件： VGS 2V及ID= 2.25mAVGS= -1V4-2=2V因此因此 验证得知：验证得知： VDS VGSVGS(th) ，VGS VGS(th)，假设成立。假设成立。（3-1-9）DSDSDSGGS40IRIRIVVV例例3-1-2：方法同上。：方法同上。2GS(th)GSOXD)(2VVlWCI（3-1-9）带入已知条件解上述方程组得：带入已知条件解上述方程组得： ID= 0.25mAVGS= -1V-2V及ID= 1mAVGS= -4V-1+2=1V因此因此 验证得知：验证得知： VGS VGS(th)，VDS VGSVGS(th)

17、，假设成立。假设成立。解：解： 假设假设T工作在放大模式。工作在放大模式。 N-EMOSq二、小信号模型二、小信号模型FET小信号等效电路分析法与三极管相似。小信号等效电路分析法与三极管相似。 利用利用小信号小信号（微变）微变）等效电路分析等效电路分析电路电路 （动态）（动态）交流指标。交流指标。 画交流通路。画交流通路。 将将FETFET用小信号电路模型代替。用小信号电路模型代替。 计算微变参数计算微变参数gm、rds注：具体分析在注：具体分析在第四章中第四章中详细介绍。详细介绍。 栅、源之间只有电压栅、源之间只有电压VGS，而无电流，而无电流取全微分得：取全微分得：DSDSDGSGSDDd

18、VdVdGSDSVVViViiGSVDSVDSi（3-1-12）将场效应管视为二端口网络将场效应管视为二端口网络（1）由于）由于场场效应管效应管G G、S S之间开路，之间开路，I IG G 0 0，所以输，所以输入电阻入电阻r rgsgs 。而而三极三极管发管发射结正偏，射结正偏，故输入电故输入电阻阻r rb b e e较小。较小。q二、小信号模型二、小信号模型DSDSDGSGSDDdvdvdGSDSvvvivii令令mGSDgDSVvidsDSD1GSrviV， 若信号较小，则若信号较小，则gm和和rds近似为常数近似为常数于是，有于是，有dsdsgsmd1vrvgI （3-1-13） 跨

19、导跨导gm由由VGS=VGSQ时的转移特性曲线上时的转移特性曲线上Q点处切线斜率决定，点处切线斜率决定，如图所示如图所示Qgmrds为为VGS=VGSQ时输出特性曲线上时输出特性曲线上Q点处切线斜率的倒数点处切线斜率的倒数Q理想时理想时,场效应管简化等效模型场效应管简化等效模型 MOS管管跨导跨导QGSDmvig2GS(th)GSOXD)(2VVlWCI利用利用比较三极管比较三极管跨导跨导CQeQEBC5.38Irvigm 通常通常MOS管的跨导比管的跨导比三极管的三极管的跨导要小一个数量跨导要小一个数量级以上，即级以上，即MOS管放大能力比三极管弱。管放大能力比三极管弱。（3-1-16）（3

20、-1-9）（2-2-18）DQDSSGS(th)DQOXQGSDm222IIVIlWCvig得：qN-EMOSN-EMOS管简化小信号电路模型管简化小信号电路模型( (与三极管对照与三极管对照) ) gmvgsrdsgdsicvgs- -vds+- -rb ercebceibic+- - -+vbevcegmvb e（2）rds为为场效应管场效应管输出电阻：输出电阻：DQDQds1IVIrA与三极管与三极管输出电阻表达式输出电阻表达式 相似。相似。CQce1Ir（3-1-15）q 计及衬底效应的计及衬底效应的MOS管简化电路模型管简化电路模型 如如B B与与S S不相连，考虑到衬底电压不相连，

21、考虑到衬底电压vus对漏极电流对漏极电流id的的控制作用，小信号等效电路中需增加一个压控电流源控制作用，小信号等效电路中需增加一个压控电流源gmbvbs。gmvgsrdsgdsidvgs- -vds+- -gmbvbsgmb称背栅（称背栅（衬底衬底）跨导：）跨导：mQbsDmbgvig工程上，工程上， 为常为常数，数，一般一般 = 0.1 0.2（3-1-19）q MOS MOS管高频小信号电路模型管高频小信号电路模型 当高频应用时，需计及管子极间电容的影响，当高频应用时，需计及管子极间电容的影响，应采用如下高频等效电路模型。应采用如下高频等效电路模型。栅源极间栅源极间平板电容平板电容漏源极间

22、电容漏源极间电容（漏衬与（漏衬与源衬之间的势垒电容）源衬之间的势垒电容）栅漏极间平栅漏极间平板板密勒密勒电容电容gmvgsrdsgdsidvgs- -vds+- -CdsCgdCgsP123P123图图(b)(b)例例3-1-3 解：解：VAggIrVAIlWCg7 .55101)2(55722)1 (mmbDQdsDQOXm)3(5（3-1-19）（3-1-17）（3-1-16）（3-1-25）（3-1-24）q 电路符号及电流流向电路符号及电流流向SGUDIDSGUDIDUSGDIDSGUDIDN-EMOSN-DMOSP-DMOSP-EMOSq 转移特性转移特性IDVGS0VGS(th)I

23、DVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)3.1.7 六种场效应管的符号及伏安特性。六种场效应管的符号及伏安特性。 3.2 3.2 结型场效应管（结型场效应管（JFETJFET）N沟道管沟道管P沟道管沟道管实际结构及符号见后。实际结构及符号见后。 P-JFET与与N-JFET工作原理类似。工作原理类似。不同点：不同点：偏置电偏置电压极性、载流子类型。本书只讨论压极性、载流子类型。本书只讨论N-JFET。类型类型MOSFET利用利用VGS大小，来改变大小，来改变衬底衬底表面感生电荷的多表面感生电荷的多少，即少，即改变导电沟道的深浅，改变导电沟道的深浅，从而控制漏

24、极电流大小。从而控制漏极电流大小。 JFET利用利用PNPN结反向电压来结反向电压来控制控制耗尽层厚度，改变导电沟耗尽层厚度，改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流大小。道的宽窄，从而控制漏极电流大小。 N-JFET结构结构 N型导电沟道型导电沟道漏极漏极D(d)沟道电阻沟道电阻 长度、长度、宽度宽度、掺杂、掺杂P+P+反偏的反偏的PN结结 反偏电压反偏电压控制耗尽层控制耗尽层结构特点结构特点:空间电荷区空间电荷区(耗尽层耗尽层)栅极栅极G(g)源极源极S(s)N型型阻挡层宽度阻挡层宽度 ，向低掺杂，向低掺杂的的N区扩展。区扩展。q N沟道沟道JFET管管外部工作条件外部工作条件 VDS 0 (

25、 (保证栅漏保证栅漏PN结反偏结反偏) )VGS 0 ( (保证栅源保证栅源PN结反偏结反偏) )P+P+NGSD- + + VGSVDS+ + - -q VGS对沟道宽度的对沟道宽度的影响：影响：若若VDS=0|VGS | 阻挡层宽度阻挡层宽度 若若|VGS | 继续继续 沟道全夹断沟道全夹断使使VGS =VGS (off)夹断电压夹断电压NGSD- + + VGSP+P+N型沟道宽度型沟道宽度 沟道电阻沟道电阻Ron VGS0 (反偏反偏) g d s P+ N P+ 耗耗尽尽层层 g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ 耗尽层加耗尽层加宽宽厚厚|VGS | 增加增加沟道变

26、窄沟道变窄沟道电阻增大沟道电阻增大沟道沟道全夹断（夹断电压）全夹断（夹断电压） |VGS|断断VP VDS很小时很小时 VGD VGS由图由图 VGD = VGS - - VDS因此，因此， V VDSDS I ID D线性线性 若若VDS 则则VGD 近漏端沟道近漏端沟道 Ron增大增大。此时此时, ,Ron ID 变慢。变慢。q VDS对沟道的控制对沟道的控制（设（设VGS 一定一定）NGSD- + + VGSP+P+VDS+- -此时此时W近似不变，近似不变，即即Ron不变。不变。DSGSGDVVV讲讲P119GD间间PN结反向电压增加结反向电压增加,使靠近漏极的耗尽层加宽使靠近漏极的耗

27、尽层加宽,呈楔形分布。呈楔形分布。0 当当VDS增加到增加到使使VGD 且且=VGS(off)时，时， A点出现点出现预夹断。预夹断。 若若VDS 继续继续 A点下移点下移出现夹断区。出现夹断区。此时此时 VAS =VAG +VGS =- -VGS(off) +VGS （恒定）（恒定）NGSD- + + VGSP+P+VDS+- -ANGSD- + + VGSP+P+VDS+- -A 常数GSDSDVVI VDGVGS VGS(off) V DS VGS VGS(off)V DS VGSVGS(off) 在饱和区，在饱和区，JFET的的ID与与VGS之间也满足平方律关之间也满足平方律关系，但由

28、于系，但由于JFET与与MOS管结构不同，故管结构不同，故方程不同。方程不同。（3-2-3）)1 (1ADS2GS(off)GSDSSDVvVvIi（3-2-4）CLMECLME JFET转移特性曲线转移特性曲线 同同MOS管，管，JFET的转移特性也可由输出特性的转移特性也可由输出特性转换得到转换得到( (略略) )。 ID = =0 时对应的时对应的VGS值值 夹断电压夹断电压VGS（off） 。VGS(off)ID/mAVGS /V0IDSS ( (N- -JFET) )ID/mAVGS /V0IDSSVGS(off) ( (P- -JFET ) )VGS= =0 时对应的时对应的ID

29、值值 饱和漏电流饱和漏电流IDSS。 1、转移特性、转移特性2 2、电流方程、电流方程2GS(off)GSDSSD1VVIi( VGS（off)VGSVGS-VGS(off) )-JFET常数DS)(GSDVVfi(N-JFET)q三、截止区三、截止区特点：特点：沟道全夹断的工作区。沟道全夹断的工作区。条件：条件： VGS 0，ID流入管子漏极。流入管子漏极。 P沟道沟道FET：VDS vGS vGS(th) 因此因此当当 vGS vGS(th) 时时N- -EMOS管管工作在饱和区。工作在饱和区。伏安特性：伏安特性：2GS(th)OXn)(2VvlWCiiDvGSVQIQQ直流电阻：直流电阻

30、：QQ/ IVR （小）（小）交流电阻：交流电阻：ivr/（大）（大）Tvi+- -+- -vRiq N- -DMOS管管GS相连相连构成有源电阻构成有源电阻v = vDS ，vGS =0 ，i = iD由图由图因此，当因此，当 vDS 0 vGS(th)时，管子工作在饱和区。时，管子工作在饱和区。伏安特性即伏安特性即vGS = 0 时的输出特性。时的输出特性。由由2GS(th)GSOXn)(2VvlWCi得知得知当当vGS =0 时，电路近似恒流输出。时，电路近似恒流输出。iDvDSVQIQQ- -VGS(th)vGS= =0 0Tvi+- -+- -vRiq 有源电阻有源电阻构成分压器构成

31、分压器若两管若两管 n 、 COX 、VGS(th)相同，则相同，则联立求解得：联立求解得：T1V1I1+- -I2V2+- -VDDT2由图由图I1 = I2V1 + V2 = VDD2GS(th)22OXn2GS(th)11OXn)()(2)()(2VVlWCVVlWCV1 + V2 = VDD1)/()/(1)/()/(12GS(th)12DD2lWlWVlWlWVV调整沟道宽长比（调整沟道宽长比（W/l），可得所需的分压值。），可得所需的分压值。1 1、MOS管管截止模式判断方法截止模式判断方法假定假定MOS管工作在放大模式：管工作在放大模式：放大模式放大模式非饱和模式非饱和模式（需重

32、新计算（需重新计算Q Q点）点）N沟道管沟道管：VGS VGS(th)截止条件截止条件2 2、MOS管管非饱和与饱和（放大）模式判断方法非饱和与饱和（放大）模式判断方法a)a)由直流通路写出管外电路由直流通路写出管外电路VGS与与ID之间关系式。之间关系式。c)c)联立解上述方程，选出合理的一组解。联立解上述方程，选出合理的一组解。d)d)判断电路工作模式：判断电路工作模式：若若|VDS| |VGSVGS(th)| 若若|VDS| 0， P沟道沟道：VDS 0 VGS极性取决于工作方式及沟道类型。极性取决于工作方式及沟道类型。 增强型增强型MOS管：管： VGS 与与VDS 极性相同。极性相同

33、。耗尽型耗尽型MOS管：管： VGS 取值任意。取值任意。 饱和区数学模型与管子类型无关。饱和区数学模型与管子类型无关。 2GS(th)GSOXD)(2VVlWCI（3-1-9）MOS管管 1. N-JFET管管 （1）特性曲线）特性曲线 （2）电流方程）电流方程2GS(off)GSDSSD1VVIi（工作于恒流区）（工作于恒流区）(3-2-3) （1）特性曲线）特性曲线 （2）电流方程）电流方程2GS(th)GSDSSD1VVIi 2. N-EMOS2. N-EMOS管管（工作于恒流区）（工作于恒流区）(3-1-7) 3. N-DMOS管管 （1）特性曲线）特性曲线 （2）电流方程）电流方程

34、2GS(off)GSDSSD1VVIi（工作于恒流区）（工作于恒流区）DSSI注意注意增加增加N-EMOS管管一、基本共源电路一、基本共源电路 1、电路组成、电路组成 类似例类似例2:（3-1-7） 2 2、静态、静态Q Q点的确定点的确定 令令0i U则则交点交点Q VGSQ=VGG，2GS(th)GSDSSD1VVIi2GS(th)GGDSSDQ1VVII二、分压式偏置电路二、分压式偏置电路 1、静态、静态Q点的确定点的确定静态时静态时DDg2g1g1AGQVRRRVVsDQSQRIV于是，有于是，有sDQDDg2g1g1SQGQGSQRIVRRRVVV2GS(th)GSQDSSDQ1VV

35、II)(sdDQDDDSQRRIVV类似类似例例1：(3-1-7)+ T+RGSDGRDR2VDD+RLRSR1C1CSC2+iUoU图图 2.7.5分压分压 式偏置电路式偏置电路2 2、图解法图解法由式由式SDDD211SDGQGSRiVRRRRiUu 可做出一条直线，可做出一条直线，另外，另外，iD 与与 uGS 之间满之间满足转移特性曲线的规律，足转移特性曲线的规律，二者间交点为静态工作二者间交点为静态工作点，确定点，确定 UGSQ， IDQ 。SDDDRRV 根据漏极回路方程根据漏极回路方程在漏极特性曲线上做直流负载线，在漏极特性曲线上做直流负载线， 与与 uGS = UGSQ 的的交点确定交点确定 Q，由，由 Q 确定确定 UDSQ 和和 IDQ值。值。UDSQuDS = VDD iD(RD +