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1、会计学1基于国产基于国产THGEM的低能电子二维位置探的低能电子二维位置探测器研究测器研究第1页/共14页60020070um第2页/共14页第3页/共14页如上图所示的实验装置，用5.9keV 55Fe X射线源对双层THGEM进行测试。漂移电场Edrift = 1kV/cm，传输电场Etran = 1kV/cm，感应电场Eind = 4kV/cm，输出的信号经过前放、主放，再经过多道，最后连到电脑上第4页/共14页上图是在Ar+iC4H10=97:3和Ar+CO2=90:10两种工作气体中测得的单层和双层高位置分辨THGEM的增益曲线。可以看出，这种THGEM的增益单层最高达到1104，双

2、层最大增益好于6104。第5页/共14页在Ar+iC4H10=97:3工作气体中，测得了双层THGEM的能量分辨约24%，全能峰和逃逸峰，两峰位相差几乎为一倍。第6页/共14页用Ar+CO2=90:10工作气体，对双层THGEM进行连续100小时的增益稳定性测试。如果以25小时之后的变化来看，则增益的变化在2000/15000=13.4%的水平。第7页/共14页上图是透射窗的厚度对电子的透射率和横向扩散半径的影响。综合透过率、横向扩散，以及机械性能的考虑，将优先采用50um的薄膜窗厚度。第8页/共14页上图是空气层厚度对电子的透射率和横向扩散半径的影响。气体厚度影响横向扩散的同时还影响探测效率。显然35mm的气体厚度是比较合理的选择，考虑到低气压工作，因此5mm的气体厚度相对更好。第9页/共14页上图是的入射电子，经过50um厚的窗和5mm厚的空气层达到漂移极下表面入射电子横向散射半径分布。阴影部分的面积表示入射电子横向扩散半径小于等于Rmean的电子个数占总电子数的比例，约为75.35%。因此，此处用Rmean而不是Rmax来表征四分之三以上电子横向扩散的影响。第10页/共14页如图上图所示，雪崩后电离电子将扩散到半径约12mm的范围，则对应约3个间距的读出条宽度，或者9个同尺寸方形Pad的区域，

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