薄膜的制备蒸镀PPT课件

1、一、薄膜的物理气相沉积一、薄膜的物理气相沉积2 2、脉冲激光沉积法脉冲激光沉积法二、薄膜的化学气相沉积二、薄膜的化学气相沉积1 1、薄膜的蒸镀法薄膜的蒸镀法3 3、薄膜的溅射沉积薄膜的溅射沉积第1页/共58页二、薄膜的物理气相沉积二、薄膜的物理气相沉积PVD 1、衬底的准备、衬底的准备 2、真空蒸镀法、真空蒸镀法 3、脉冲激光沉积法、脉冲激光沉积法4、溅射沉积法第2页/共58页1、衬底的准备（1 1）衬底的选取）衬底的选取膨胀系数与薄膜相接近；膨胀系数与薄膜相接近；对于需要外延生长的薄膜，要选取晶格相匹配的单对于需要外延生长的薄膜，要选取晶格相匹配的单晶衬底；晶衬底；根据制备薄膜的目的，还要考

2、虑衬底的电阻率、介根据制备薄膜的目的，还要考虑衬底的电阻率、介电常数、磁性、硬度、弹性模量等等电常数、磁性、硬度、弹性模量等等i i、玻璃是常用的衬底材料、玻璃是常用的衬底材料石英玻璃石英玻璃-SiO2 ; 99.5% ；软化温度：；软化温度：1580oC；使用温度：使用温度：950oC； 膨胀系数：膨胀系数：5.5 10-7/oC第3页/共58页名称分子式 结晶类型晶格常数(nm)热膨胀系数(10-7/oC)食盐NaCl立方晶体a=0.5628水晶SiO2六方晶体a=0.41931c=0.54046a/133.7c/79.7蓝宝石Al2O3三方晶体a=0.4763c=1.3003a/45c/

3、53氧化镁MgO立方晶体a=0.4203138硅Si金刚石型a=0.543126砷化镓GaAs闪锌矿结构a=0.5641957iiii、常用单晶衬底常用单晶衬底第4页/共58页单晶衬底单晶衬底-用薄膜外延生长；通过从解理面切开用薄膜外延生长；通过从解理面切开的方法获得平整、洁净的衬底；的方法获得平整、洁净的衬底；食盐晶体食盐晶体-因为是水溶性的，沉积薄膜后，通过因为是水溶性的，沉积薄膜后，通过在水中浸泡，可获得便于电镜观察的无衬底的薄在水中浸泡，可获得便于电镜观察的无衬底的薄膜（用膜（用TEM时制备样品）。在实验中广泛应用；时制备样品）。在实验中广泛应用；氧化镁晶体氧化镁晶体-用于钛酸锶、用于

4、钛酸锶、YBCO超导膜等等；超导膜等等；硅硅-大量用于半导体器件薄膜的制备；大量用于半导体器件薄膜的制备；砷化镓砷化镓-通常用于超晶格外延生长薄膜；通常用于超晶格外延生长薄膜；第5页/共58页（2 2）衬底的清洗）衬底的清洗 衬底表面的污染对于衬底表面的污染对于薄膜的物理化学性能有极大的影响。薄膜的物理化学性能有极大的影响。i）超声波清洗）超声波清洗原理：超声波在液体中传播时，在液体中会发生产原理：超声波在液体中传播时，在液体中会发生产生气泡又消失的现象（气穴效应）。气穴内的压力生气泡又消失的现象（气穴效应）。气穴内的压力瞬时局部升高，其作用在放在液体中的衬底时，就瞬时局部升高，其作用在放在液

5、体中的衬底时，就在其表面产生局部温升和局部高速流动，结果使衬在其表面产生局部温升和局部高速流动，结果使衬底表面得到清洗。此方法对于除去油脂类污染有效。底表面得到清洗。此方法对于除去油脂类污染有效。操作：把衬底放入烧杯，倒入丙酮或酒精。将烧杯操作：把衬底放入烧杯，倒入丙酮或酒精。将烧杯放入已放入水的超声波清洗器水槽。清洗放入已放入水的超声波清洗器水槽。清洗5分钟。取分钟。取出后，用氮气吹干，出后，用氮气吹干，尽快放入真空室中尽快放入真空室中。第6页/共58页ii）硅片的清洗）硅片的清洗1:10:1 mixture HF, ethanol, distilled water;1% HF soluti

6、on diluted with the deionized water;第7页/共58页iii）离子轰击法）离子轰击法 在真空室中设置正负电极，放入氩气。用辉在真空室中设置正负电极，放入氩气。用辉光放电时期产生离子。将衬底置于放电空间，具光放电时期产生离子。将衬底置于放电空间，具有一定速度的离子轰击衬底表面，衬底表面的分有一定速度的离子轰击衬底表面，衬底表面的分子被离子从衬底表面打出来。子被离子从衬底表面打出来。 这种方法对于各种污染都是有效的。但是衬这种方法对于各种污染都是有效的。但是衬底表面会受到一定程度的破坏。底表面会受到一定程度的破坏。第8页/共58页第9页/共58页第10页/共58页

7、第11页/共58页第12页/共58页2、真空蒸镀法原理：在真空中将制造薄膜的物质加热蒸发并使其原理：在真空中将制造薄膜的物质加热蒸发并使其沉积到适当的衬底表面。沉积到适当的衬底表面。优点：优点：1）设备结构简单；）设备结构简单；2）许多物质都可以用真空蒸镀制备薄膜；）许多物质都可以用真空蒸镀制备薄膜；3）薄膜的形成机理比较简单，可以晶核的形成和生长理论）薄膜的形成机理比较简单，可以晶核的形成和生长理论来解释；来解释；4）由于制作薄膜时热、电的干扰小，所以是用于薄膜形成）由于制作薄膜时热、电的干扰小，所以是用于薄膜形成是薄膜物理的研究；是薄膜物理的研究；5）能制备与源材料不同成分比的化合物，也能

8、制备具有与）能制备与源材料不同成分比的化合物，也能制备具有与源材料不同晶体结构的薄膜。源材料不同晶体结构的薄膜。第13页/共58页缺点：缺点：1）薄膜与衬底之间的结合力一般比较小；）薄膜与衬底之间的结合力一般比较小；2）对薄膜结构敏感的一些性质，再现性差，可靠）对薄膜结构敏感的一些性质，再现性差，可靠性差，无论用什么方法制备薄膜都有这个问题存性差，无论用什么方法制备薄膜都有这个问题存在，而真空蒸镀的薄膜这个问题特别突出。在，而真空蒸镀的薄膜这个问题特别突出。3）高熔点物质和低蒸气压物质的真空蒸镀膜时很）高熔点物质和低蒸气压物质的真空蒸镀膜时很难制作的。例如铂、钽。难制作的。例如铂、钽。4）蒸发

9、物质的坩埚材料也或多或少的一起蒸发，）蒸发物质的坩埚材料也或多或少的一起蒸发，从而混入薄膜中成为杂质。真空室中的残留气体从而混入薄膜中成为杂质。真空室中的残留气体分子也会进入薄膜成为杂质。分子也会进入薄膜成为杂质。第14页/共58页1 1）物质的蒸发速度）物质的蒸发速度在一定温度下，每种液体、固体都具有特定的平衡蒸在一定温度下，每种液体、固体都具有特定的平衡蒸气压，只有当环境中被蒸发物质的分压降低到它的平气压，只有当环境中被蒸发物质的分压降低到它的平衡蒸气压以下时，才有物质的净蒸发。单位源物质表衡蒸气压以下时，才有物质的净蒸发。单位源物质表面上物质的净蒸发速率面上物质的净蒸发速率ehppdNd

10、tmkT2= 01 蒸发系数； pe-物质的平衡蒸气压ph-物质的实际蒸气分压；物质的平衡蒸气压随温度上升增加得很快，因此对物质蒸发速度影响最大的因素是蒸发源的温度。与 Knudsen克努森方程克努森方程比较第15页/共58页3 3、单位面积上气体分子的碰撞频率（单位面积上气体分子的通量）nvpkTpkTmmkT 8442薄膜的沉积速度应该正比于单位面积上气体分子的通量。所以，薄膜的沉积速度应与气体的压强成正比，与气体的温度、分子的质量的平方根成反比。-（Knudsen克努森方程，是真空和薄膜沉积技术中最常用的方程之一）第16页/共58页2 2）蒸气的方向性）蒸气的方向性物质在蒸发的过程中，蒸

11、发原子的运动具有明显物质在蒸发的过程中，蒸发原子的运动具有明显的方向性。它对于薄膜的均匀性有显著的影响。的方向性。它对于薄膜的均匀性有显著的影响。第17页/共58页sesdMM cosdAr24Me蒸发出来的物质总量dAs-衬底面积元dMsdAs上接受的沉积物的质量-衬底表面与空间角法线的偏离角r蒸发源于衬底间的距离点蒸发源点蒸发源第18页/共58页sesdMM coscosdAr2Knudsen cellMe蒸发出来的物质总量dAs-衬底面积元dMsdAs上接受的沉积物的质量-衬底表面与空间角法线的偏离角dAs与蒸发源平面法线间的夹角r蒸发源于衬底间的距离物质蒸发的方向性遵从余物质蒸发的方向

12、性遵从余弦（弦（cos）关系！关系！第19页/共58页第20页/共58页第21页/共58页3）蒸发源-蒸发材料的加热装置蒸镀的装置真空室+加热装置（蒸发源）+衬底蒸发源蒸发源电阻加热电阻加热；电子束加热电子束加热；高频感应加热高频感应加热i i、电阻加热电阻加热 把片状或线状高熔点金属把片状或线状高熔点金属（钨、钼、钛、钽）做成适当形状的蒸发源（钨、钼、钛、钽）做成适当形状的蒸发源, ,装上蒸镀装上蒸镀材料，通电流加热蒸镀材料，使其蒸发。材料，通电流加热蒸镀材料，使其蒸发。优点：结构简单。优点：结构简单。缺点：薄膜材料与蒸发源直接接触，由此引起蒸缺点：薄膜材料与蒸发源直接接触，由此引起蒸发源材

13、料成为杂质混入薄膜材料；薄膜材料与蒸发源材料成为杂质混入薄膜材料；薄膜材料与蒸发源材料发生反应；薄膜材料的蒸镀受到蒸发源发源材料发生反应；薄膜材料的蒸镀受到蒸发源材料熔点的限制。材料熔点的限制。第22页/共58页螺线形蒸发源：用钨丝、或螺线形蒸发源：用钨丝、或钽丝容易制备。加热电流钽丝容易制备。加热电流20A左右。左右。薄膜材料是向整个空间蒸发，薄膜材料是向整个空间蒸发，材料损耗大，粉末状薄膜材材料损耗大，粉末状薄膜材料不能使用。料不能使用。舟形蒸发源舟形蒸发源：蒸发方向被限：蒸发方向被限制在半个空间，可以放置任制在半个空间，可以放置任何形状的薄膜材料。何形状的薄膜材料。薄膜材料只能从下向上蒸

14、发。电薄膜材料只能从下向上蒸发。电流可能超过流可能超过100A，需要特殊的，需要特殊的变压器。变压器。第23页/共58页影响蒸发源材料的选择的三个因素影响蒸发源材料的选择的三个因素 蒸发源材料的熔点、蒸气压蒸发源材料的熔点、蒸气压 薄膜材料的蒸发温度（平衡蒸气压为薄膜材料的蒸发温度（平衡蒸气压为1Pa时时的温度）多数在的温度）多数在1000K2000K之间，所以蒸发之间，所以蒸发源材料的熔点必须高于这个温度。源材料的熔点必须高于这个温度。 此外，还必须考虑蒸发源材料在蒸发蒸镀材此外，还必须考虑蒸发源材料在蒸发蒸镀材料时，也随着蒸发而成为杂质进入薄膜。因此必料时，也随着蒸发而成为杂质进入薄膜。因

15、此必须考虑蒸发源材料的平衡蒸气压。使薄膜材料的须考虑蒸发源材料的平衡蒸气压。使薄膜材料的蒸发温度低于蒸发源材料平衡蒸气压为蒸发温度低于蒸发源材料平衡蒸气压为10-10Pa时的温度。在杂质较多而不受影响的情况下，也时的温度。在杂质较多而不受影响的情况下，也可采用与可采用与10-7Pa相对应的温度。相对应的温度。第24页/共58页第25页/共58页高温使蒸发源材料与薄膜材料发生反应高温使蒸发源材料与薄膜材料发生反应 形形成化合物、合金成化合物、合金钽钽-金金铝、铁、镍、钴铝、铁、镍、钴-钨、钼、钽钨、钼、钽 在高温时形在高温时形成合金。成合金。形成合金，熔点下降，蒸发源容易烧断，因形成合金，熔点下

16、降，蒸发源容易烧断，因此要避免相应的搭配。此要避免相应的搭配。第26页/共58页薄膜材料对蒸发源的薄膜材料对蒸发源的“浸润性浸润性”浸润的情况浸润的情况下薄膜材料下薄膜材料的蒸发可以的蒸发可以看作是面蒸看作是面蒸发；发；而不浸润的而不浸润的情况则可视情况则可视为点蒸发。为点蒸发。不浸润的情况下，蒸发材料容易不浸润的情况下，蒸发材料容易从蒸发源上掉下来。从蒸发源上掉下来。螺线形蒸发源螺线形蒸发源-舟形蒸发源舟形蒸发源第27页/共58页ii、电子束加热：电子束加热：原理图：原理图：通过改变电子束功率，和电通过改变电子束功率，和电子束的聚焦，可以控制加热子束的聚焦，可以控制加热温度。通过改变电场，磁

17、场温度。通过改变电场，磁场使电子束扫描薄膜材料。使电子束扫描薄膜材料。缺点：会产生较强的缺点：会产生较强的X射线，射线，需要设有需要设有X射线屏蔽装置；射线屏蔽装置；热效率低热效率低优点：由于电子束只加热薄膜优点：由于电子束只加热薄膜材料中很小的局部，薄膜材料材料中很小的局部，薄膜材料的大部分在坩埚中处于低温状的大部分在坩埚中处于低温状态，隔绝了薄膜材料熔融部分态，隔绝了薄膜材料熔融部分与坩埚的接触，避免了坩埚材与坩埚的接触，避免了坩埚材料的污染；蒸发温度也不受坩料的污染；蒸发温度也不受坩埚材料熔点的限制。埚材料熔点的限制。第28页/共58页4 4）纯元素蒸发、与蒸镀）纯元素蒸发、与蒸镀以单原

18、子或原子团的形式蒸发进入气相；以单原子或原子团的形式蒸发进入气相；蒸发形式：固态蒸发形式：固态-液态液态-气态气态（当温度达到（当温度达到 熔点时其平衡气压仍较低）熔点时其平衡气压仍较低） 固态固态-气态（升华）气态（升华）（在熔点附近平（在熔点附近平 衡气压已经较高）衡气压已经较高）第29页/共58页第30页/共58页例：镀银薄膜例：镀银薄膜银是最容易蒸镀的的物质之一2、安装衬底；、安装衬底；3、真空室抽气、真空室抽气 机械泵机械泵-扩散泵扩散泵 p=10-4Pa4、移动挡板，使蒸发的银原子不直接到衬底，而、移动挡板，使蒸发的银原子不直接到衬底，而直接到达膜厚计；衬底加热；直接到达膜厚计；衬

19、底加热；5、慢慢增大蒸发源电流；（预热）、慢慢增大蒸发源电流；（预热）蒸发源，银处于赤热状态，银熔化形成颗粒。蒸发源，银处于赤热状态，银熔化形成颗粒。-继续升高继续升高温度温度银球状颗粒表面浮现银球状颗粒表面浮现“渣斑渣斑”，并不停地旋转。，并不停地旋转。由于附着在蒸发源、银上的气体放出使真空度降低。（除由于附着在蒸发源、银上的气体放出使真空度降低。（除气）为了减小银的损耗，经过适当时间后，减小蒸发源电气）为了减小银的损耗，经过适当时间后，减小蒸发源电流，使蒸发量减小到膜厚计测量的灵敏度之下，直到真空流，使蒸发量减小到膜厚计测量的灵敏度之下，直到真空度恢复。度恢复。6、增大蒸发源的电流，使银的

20、蒸发率达到希望、增大蒸发源的电流，使银的蒸发率达到希望值。打开挡板，使银原子直接到达衬底。读出膜值。打开挡板，使银原子直接到达衬底。读出膜厚计的指示值，当衬底上薄膜蒸镀到预计膜厚时厚计的指示值，当衬底上薄膜蒸镀到预计膜厚时关闭挡板，切断蒸发源电流。关闭挡板，切断蒸发源电流。7、使衬底缓慢降温。待到衬底温度降到室温，打、使衬底缓慢降温。待到衬底温度降到室温，打开真空室，取出衬底。开真空室，取出衬底。步骤：步骤：1、放入蒸发物质、放入蒸发物质-银；银；0、清洗衬底、清洗衬底第31页/共58页5 5）合金的蒸发与蒸镀）合金的蒸发与蒸镀蒸发蒸发合金中原子间的结合力小于化合物中不同原子间合金中原子间的结

21、合力小于化合物中不同原子间的结合力，因此合金中各元素原子的蒸发过程可的结合力，因此合金中各元素原子的蒸发过程可以看作各自独立的过程，就像它们在纯元素蒸发以看作各自独立的过程，就像它们在纯元素蒸发时一样。时一样。不同的金属蒸发速度不同，合金成分蒸发时随时不同的金属蒸发速度不同，合金成分蒸发时随时间而变化。因此，薄膜的成分亦随时间改变。间而变化。因此，薄膜的成分亦随时间改变。第32页/共58页闪蒸蒸镀法：闪蒸蒸镀法： 把合金做成粉末，均匀的落入加把合金做成粉末，均匀的落入加热器中，使其一个一个在一瞬间完全蒸发从而保热器中，使其一个一个在一瞬间完全蒸发从而保证薄膜的组分与原料的组分一致。证薄膜的组分

22、与原料的组分一致。第33页/共58页双蒸发源蒸镀法：双蒸发源蒸镀法：第34页/共58页6 6）化合物的蒸发、与蒸镀）化合物的蒸发、与蒸镀 蒸发蒸发： 蒸发时化合物可能分解；蒸发时化合物可能分解； 在气相状态下，可能发生化合物各组元间的在气相状态下，可能发生化合物各组元间的 化合与分解过程；化合与分解过程； 沉积后的薄膜成分可能偏离原化合物的化学沉积后的薄膜成分可能偏离原化合物的化学 组成；组成；第35页/共58页第36页/共58页反应蒸镀法：反应蒸镀法：（主要用于制备高熔点化合物薄膜）（主要用于制备高熔点化合物薄膜）以蒸镀以蒸镀SiO2为例为例第37页/共58页第38页/共58页双蒸发源蒸镀法

23、（三温度法、分子束外延法）：双蒸发源蒸镀法（三温度法、分子束外延法）：-主要用于制备单晶半导体化合物（主要用于制备单晶半导体化合物（III-V族）薄膜族）薄膜一般合金的两种金属蒸气压差别不大，一般合金的两种金属蒸气压差别不大，1000K时时Co，Fe，Ni的蒸气压约为的蒸气压约为10-10Pa；Cr10-9Pa；Au，Pd10-8PaIII-V族的化合物中族的化合物中V族元素的蒸气压比族元素的蒸气压比III族元素族元素大得多。大得多。第39页/共58页第40页/共58页制备制备III-V族半导体化合物单晶薄膜时，衬底温度族半导体化合物单晶薄膜时，衬底温度必须保持在几百度。此时必须保持在几百度。

24、此时V族元素的蒸气压比族元素的蒸气压比III族元素高出很多，族元素高出很多，V族元素不会单独凝结在衬底族元素不会单独凝结在衬底上。如果存在上。如果存在III族元素，在适当的压力、温度条族元素，在适当的压力、温度条件下，件下，V族元素的蒸气与族元素的蒸气与III-V族化合物的固体保族化合物的固体保持平衡共存。因此制备持平衡共存。因此制备III-V族化合物的单晶薄膜族化合物的单晶薄膜时必须严格控制衬底、和两个蒸发源的温度。时必须严格控制衬底、和两个蒸发源的温度。这就是所谓的三温度法，分子束外延法就是在三这就是所谓的三温度法，分子束外延法就是在三温度法的基础上发展起来的。温度法的基础上发展起来的。第

25、41页/共58页第42页/共58页第43页/共58页1、生长速率一般为、生长速率一般为0.110单原子层单原子层/s。通过控制。通过控制快门闭启，可以实现喷射束流的快速切换，已达到快门闭启，可以实现喷射束流的快速切换，已达到层厚、组分、掺杂的原子尺度的控制；层厚、组分、掺杂的原子尺度的控制；2、与常规的外延生长方法相比，、与常规的外延生长方法相比，MBE生长的衬底生长的衬底温度较低（生长温度较低（生长GaAs时，时，T=5506500C），可以），可以减少异质结界面的互扩散，实现突变结；减少异质结界面的互扩散，实现突变结；分子束外延技术的特点：分子束外延技术的特点：3、分子束外延为台阶流生长或二维生长模式，可、分子束外延为台阶流生长或二维生长模式，可以使外延层表面及界面具有原子级平整度；以使外延层表面及界面具有原子