内存规格和技术介绍ppt课件

1、内存规格和技术引见 DDRlDDR严厉来说应该叫DDR SDRAM.lDDR: Double Data Rate. lDDR SDRAM:双倍速率同步动态随机储器l针对Intel新型芯片的一代内存技术但目前主要用于显卡内存，频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：l(1)功耗和发热量较小：汲取了DDR2的教训，在控制本钱的根底上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 l(2)任务频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的任务频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺陷，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 l(3)降低显卡整体本钱：DDR2显

2、存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，本钱得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 l(4)通用性好：相对于DDR变卦到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示中心和公版设计的显卡稍加修正便能采用DDR3显存，这对厂商降低本钱大有益处。 l目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的运用。 l一、DDR3在DDR2根底上采用的新型设计： lDDR3 l1

3、8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只需接口频率的1/8，DDR3-800的中心任务频率只需100MHz。 l2采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 l3采用100nm以下的消费工艺，将任务电压从1.8V降至1.5V，添加异步重置Reset与ZQ校准功能。 l二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： l1.突发长度Burst Length，BL l由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期Burst Length，BL也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此添加了一个4bit Burst Cho

4、p突发突变方式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可经过A12地址线来控制这一突发方式。而且需求指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以制止，且不予支持，取而代之的是更灵敏的突发传输控制如4bit顺序突发。 l2.寻址时序Timing l就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数添加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围普通在25之间，而DDR3那么在511之间，且附加延迟AL的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是04，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新添加了

5、一个时序参数写入延迟CWD，这一参数将根据详细的任务频率而定。 l3.DDR3新增的重置Reset功能 l重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门预备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求添加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处置变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停顿一切操作，并切换至最少量活动形状，以节约电力。 l在Reset期间，DDR3内存将封锁内在的大部分功能，一切数据接纳与发送器都将封锁，一切内部的程序安装将复位，DLL延迟锁相环路与时钟电路将停顿任务，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3到达最节省电力的目的。 l

6、l4.DDR3新增ZQ校准功能 lZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚经过一个命令集，经过片上校准引擎On-Die Calibration Engine，ODCE来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期对导通电阻和ODT电阻进展重新校准。 l5.参考电压分成两个 l在DDR3系统中，对于内存系统任务非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号效力的VREFCA和为数据总线效力的

7、VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。 l6.点对点衔接Point-to-Point，P2P l这是为了提高系统性能而进展的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点P2P的关系单物理Bank的模组，或者是点对双点Point-to-two-Point，P22P的关系双物理Bank的模组，从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有规范DIMM台式PC、SO-DIMM/Micro-DIMM笔记

8、本电脑、FB-DIMM2效力器之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2高级内存缓冲器。 l面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、部分自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它能够首先遭到挪动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是效力器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也估计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。 l在前面的引见中，我们曾经了解，当前

9、市场上主流的内存还是DDR系列，且如今主打得是DDR2系列，未来的主流将是DDR3系列。l我们下面就主要针对DDR系列进展引见。内存的一些技术参数l内存容量内存容量内存容量是指存放计算机运转所需的程序和数据的多少。内存容量直内存容量是指存放计算机运转所需的程序和数据的多少。内存容量直接关系到计算机的整体性能，是除接关系到计算机的整体性能，是除CPU之外能阐明计算机档次等级的之外能阐明计算机档次等级的一个重要目的。一个重要目的。 l数据带宽数据带宽数据带宽是指内存一次输出数据带宽是指内存一次输出/输入的数据量，是衡量内存性能的重要输入的数据量，是衡量内存性能的重要目的。通常情况下，目的。通常情况

10、下，PC100的的SDRAM在额定频率在额定频率100MHz下任下任务时，其峰值传输率可以到达务时，其峰值传输率可以到达800MBps；任务在；任务在133MHz的情况下，的情况下，其峰值的传输率曾经到达了其峰值的传输率曾经到达了1.06GBps，这一速度比，这一速度比PC100提高了提高了200MBps。在实践运用中，其性能提高的效果是很明显的。对于。在实践运用中，其性能提高的效果是很明显的。对于DDR而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以任务在任务在133MHz时，它的实践传输率可以到达时，它的实践传输率可以到达2.

11、1GBps。计算内存带宽的公式也很简单：内存带宽总量计算内存带宽的公式也很简单：内存带宽总量Mbytes最大时最大时钟速频率钟速频率MHz总线宽度总线宽度bits每时钟数据段数量每时钟数据段数量8。l内存频率内存频率l l 内存主频和内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能到达的最高任务频率。内存主速度，它代表着该内存所能到达的最高任务频率。内存主频是以频是以MHz兆赫为单位来计量的。内存主频越高在一兆赫为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能到达的速度越快。内存主频决议定程度上代表着内存所能到达的速度越快。内存主频

12、决议着该内存最高能在什么样的频率正常任务。着该内存最高能在什么样的频率正常任务。 l 内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存任务时的时内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存任务时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决议本身的任务频率，其实践提供的，也就是说内存无法决议本身的任务频率，其实践任务频率是由主板来决议的。任务频率是由主板来决议的。 l DDR内存和内存和DDR2内存的频率可以用任务频率和等效内存的频率可以用任务频率和等效频率两种方式表示，任务频率是内存颗粒实践的任务频率，频率两种方式表示，任务频率

13、是内存颗粒实践的任务频率，但是由于但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是任务频率的两倍；而因此传输数据的等效频率是任务频率的两倍；而DDR2内内存每个时钟可以以四倍于任务频率的速度读存每个时钟可以以四倍于任务频率的速度读/写数据，因写数据，因此传输数据的等效频率是任务频率的四倍。例如此传输数据的等效频率是任务频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的任务频率分别是的任务频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 40

14、0/533/667/800的任务频的任务频率分别是率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。 内存的封装l颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以防止芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精细电路，进而呵斥电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差别很大，封装后对内存芯片本身性能的发扬也起到至关重要的作用。l内存的封装阅历了从DIP、TSOP到BGA的开展历程。芯片的封装技术曾阅历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积

15、之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，分量减小，可靠性提高，运用更加方便。 lDIP封装封装l 上个世纪的上个世纪的70年代，芯片封装根本都采用年代，芯片封装根本都采用DIPDual ln-line Package，双列直插式封装封装，此封装方式，双列直插式封装封装，此封装方式在当时具有适宜在当时具有适宜PCB印刷电路板穿孔安装，布线和操印刷电路板穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。作较为方便等特点。DIP封装的构造方式多种多样，包括封装的构造方式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式，单层陶瓷双列直插式DIP，

16、引，引线框架式线框架式DIP等。但等。但DIP封装方式封装效率是很低的，其封装方式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面，这样封装产品的面积较大，内存条积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想形状下芯片面积和封装面积之比为升都有影响。理想形状下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最

17、好的，但这是无法实现的，除非不进展封装，但随将是最好的，但这是无法实现的，除非不进展封装，但随着封装技术的开展，这个比值日益接近，如今曾经有了着封装技术的开展，这个比值日益接近，如今曾经有了1：1.14的内存封装技术。的内存封装技术。 TSOP封装封装 到了上个世纪到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。技术。TSOP是是“Thin Small Outline Package的缩写，的缩写，意思是薄型小尺寸封装。意思是薄型小尺寸封装。TSOP

18、内存是在芯片的周围做出内存是在芯片的周围做出引脚，采用引脚，采用SMT技术外表安装技术直接附着在技术外表安装技术直接附着在PCB板的外表。板的外表。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度电流大幅度变化时，引起输出电压扰动变化时，引起输出电压扰动) 减小，适宜高频运用，操作减小，适宜高频运用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有废品率封装具有废品率高，价钱廉价等优点，因此得到了极为广泛的运用。高，价钱廉价等优点，因此得到了极为广泛的运用。 TSOP封装方式中，内存芯片是经过芯片引脚焊接在封装方式中，内存芯片是经过芯片引脚焊

19、接在PCB板上的，焊点和板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片板的接触面积较小，使得芯片向向PCB办传热就相对困难。而且办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在封装方式的内存在超越超越150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。BGA封装封装 20世纪世纪90年代随着技术的提高，芯片集成度不断提年代随着技术的提高，芯片集成度不断提高，高，I/O引脚数急剧添加，功耗也随之增大，对集成电路引脚数急剧添加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严厉。为了满足开展的需求，封装的要求也更加严厉。为了满足开展的需求，BGA封封装开场被运用于消费。装

20、开场被运用于消费。BGA是英文是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。的缩写，即球栅阵列封装。采用采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，况下内存容量提高两到三倍，BGA与与TSOP相比，具有更相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术封装技术的内存产品在一样容量下，体积只需的内存产品在一样容量下，体积只需TSOP封装的三分之封装的三分

21、之一；另外，与传统一；另外，与传统TSOP封装方式相比，封装方式相比，BGA封装方式有封装方式有更加快速和有效的散热途径。更加快速和有效的散热途径。 BGA封装的封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列方式分布端子以圆形或柱状焊点按阵列方式分布在封装下面，在封装下面，BGA技术的优点是技术的优点是I/O引脚数虽然添加了，引脚数虽然添加了，但引脚间距并没有减小反而添加了，从而提高了组装废品但引脚间距并没有减小反而添加了，从而提高了组装废品率；虽然它的功耗添加，但率；虽然它的功耗添加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和分量都较以前的接，从而可以改善它

22、的电热性能；厚度和分量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，运封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，运用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。CSP封装CSPChip Scale Package，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超越1:1.14，曾经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。

23、 CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运转后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚方式有效地缩短了信号的传导间隔，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是经过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运转中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并分发出去。CSP封装可以从反面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35/W，而TSOP热阻40/

24、W。DDR2和DDR的区别l与DDR相比，DDR2最主要的改良是在内存模块速度一样的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是经过在每个设备上高效率运用两个DRAM中心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只可以运用一个DRAM中心。技术上讲，DDR2内存上依然只需一个DRAM中心，但是它可以并行存取，在每次存取中处置4个数据而不是两个数据。 与双倍速运转的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处置多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处置的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改良之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而，虽然DDR2内存采

25、用的DRAM中心速度和DDR的一样，但是我们依然要运用新主板才干搭配DDR2内存，由于DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的技术优势l延迟问题：延迟问题： 在同等中心频率下，在同等中心频率下，DDR2的实践任务频率是的实践任务频率是DDR的两倍。这得益于的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于规范内存拥有两倍于规范DDR内存的内存的4BIT预读取才干。换句话说，预读取才干。换句话说，虽然虽然DDR2和和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和

26、下降延同时进展一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式，但数据传输的根本方式，但DDR2拥有两倍于拥有两倍于DDR的预读取系统命令数的预读取系统命令数据的才干。也就是说，在同样据的才干。也就是说，在同样100MHz的任务频率下，的任务频率下，DDR的实践频的实践频率为率为200MHz，而，而DDR2那么可以到达那么可以到达400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等任务频率的这样也就出现了另一个问题：在同等任务频率的DDR和和DDR2内存中，内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和和DDR2-400具有具有一样的

27、延迟，而后者具有高一倍的带宽。实践上，一样的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实践上，DDR2-400和和DDR 400具有一样的带宽，它们都是具有一样的带宽，它们都是3.2GB/s，但是，但是DDR400的中心的中心任务频率是任务频率是200MHz，而，而DDR2-400的中心任务频率是的中心任务频率是100MHz，也就，也就是说是说DDR2-400的延迟要高于的延迟要高于DDR400。 l封装和发热量： l DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所以为的两倍于DDR的传输才干，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破规范DDR的400MHZ限制。 DD

28、R内存通常采用TSOP芯片封装方式，这种封装方式可以很好的任务在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的中心频率很难突破275MHZ的缘由。而DDR2内存均采用FBGA封装方式。不同于目前广泛运用的TSOP封装方式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定任务与未来频率的开展提供了良好的保证。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR规范的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义艰苦的。 lDDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Po

29、st CAS。 l OCDOff-Chip Driver：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II经过OCD可以提高信号的完好性。DDR II经过调整上拉pull-up/下拉pull-down的电阻值使两者电压相等。运用OCD经过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完好性；经过控制电压来提高信号质量。 ODT：ODT是内建中心的终结电阻器。我们知道运用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需求大量的终结电阻。它大大添加了主板的制造本钱。实践上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决议了数据线的信号比和反射率，终结电阻小那么数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电

30、阻高，那么数据线的信噪比高，但是信号反射也会添加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号质量。DDR2可以根据自已的特点内建适宜的终结电阻，这样可以保证最正确的信号波形。运用DDR2不但可以降低主板本钱，还得到了最正确的信号质量，这是DDR不能比较的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号读写/命令可以被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟Additive Latency后面坚持有效。原来的tRCDRAS到CAS和延迟被ALAdditive Latency所取代，AL可以在

31、0，1，2，3，4中进展设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多缺乏。未来内存的主流-DDR3l针对Windows Vista的新一代内存技术目前主要用于显卡内存，频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：(1)功耗和发热量较小：汲取了DDR2的教训，在控制本钱的根底上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)任务频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的任务频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺陷，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显

32、卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体本钱：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，本钱得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变卦到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示中心和公版设计的显卡稍加修正便能采用DDR3显存，这对厂商降低本钱大有益处。 目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的运用。 lDDR3在DD

33、R2根底上采用了许多新型设计 l1.突发长度Burst Length，BL 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期Burst Length，BL也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此添加了一个4bit Burst Chop突发突变方式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可经过A12地址线来控制这一突发方式。而且需求指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以制止，且不予支持，取而代之的是更灵敏的突发传输控制如4bit顺序突发。 l2.寻址时序Timing 就像DDR2从DDR转变而

34、来后延迟周期数添加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围普通在25之间，而DDR3那么在511之间，且附加延迟AL的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是04，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新添加了一个时序参数写入延迟CWD，这一参数将根据详细的任务频率而定。 3.DDR3新增的重置Reset功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门预备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求添加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处置变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停顿一切操作，并切换至最少量活动形状，以节约电力。 在Reset期间