CMOS器件模型PPT学习教案

1、会计学1CMOS器件模型器件模型2第1页/共59页3集成电路中的无源元件包括:互连线、电阻、电容、电感、传输线等 第2页/共59页4寄生效应第3页/共59页5第4页/共59页6 阻值计算 最小宽度第5页/共59页7栅漏短接的MOS有源电阻及其I-V曲线2TNoxnox)(2GSVVVWLtIVV)(11TNoxnoxmDSGSDSDSdsGSGSVVWLtgIVIVrVVVVds栅、漏短接并工作在饱和区的MOS有源电阻 第6页/共59页8饱和区的NMOS有源电阻示意图ds条件：条件：VGS保持不变保持不变VGS保持不变的饱和区有源电阻第7页/共59页9第8页/共59页10总结： 有源电阻的几种

2、形式onds第9页/共59页11第10页/共59页12第11页/共59页13LCf210dlwCr0f f0 / 3第12页/共59页14单匝单匝线圈版图）（pH2)/8ln(26. 1waaLa，w 取微米单位第13页/共59页15)2860(4 .25)(22ioiorrNrrpHLn多匝螺旋形线圈电感值计算公式为：第14页/共59页16电感精度：电感模型第15页/共59页174/ 0000/ 2 tan 2 tanh 2lclZlZlZLn ltgjZlZ0)(lctgjzz0第16页/共59页18第17页/共59页19(a) (b)典型微带线的剖面图典型微带线的剖面图(a)和覆盖钝化膜

3、的微带线和覆盖钝化膜的微带线(b)第18页/共59页20)40/(,2/10rhwn GaAs衬底的厚度200um第19页/共59页21hwwhZreffL48ln606144. 042. 2120whwhhwZreffLw/h1微带线微带线第20页/共59页22(a) (b)常规共面波导(a)与双线共面波导(b)第21页/共59页23)40/(2/10rdwdZreffL2ln120dwdwZreffL/1/12ln30217. 0dw17. 0dw第22页/共59页24CPW的优缺点的优缺点第23页/共59页25第24页/共59页26第25页/共59页27第26页/共59页28第27页/共

4、59页29第28页/共59页30第29页/共59页31第30页/共59页32第31页/共59页33第32页/共59页34第33页/共59页35第34页/共59页36第35页/共59页37第36页/共59页38第37页/共59页39第38页/共59页40第39页/共59页41第40页/共59页42第41页/共59页43第42页/共59页44第43页/共59页45第44页/共59页46第45页/共59页47& Include files.INC and2.subckt& Library Call.LIB /vlsi-data/eda_models/hspice/tsmc035/lo

5、gsp35.l TT& NetlistR223100meg& Output Control.meas tran Tr TRIG v(in) val=3.3/2 TD=10n RISE=1+ TARG v(out) val=3.3/2 RISE=1.meas tran Tf TRIG v(in) val=3.3/2 TD=10n FALL=1+ TARG v(out) val=3.3/2 FALL=1.meas Tdelay param=(Tr+Tf)/2第46页/共59页48Vdcn1n2tdtperv1v2tpwtftrIdc n3 n4 20mPulse: Vpul n1 n2 pulse( v1 v2 td tr tf tpw tper )20mAn3n4第47页/共59页49 Transient analysis.TRAN 0.1n 100n UIC Operating Point.OP DC Sweep AC small signal analysis.ACLIN1K100MEG.ACDEC1K100MEGv Executing HSPICE% hspice 第48页/共59页50第49页/共59页51第50页/共59页52第51页/共59