最新电大《光伏电池原理与工艺》形考作业任务01-04网考试题

1、最新电大光伏电池原理与工艺形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明：光伏电池原理与工艺形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次 抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。 做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。 本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01 任务 _0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)1. 轨道杂化，是共价()结构晶体的一个共同特点。A. 四面体B. 五而体C

2、. 六面体D. 多而体2. 色心属于()oA. 点缺陷B. 线缺陷C. 而缺陷D. 体缺陷3. 布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都()。A. 相同B. 不同C. 部分相同D. 部分不同4. ()层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最 里层。A. 光球B. 色球C. 日冕D. 针状体5. 若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为 ()缺陷。A. 弗仑克尔B. 肖特基C. 组成D. 以上皆不是6. 在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取()的重 复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。A. 最大B. 最小C. 中间D. 以上皆不是7. 晶胞()是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶

3、点， 而且可以在体心、而心上。A. 一定B. 一定不C. 不一定D. 以上皆不是8. 当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成()杂质。A. 替位式B. 间隙式C. 组成式D. 以上皆不是9. 太阳常数的参考值为Isc= () ±7W/m2oA. 1357B. 1367C. 1377D. 138710. 非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。A. 同B. 低C. 一致D. 未知二、多项选择题（共10道试题，共30分。）1. 根据晶体缺陷在空间延伸的线度，晶体缺陷可分为（）。A. 点缺陷B. 线缺陷C. 而缺陷D. 体缺陷2

4、. 以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。A. 山西北部B. 山东C. 河南D. 吉林3. 弗仑克尔缺陷的特点有（）。A. 空位和填隙原子成对地产生B. 空位和填隙原子数目相等C. 一定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡D. 一定的温度下，晶体内部的空位和表而上的原子处于平衡4. 并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。A. 太阳电池阵列B. 控制器C. 蓄电池D. 逆变器E. 交流负载5. 地球太阳能资源丰富程度最低地区有（）。A. 北非B. 加拿大C. 西北欧洲D. 中美洲6. 立方晶系的下列（）而是完全等价的。A. （100）B. （010）C. （001）D. （100）7

5、. 太阳从中心向外可分为（）。A. 核反应区B. 辐射区C. 对流区D. 太阳大气8. 点缺陷对材料性能的影响有（）。A. 提高材料的电阻B. 加快原子的扩散迁移C. 形成其他晶体缺陷D. 改变材料的力学性能9. 我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。A. 青藏高原B. 内蒙古C. 宁夏D. 陕西10. 地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。A. 印度B. 巴基斯坦C. 澳大利亚D. 中国三、判断题（共10道试题，共20分。）1. 点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生, 只影响邻近几个原子。A. 错误B. 正确2. 一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不同方向上具有不同周期

6、性。A. 错误B. 正确3. 在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多而 体称为第一布里渊区。A. 错误B. 正确4. 电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相 同的轨道之间发生转移。A. 错误B. 正确5. 对于原胞，结点只出现在顶点上。A. 错误B. 正确6. 大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而旦还与 大气中吸收、散射、反射太阳辐射的物质有关。A. 错误B. 正确7. 当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光 程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。A. 错误B. 正确8. 每个正格子都有一个倒格子与之相对应。A. 错误B. 正确9. 根据各地接受太阳总辐射量的

7、多少，可将我国划分为五 类地区。A. 错误B. 正确10. 太阳常数的常用单位为W/m2oA. 错误B. 正确四、连线题(共10道试题，共30分。)1.将下列我国太阳电池发展历程一一对应。(1) 1958年A.我国开始研制太阳电池(2) 1971年B.我国发射的第二颗人造卫星一科学实验卫 星实践一号上首次应用太阳电池(3) 1979年C.我国开始利用半导体工业废次硅材料生产 单晶硅太阳电池(1) -A、(2) -B、(3) -C2.将下列事件与时间关系等一一对应。(1) 1839年A.法国物理学家A. E. Becqueral第一次在实 验室中发现液体的光生伏特效应(2) 1877年B.制作了

8、第一片硒太阳电池(3) 1954C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的 效率为6%的单晶硅光电池(1) -A、(2) -B、(3) -C3.将下列晶体缺陷与特征一一对应。(1) 点缺陷A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光 学显微镜观察到(2) 线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电 镜观察到(3) 而缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生， 只影响邻近几个原子(1) -C、(2) -B、(3) -A4.将下列定义与公式一一对应。(1) 太阳高度角A.(2) 太阳方位角B.(3) 太阳入射角C.(1) 一C、 (2) 一A、 (3) 一B5.将下列太阳大气结构与名称一一

9、对应。(1) 光球A.最外层(2) 色球B.中层(3) 日冕C.最底层(1) -C、(2) -B、(3) -A6.将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。(1) 丰富程度最高地区A.中国(2) 丰富程度中高地区B.印度(3) 丰富程度中低地区C.日本(1) -B、(2) -A、(3) -C7.将下列世界气候带一一对应。(1) 赤道带A.纬度10°回归线(23.5°)(2) 热带B.回归线至极圈(23. 5°-66. 5°)(3) 温带C.南北纬10°以内(1) -C、(2) -A、(3) -B8.将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。

10、(1) 山东A.二类(2) 江西B.三类(3) 宁夏南部C.四类(1) -B、(2) -C、(3) -A9.将下列晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。(1) 顶点的原子A.同时为2个晶胞所共有(2) 棱上的原子B.同时为4个晶胞所共有(3) 面心的原子C.同时为8个晶胞所共有(1) -C、(2) -B、(3) -A10.将下列概念与意义一一对应。(1) 太阳常数A.描述大气层上的太阳辐射强度(2) 太阳光谱B.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长 的分布(3) 大气光学质量C.太阳光线穿过地球大气的路径与太 阳光线在天顶角方向时穿过大气路径之比(1) -A、(2) -B、(3) -C02任务02

11、 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)1. 以下()为价带的有效状态密度计算公式。A.B.C.D.2. 下列哪项不属于配位数的可能值()。A. 12B. 9C. 8D. 63. 自然界的晶体结构只有()种。A. 200B. 210C. 220D. 2304. 空间点阵可分为()晶系。A. 四种B. 五种C. 六种D. 七种5. PN结中的总的电子电流计算公式为()。A.B.C.D.6. 在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K 时Si突变结的接触电势差VD为（）A. 0. 736VB. 0. 976VC. 0. 686VD. 0. 876V7. 300K时，在本

12、征半导体中掺入施主杂质形成N型半导 体,欲使得错中的费米能级低于导带底能量0.15eV,施 主掺杂浓度ND为（）oA.B.C.D.8. 在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）A.B.C.D.9. 体心立方堆积空间利用率为（）。A. 68%B. 67%C. 66%D. 65%10. 空穴的漂移电流为（）。A.B.C.D.二、多项选择题（共10道试题，共30分。）1. 晶体结合的基本形式可分为（）A. 高子键合B. 金属键合C. 共价键合D. 分子键合2. 点缺陷对材料造成的影响有（）。A. 提高材料的电阻B. 加快原子的扩散迁移C. 形成其它晶体缺陷D. 改变材料的力学性能3. 本征半导体电

13、子浓度和空穴浓度是（）A. 电子浓度空穴浓度B. 相等的C. 电子浓度空穴浓度D. 费米能级通常在带隙中央附近4. 平衡PN结其扩散电流与漂移电流（）A. 大小相等B. 大小不等C. 方向相反D. 方向一致5. PN结在光照作用下发生的变化是（）A. 产生电子和空穴对数B. 电子和空穴对在内建电场作用下产生漂移运动C. 形成光照电流D. 光能转化为电能的光电效应6. 正格子原胞体积与倒格子原胞体积互为倒数，表达正确 的是（）A.B.C.D.7. 以下对弗仑克尔缺陷的特点描述正确的是（）。A. 空位和填隙原子成对产生B. 只留下空位，而没有填隙原子C. 空位和填隙原子数目相等D. 在一定温度下，

14、缺陷的产生和复合过程达到平衡8. P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用 下形成的，其特征为()A. 多数载流子是空穴B. 少数载流子是电子C. 费米能级在价带顶之上D. 费米能级的位置在本征费米能级之下9. 晶体缺陷按照缺陷的几何形状和涉及的范围可以分为()OA. 点缺陷B. 线缺陷C. 而缺陷D. 体缺陷10. 以下对半导体性能描述正确的是()A. N型半导体电子浓度远大于空穴浓度B. P型半导体电子浓度远大于空穴浓度C. 半导体的导电性能跟施主杂质浓度有关D. 半导体的导电性能跟受主的杂质浓度无关三、判断题(共10道试题，共20分。)1. 晶体在不同方向上具有相同的周期性。A.

15、 错误B. 正确2. 在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔 点，非晶体也有固定的熔点。A. 错误B. 正确3. 组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。A. 错误B. 正确4. 对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大 的晶面上，格点的而密度小。A. 错误B. 正确5. 非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。A. 错误B. 正确6. 晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。A. 错误B. 正确7. 在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体 性质也不同。A, 错误B. 正确8. 在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。A, 错误B. 正确9. 晶体内的位错滑

16、移是使临界切应力大为减小的主要原 因。A, 错误B. 正确10. 对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移而通常不相同。A. 错误B. 正确四、连线题(共10道试题，共30分。)1.根据均摊法，将晶胞中处于不同位置上的原子与晶胞所含 原子个数的计算方法一一对应。(1) 处于顶点的原子A.每个原子有1/4属于该晶胞(2) 处于棱上的原子B.每个原子有1/8属于该晶胞(3) 处于而心的原子C.每个原子有1/2属于该晶胞(1) -B、(2) -A、(3) -C2.将晶体金属中原子堆积方式一一对应。(1) 六方密堆积A.铜型堆积(2) 面心立方密堆积B.钾型堆积(3) 体心立方堆积C.镁型堆积(1) -C、

17、(2) -A、(3) -B3.P型半导体的费米能级随受主杂质浓度的增加而变化，根据变化图将以下符号表达的意义一一对应。(1) EcA.费米能级(2) EvB.价带顶能量(3) EfC.导带底能量(1) -C、(2) -B、(3) -A4.将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。(1) 本征半导体费米能级A.(2) N型半导体费米能级B.(3) P型半导体费米能级C.(1) -A、(2) -B、(3) -C5.将下列定义与其计算公式一一对应(1) 导带的有效状态密度A.(2) 导带中电子浓度B.(3) 价带中空穴浓度C.(1) -A、(2) -C、(3) -B6.将下列关于晶体结构的描述一一

18、对应。(1) 晶棱A.互相平行的晶棱的共同方向(2) 晶带B.晶而的交线(3) 晶带带轴C.晶棱互相平行的晶面的组合(1) -B、(2) -C、(3) -A7.将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。(1) SiA.(2) GaAsB.(3) GeC.(1) 一A、 (2) 一B、 (3) -C8.同一品种的晶体，两个对应晶而间的夹角恒定不变。将石 英晶体的各面间夹角情况一一对应。(1) a、bA. 141° 47'(2) a、cB. 120° 00'(3) b、 cC.113° 08，(1) -A、 (2) -C、 (3) -B9.对称操作过程

19、中保持不变的几何要素称为对称元素，将以下对称元素的定义一一对应。(1) 点A.旋转轴(2) 线B.反演中心。(3) 而C.反映而(1) -B、(2) -A、(3) -C10. 将下列晶体缺陷类型与描述一一对应。(1) 点缺陷A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大,可被光 学显微镜观察到。(2) 线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电 镜观察到(3) 而缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子(1) -C、(2) -B、(3) -A03任务03 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)1. 太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会"定义为101 号标

20、准，其中光谱辐照度为()。A. 500W/m2B. 1000W/m2C. 1500W/m2D. 2000W/m22. 悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度()，电学性能（）OA. 高均匀B. 高不均匀C. 低均匀D. 低不均匀3. 内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效 率（），切片后硅片的表而损伤大。A. 慢大低B. 慢小低C. 快大高D. 快小高4. 太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101 号标准，其中电池温度为（）。A. 15°CB. 20 °CC. 25 °CD. 30°C5. 常规电池的厚度（）,开路电压及填充因子（）。A.

21、 减小下降B. 减小上升C. 减小不变D. 增加不变6. 目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个 近（）的夹角。A. 30°B. 45°C. 90°D. 180°7. 粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。A. 浓度B. 大小C. 颜色D. 重量8. 电池烧结前先对电极进行（）,之后再进行烧结。A. 氧化B. 加热C. 烘干D. 铜化9. 常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是（）oA. 扩散法B. 离子注入法C. 合金法D. 分离法10. 硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表而的 油脂、蜡等有机物。A. 甲苯-丙酮-酒精

22、-水B. 丙酮-甲苯-酒精-水C. 水-甲苯-丙酮-酒精D. 水-丙酮-甲苯-酒精二、多项选择题（共10道试题，共30分。）1. 太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。A. 结构B. 材料性质C. 工作温度D. 环境变化2. 太阳电池的测试方法包括（）。A. 阳极氧化法测结深B. 四探针法测薄层电阻C. 少子寿命的测试D. 太阳电池负载特性的测试3. 制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法 的优点是（）。A. 分配系数比铝大B. 结均匀C. 电极牢度好D. 所需温度低4. 固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）oA. 设备复杂、操作麻烦B. 扩散效率高，更适于大批量生产

23、C. 扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好D. 产品的合格率较高5. 多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。A. HN03B. HFC. H20D. CH3CH20H6. 硅材料的选料主要包括（）。A. 导电类型B. 电阻率C. 晶向、位错、寿命D. 形状、尺寸、厚度7. 离子注入法具有的特点主要有（）。A. 精确的剂量控制B. 均匀性好C. 掺杂深度小D. 不受固溶度限制8. 常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）oA. 6:3:3B. 5:3:3C. 5:1:1D. 6:l:l9. 单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。A. 浇铸法B. 直拉法C. 直熔法D. 区熔法

24、10. 碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）OA. 成本较低B. 对环境的污染小C. 外观平整D. 光亮度高三、判断题（共10道试题，共20分。）1. 水汽氧化是平面工艺最常用的方法。A. 错误B. 正确2. 制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。A, 错误B. 正确3. 串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。A. 错误B. 正确4. 利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且 生产成本低，应用广泛。A. 错误B. 正确5. 晶而间的共价键密度越低，则该晶而越容易被腐蚀。A, 错误B. 正确6. 光伏电池具有对称的电子学结构。A, 错误B. 正确7. 光伏电池可以用于微波中继站

25、电源供给，作为无线电通 讯系统电源。A, 错误B. 正确8. 多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。A.错误B.正确9. 硅片进行表而腐蚀，其作用是去除表而的切片机械损伤。A.错误B.正确10. 常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是合金法。A.错误B.正确四、连线题(共10道试题，共30分。)1. 提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。(1) 紫光电池A采用0. 10.15p m浅结和30条/cm精 细密栅(2) M1S电池B在金属和半导体之间加入1.5 3. Onm 绝缘层(3) 聚光电池C电池面积小，低成本(1) -A (2) -B (3) -C2. 硅片表面污染的杂质可分类

26、为。(1) 分子型杂质 AK+, Na+, Ca2+, F-, CL-, C032(2) 离子型杂质B油脂、腊、松香(3) 原子型杂质C金、钳、铜、铁(1) -B (2) -A (3) -C3. 太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。(1) 光谱辐照度A25°C(2) 光谱 B1000W/m2(3) 电池温度CAM1. 5(1) -B (2) -C (3) -A4. 硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。(1) 有机溶剂去油A热王水或I号、II号清洗液(2) 去除残留的有机和无机杂质B热的浓硫酸(3) 清洗液彻底清洗C甲苯(1

27、) -C (2) -B (3) -A5. 将下列常用儿种氧化方法一一匹配。(1) 水汽氧化法A生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜 结构致密、均匀性好(2) 干氧氧化法B生长速率介于两者之间，钝化效果不 好，进一步降低体寿命(3) 湿氧氧化法C生长速率最快，生长的二氧化硅层结 构疏松，表而有斑点(1) -C (2) -A (3) -B6. 将下列概念与意义作用一一匹配。(1) 腐蚀A降低了表面反射提高光生载流子的收集(2) 扩散B由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输 运过程(3) 绒而C去除表而的切片机械损伤(1) -C (2) -B (3) -A7. 太阳电池的等效电路中，暗电流表达式式中各项

28、分别指代。(1)-C(2)-A、(3) -B(1) UA电子电量(2) QB二极管曲线因子，取值在12之间(3) AC等效二极管的端电压8. 电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式 表示如下：式中各项分别指代。(1) A 0A表面反射率(2) R(A )B本征吸收波长限(3) F(A )C太阳光谱中波长为11+dl间隔内的光子数(1) -B (2) -A (3) -C9. 将下列常用减反射膜一一匹配。(1) SiO膜A折射率在1.82.5,具有明显的表面钝化 和体钝化作用(2) Ti02膜B折射率为1. 8-1. 9,是最常用的减反射膜 材料(3) Si3N4膜C折射率为2.02.

29、7,可得到比较理想的 太阳电池减反射膜。(1) -B (2) -C (3) -A10, 将下列扩散源一一匹配。(1) 液态源扩散A五氧化二磷(2) 涂布源扩散B硼酸三甲酯(3) 固态源扩散C氮化硼(1) -B (2) -A (3) -C04任务04 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)1. 要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是()，可使光 电转换效率超过20%。A. 陷光技术B. 掺杂工艺C. 大面积均匀性技术D. 抗光致衰减技术2. 因转化率低，而旦存在光致衰退，因此在太阳能发电市 场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩 具等的太阳能电池是()。A. 单晶硅电

30、池B. 多晶硅太阳电池C. 铜锢镣硒太阳电池D. 非晶硅太阳电池3. 下列哪个不是染料敏化太阳电池(DSSC)的优点()A. 结构简单B. 光电转换效率高C. 对环境无污染D. 成本低廉、易于制造4. 硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料，以 获得高的转换效率。A. 0. 1 至 50 cmB. 10 至 200Q cmC. 零点几至2Q cmD. 小于0. 015. 目前产业化太阳电池中，所占比例最大的是()。A. MIS光伏电池B. 硅基太阳电池C. 碇化镉太阳电池(a-Si)D. 铜锢镣硒太阳电池6. 下列不是半导体异质结太阳电池的是()。A. 硫化亚铜-硫化镉太阳电池B. 碇

31、化镉太阳电池C. 碑化铉太阳电池D. 非晶硅薄膜太阳电池7. 目前，制备薄膜的主要方法中()是一种高效、低成本、适合大而积生产的方法。A. 化学沉积法B. 电沉积法(ED)C. 喷涂法(SP)D. 物理气相沉积法(PVD)8. ()接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。A. 半导体与半导体B. 金属与半导体C. 金属与金属D. 金属与绝缘体9. 单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是()。A. 浇铸法B. 直熔法C. 区熔法D. 直拉法10. MIS光伏电池是什么结构()。A. 金属-绝缘层-半导体结构B. 金属-绝缘层-金属结构C. 半导体-绝缘层-半导体结构D. 绝缘层-金属-半导体

32、结构二、多项选择题(共10道试题，共30分。)1. 多晶硅可采用哪种溶液对进行表而腐蚀制绒()。A. NaOHB. HN03、HF、H20C. KOHD. CH3CH20H2. MIS结构实际上是一个()oA. 金属-绝缘层-半导体B. 金属C. 电阻D. 电容3. 染料敏化太阳电池主要由组成()。A. 纳米多孔薄膜B. 染料敏化剂C. 电解质D. 对电极4. 铸造多晶硅主要的工艺有()。A. 直熔法B. 浇铸法C. 直拉法D. 区熔法5. 王水儿乎能溶解所有不活泼金属如铜、银以及金、钮等。具有极强的()OA. 强碱性B. 氧化性C. 腐蚀性D. 强酸性6. 电池的优缺点有()。A. 可在不同

33、的衬底上制作，非常适合于大规模自动化生产B. 电池生产成本低廉。C. 效率低，缺少硅电池那种固有的稳定性D. 系统其他部分的成本高7. 直拉单晶硅的制备工艺一般包括()。A. 晶硅的装料和熔化B. 种晶C. 引细颈、放肩、等径D. 收尾8. 铜锢铉硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是()oA. 性能稳定B. 成木低C. 抗辐射能力强D. 光电转换效率高9. 下面关于硅太阳电池的形状、尺寸、厚度，说法正确的 是()oA. 125X125mm2B. 156X156mm2C. 基体厚度为200Mm左右D. 球形10. 硝酸(HN03)不能溶解的有()。A. 金B. 钳C. 铜D. 铁三、判断题(共10道试题，共20分。)1. 硅片清洗必须按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才 能除去有机物及有机溶剂分子。A. 错误B. 正确2. N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电, 热端带负电。A, 错误B. 正确3. 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构实际上是一个电容。A. 错误B. 正确4. 非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。A. 错误B. 正确5. II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含 量为37%的浓盐酸混合而成。A. 错误B. 正确6. 太阳电池工艺成本低，大而积均匀性好，可以自动化生 产。A. 错误B.