电池片工艺流程培训

1、电池片制程工艺流程及控制点电池片制程工艺流程及控制点1Nov 2010许志法许志法Outsourcing QualityOutsourcing Quality2太阳电池的工作原理太阳电池的工作原理 光生伏特效应光生伏特效应 吸收光子，产生电子空穴对。吸收光子，产生电子空穴对。 电子空穴对被自建电场分离，电子空穴对被自建电场分离，在在PNPN结两端产生电势。结两端产生电势。 将将PNPN结用导线连接，形成结用导线连接，形成电流。电流。 在太阳电池两端连接负载，在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。实现了将光能向电能的转换。3太阳能电池太阳能电池工艺工艺基本流程基本流程PECVD Si

2、Nx PECVD SiNx 前清洗（制绒）前清洗（制绒）扩散扩散后清洗（刻边后清洗（刻边/ /去去PSGPSG） 丝网印刷丝网印刷/ /烧结烧结/ /测试测试形成形成PNPN结结刻蚀边沿刻蚀边沿N N型硅并去除因扩散生成的型硅并去除因扩散生成的PSGPSG减少反射，钝化界面减少反射，钝化界面形成电极形成电极一一 前清洗前清洗45前清洗前清洗的功能的功能前清洗前清洗( (制绒制绒) )的目的：的目的： 形成绒面，减少光的反射，增加硅片对太阳光的吸收形成绒面，减少光的反射，增加硅片对太阳光的吸收, ,最终提高电池最终提高电池的光电转换效率的光电转换效率 去除硅片表面的机械损伤层去除硅片表面的机械损

3、伤层 清除表面油污和金属杂质清除表面油污和金属杂质 绒面陷光原理图绒面陷光原理图去除机械损伤层去除机械损伤层6前前清洗清洗制绒后的绒面制绒后的绒面多晶酸多晶酸制绒后制绒后waferwafer表面形貌表面形貌单晶碱单晶碱制绒后制绒后waferwafer表面形貌表面形貌金字塔状金字塔状蜂窝状蜂窝状7前清洗工序步骤和作用（酸制绒）前清洗工序步骤和作用（酸制绒）1 1 Etch bath (Etch bath (HF/HNO3/DI water)HF/HNO3/DI water) 去除硅片表面的机械损伤层去除硅片表面的机械损伤层; ; 形成无规则绒面形成无规则绒面2 2 Rinse 1Rinse 13

4、 3 Alkaline rinse (Alkaline rinse (KOH/DI water)KOH/DI water) 中和中和硅片硅片表面的酸；去除表面生成多孔硅表面的酸；去除表面生成多孔硅4 4 Rinse2Rinse25 Acidic rinse (Acidic rinse (HF/HF/HClHCl/DI water)/DI water) 去氧化层去氧化层, ,成疏水性成疏水性; ; 去除表面金属杂质去除表面金属杂质; ;中和表面残留的碱中和表面残留的碱6 Rinse 3Rinse 37 DryerDryer 干燥硅片表面干燥硅片表面8 1 1）工序步骤）工序步骤 制绒制绒碱洗碱洗

5、 酸洗酸洗吹干吹干 2 2）用到化学品：硝酸）用到化学品：硝酸HNO3HNO3，氢氟酸，氢氟酸 HFHF， 氢氧化钾氢氧化钾KOHKOH，盐酸，盐酸HCLHCL 3 3） 单面腐蚀深度单面腐蚀深度 3.2-4.23.2-4.2微米微米 4 4）滚轮速度范围）滚轮速度范围 0.51.5m/min0.51.5m/min ( (注注: :前清洗速度最好不要超过前清洗速度最好不要超过1.2m/min1.2m/min，速度过快，一方面硅片，速度过快，一方面硅片 清洗或吹清洗或吹 不干净，扩散容易出现蓝黑点片；另一方面碎片高，有不干净，扩散容易出现蓝黑点片；另一方面碎片高，有 时碎片会堵住喷淋口，清洗后出

6、现脏片时碎片会堵住喷淋口，清洗后出现脏片) ) 前前清洗腐蚀深度清洗腐蚀深度9制绒工序控制及注意事项制绒工序控制及注意事项 片子表面片子表面5S5S控制控制 不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。 工序产品单面腐蚀深度控制在工序产品单面腐蚀深度控制在3.73.70.5m0.5m范围之内范围之内, ,范围以外的必须范围以外的必须通知当班工艺技术员或工程师来做出调整。通知当班工艺技术员或工程师来做出调整。 前清洗到扩散的产品时间前清洗到扩散的产品时间: : 最长不能超过最长不能超过3 3小时小时, ,时间过长硅片会污染氧化，到

7、扩散污染炉管时间过长硅片会污染氧化，到扩散污染炉管, ,从从 而影响后面的电性能及效率，如而影响后面的电性能及效率，如超过超过3 3小时要进行酸洗返工小时要进行酸洗返工。10产线常见的不良图片产线常见的不良图片制绒后油污制绒后油污药液残留药液残留制绒后表面发白制绒后表面发白反应残留物反应残留物二二 扩散扩散1112 PNPN结的形成结的形成 扩散的目的：形成扩散的目的：形成PNPN结结13 主要化学品：三氯氧磷主要化学品：三氯氧磷POClPOCl3 3（剧毒品），（剧毒品），热分解的反应式为：热分解的反应式为： POClPOCl3 3分解产生的分解产生的P P2 2O O5 5淀积在硅片表面，

8、淀积在硅片表面，P P2 2O O5 5与硅反应生成与硅反应生成SiOSiO2 2和磷和磷原子，并在硅片表面形成一层磷原子，并在硅片表面形成一层磷- -硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散扩散 POClPOCl3 3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PNPN结均匀、平整和结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的常重要的322524526POClOP OCl 扩散化学反应原理扩散化学反应原理14 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（

9、方块电阻）是反映扩散层在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一 目前生产中，测量扩散层薄层电阻采用四探针法目前生产中，测量扩散层薄层电阻采用四探针法 扩散方块电阻控制在扩散方块电阻控制在68681010 / /之间之间扩散工艺中的方块电阻扩散工艺中的方块电阻四探针测试仪四探针测试仪15 扩散间的环境温度要保持在扩散间的环境温度要保持在232333，湿度在，湿度在50%50%以下。如果环境条件以下。如果环境条件不符合要求，及时通知外围！不符合要求，及时通知外围！ 整个生产过程中必须配戴双层手套整个生产

10、过程中必须配戴双层手套( (棉布手套和棉布手套和PVCPVC手套手套) )，必须带口，必须带口罩罩, ,严禁不戴手套接触硅片严禁不戴手套接触硅片, ,严禁用手严禁用手( (包括戴手套包括戴手套) )直接接触硅片绒面。直接接触硅片绒面。卸片时绒面不能相互摩擦。卸片时绒面不能相互摩擦。 各个炉管内的石英舟不可以接触除石英桌面外的任何地方各个炉管内的石英舟不可以接触除石英桌面外的任何地方, ,任何金属物任何金属物品不许放在石英桌面上品不许放在石英桌面上, ,避免沾污。避免沾污。 方块电阻平均值如不在方块电阻平均值如不在686810/10/范围内，需将信息反馈给工艺人员范围内，需将信息反馈给工艺人员做

11、调整。（安排返工）做调整。（安排返工） 扩散工序控制及注意事项扩散工序控制及注意事项16产线常见的不良图片产线常见的不良图片扩散后蓝点扩散后蓝点扩散后划痕扩散后划痕扩散后黑点扩散后黑点17 湿法刻蚀目的湿法刻蚀目的: : 利用利用HNO3HNO3和和HFHF的混合液体对硅片表面进行腐蚀的混合液体对硅片表面进行腐蚀, ,去除去除边缘的边缘的N N型硅型硅, ,使使得硅片的上下表面相互绝缘得硅片的上下表面相互绝缘PSGPSGn n+ + Si Si刻蚀前刻蚀前刻蚀后刻蚀后去除磷硅玻璃的目的：去除磷硅玻璃的目的： 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减磷硅玻璃的存在使

12、得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 死层的存在死层的存在大大增加大大增加了发射区电子的复合，导致少子寿命降低，进而降低了了发射区电子的复合，导致少子寿命降低，进而降低了Voc和和Isc三三 后清洗后清洗18后后清洗工序步骤和作用清洗工序步骤和作用1 1 Etch bath (Etch bath (HF/HNO3/H2SO4/DI water)HF/HNO3/H2SO4/DI water) 边刻蚀边刻蚀2 2 Rinse 1Rinse 13 3 Alkaline rinse (Alkaline rinse (KOH/DI water)KOH/DI water) 中和中和硅片硅

13、片表面的酸表面的酸4 Rinse2Rinse25 HF bath (HF bath (HF/DI water)HF/DI water) 去去PSGPSG6 Rinse 3Rinse 37 DryerDryer 干燥硅片表面干燥硅片表面19 硅片各边的绝缘电阻硅片各边的绝缘电阻10001000欧姆欧姆 滚轮速度范围滚轮速度范围 0.51.5m/min0.51.5m/min ( (注注: :后清洗速度最好不要超过后清洗速度最好不要超过1.35m/min1.35m/min，速度过快，一方面硅片，速度过快，一方面硅片清洗或吹不干净，清洗或吹不干净，PECVDPECVD容易出现白点片；另一方面碎片高，有

14、容易出现白点片；另一方面碎片高，有时碎片会堵住喷淋口，清洗后出现脏片时碎片会堵住喷淋口，清洗后出现脏片) ) 刻蚀厚度：刻蚀厚度：0.5-1.5um0.5-1.5um 去磷硅玻璃主要反应方程式去磷硅玻璃主要反应方程式 SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O后清洗刻蚀厚度后清洗刻蚀厚度20后清洗工序控制及注意事项后清洗工序控制及注意事项 后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免子的边缘进行装片。并且要勤换手套

15、，避免PECVDPECVD后出现脏片！后出现脏片！ 工序产品单面腐蚀深度控制在工序产品单面腐蚀深度控制在0.50.51.5m1.5m范围之内范围之内, ,且硅片表面刻蚀宽度且硅片表面刻蚀宽度不超过不超过2mm2mm, ,范围以外的必须通知当班工艺人员来做出调整。同时需要范围以外的必须通知当班工艺人员来做出调整。同时需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于保证刻蚀边缘绝缘电阻大于1K1K欧姆。欧姆。 刻蚀槽液面的注意事项：刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通知工艺人员。知工艺人员。 后清洗到后清洗

16、到PECVDPECVD的产品时间最长不能超过的产品时间最长不能超过4 4小时小时, ,时间过长硅片会污染氧时间过长硅片会污染氧化，从而影响产品的电性能及效率。化，从而影响产品的电性能及效率。21产线常见的不良图片产线常见的不良图片后清洗过刻后清洗过刻四四 PECVD SiNxPECVD SiNx薄膜薄膜22ROTH&RAUROTH&RAU平板式平板式PECVDPECVD23PECVD原理原理Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition l 微波等离子体增强化学气相沉积微波等离子体增强化学气相沉积l 荷电粒子被交变电场加速荷电粒子被交变电场加

17、速l 相互碰撞使气体分子产生电离相互碰撞使气体分子产生电离l 冷等离子体冷等离子体l 高化学活性物质高化学活性物质 自由基自由基 离子离子 原子原子 PECVD的功能的功能24l 镀减反射薄膜镀减反射薄膜 与绒面结合与绒面结合, ,镀减反射膜可以有效降低光的反射，酸制绒可以将反镀减反射膜可以有效降低光的反射，酸制绒可以将反射率从射率从2323降低到降低到7.57.5左右，基本减少到原来的三分之一。左右，基本减少到原来的三分之一。l 表面钝化作用表面钝化作用 薄膜中的薄膜中的H H能够进入硅晶体中能够进入硅晶体中, ,钝化硅中的缺陷钝化硅中的缺陷, ,降低表面态密度降低表面态密度, ,抑抑制电池

18、表面复合，增加少子寿命，从而提高太阳电池制电池表面复合，增加少子寿命，从而提高太阳电池IscIsc和和VocVocl 优良的化学稳定性优良的化学稳定性, ,卓越的抗氧化和绝缘性能卓越的抗氧化和绝缘性能 在表面形成一道膜在表面形成一道膜, ,有助于在烧结中保护有助于在烧结中保护PNPN结结薄膜质量参数和影响因素薄膜质量参数和影响因素25l 薄膜质量参数薄膜质量参数薄膜厚度薄膜厚度 75-85 nm75-85 nm（厚膜为（厚膜为85-93 nm85-93 nm）折射率折射率 2.05-2.152.05-2.15膜厚均匀性膜厚均匀性 （色差）（色差）反射率反射率l 影响因素影响因素微波功率微波功率

19、反应室温度和压力反应室温度和压力传输速率传输速率气体流量气体流量测量仪器：椭偏仪测量仪器：椭偏仪测量后不在范围测量后不在范围通知工艺通知工艺产线常见的薄膜缺陷产线常见的薄膜缺陷26l 正常片正常片l 常见缺陷常见缺陷表面发白表面发白表面脏片表面脏片 色差色差 白点白点27PECVD工序控制及注意事项工序控制及注意事项 首先要时常检查石英管首先要时常检查石英管( (国产石英管国产石英管) )使用寿命是否达到使用寿命是否达到8686小时小时, ,如果快如果快达到达到, ,准备更换准备更换, ,否则继续使用会导致膜厚折射率不正常否则继续使用会导致膜厚折射率不正常, ,片子发红。片子发红。 使用椭偏仪

20、测试膜厚折射率：厚度范围是使用椭偏仪测试膜厚折射率：厚度范围是75-85nm75-85nm，折射率为，折射率为2.05-2.152.05-2.15，对应的膜的颜色是均匀的深蓝色、蓝色、淡蓝色，若有偏差或者颜色对应的膜的颜色是均匀的深蓝色、蓝色、淡蓝色，若有偏差或者颜色不均匀，通知工艺人员调整。不均匀，通知工艺人员调整。 装片时检验硅片表面是否有水珠，若有，晾干再生产，并且装片时要装片时检验硅片表面是否有水珠，若有，晾干再生产，并且装片时要确保扩散面向下。确保扩散面向下。 为了保证镀膜的均匀度为了保证镀膜的均匀度, ,要保证整框各个放置位置上都有硅片要保证整框各个放置位置上都有硅片, ,不够的不

21、够的要用假片进行补充。要用假片进行补充。 片子卸完时片子卸完时, ,再次确认挂钩印方向必须都一致。再次确认挂钩印方向必须都一致。28 五五 丝网丝网/ /烧结烧结/ /测试测试29丝网印刷原理丝网印刷原理 丝网印刷是通过刮条挤压丝丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式，印刷的材料上的一种印刷方式，这也是目前普遍采用的一种电池这也是目前普遍采用的一种电池工艺。工艺。 30丝网印刷丝网印刷/烧结烧结/测试流程测试流程WBWB传送传送 1# 1#丝网机丝网机 银银/ /铝浆背电极印刷铝浆背电极印刷WBWB传送传送 1# 1#烘箱烘箱

22、WBWB传送传送 2# 2#丝网机丝网机 铝浆背电场印刷铝浆背电场印刷WB传送传送 2# 2#烘箱烘箱WB传送传送 3# 3#丝网机丝网机 银浆栅极印刷银浆栅极印刷WB传送传送 电极烧结电极烧结 ( (烘干烘干 + + 烧结烧结) )WB传送传送 测试测试 分选分选丝网印刷各阶段硅片图形丝网印刷各阶段硅片图形31印刷背电极后的硅片印刷背电极后的硅片印刷背印刷背电场后电场后的硅片的硅片印刷正电极印刷正电极后的硅片后的硅片背电极印刷和相关参数背电极印刷和相关参数32丝网材质丝网材质不锈钢不锈钢目数目数280280目目丝直径丝直径46-5346-53 m m丝网厚度丝网厚度82-9082-90 m

23、m膜厚膜厚1515 m m静态张力静态张力25N25N印刷速度印刷速度250 mm/s250 mm/s反料速度反料速度400 mm/s400 mm/s丝网间距丝网间距-1300-1300 m m刮板压力刮板压力65-85 N65-85 N脱离速度脱离速度35 mm/s35 mm/s刮板高度刮板高度-1200-1200 m m烘箱温区烘箱温区1 12 23 34 4全程时间全程时间温度温度100 100 120 120 150 150 170 170 8 s8 sl 银铝浆是由银粉银铝浆是由银粉, ,铝粉铝粉, ,无机添加物和有机载体组成无机添加物和有机载体组成l使用前搅拌约使用前搅拌约4545

24、分钟分钟, ,搅拌均匀后使用搅拌均匀后使用l有良好的欧姆接触特性和焊接性能有良好的欧姆接触特性和焊接性能, ,附着性好附着性好l在印刷图形完好时在印刷图形完好时, ,印刷头压力在范围内尽可能的小印刷头压力在范围内尽可能的小 背电场印刷和相关参数背电场印刷和相关参数33丝网材质丝网材质不锈钢不锈钢目数目数320320目目丝直径丝直径23-2823-28 m m丝网厚度丝网厚度4646 m m膜厚膜厚1515 m m膜网总厚膜网总厚60-6360-63 m m印刷速度印刷速度250 mm/s250 mm/s反料速度反料速度400 mm/s400 mm/s丝网间距丝网间距-1300-1300 m m

25、刮板压力刮板压力80-85 N80-85 N脱离速度脱离速度35 mm/s35 mm/s刮板高度刮板高度-1200-1200 m m烘箱温区烘箱温区1 12 23 34 4全程时间全程时间温度温度100 100 120 120 140 140 160 160 8 s8 sl铝浆由铝粉铝浆由铝粉, ,无机添加物和有机载体组成无机添加物和有机载体组成l使用前先搅拌约使用前先搅拌约1515分钟分钟, ,均匀后使用均匀后使用l上述参数会根据浆料的粘稠度、网版性能、背面场印刷量做出适当调整上述参数会根据浆料的粘稠度、网版性能、背面场印刷量做出适当调整l影响所印铝浆的厚度因素有：丝网目数、网线直径、开孔率

26、、乳胶层厚影响所印铝浆的厚度因素有：丝网目数、网线直径、开孔率、乳胶层厚度、印刷头压力、印刷头硬度、印刷速度及浆料粘度度、印刷头压力、印刷头硬度、印刷速度及浆料粘度 正面栅极印刷和相关参数正面栅极印刷和相关参数34丝网材质丝网材质不锈钢不锈钢目数目数280280目目丝直径丝直径3030 m m丝网厚度丝网厚度5050 m m膜厚膜厚1515 m m静态张力静态张力26N26N印刷速度印刷速度180 mm/s180 mm/s反料速度反料速度400 mm/s400 mm/s丝网间距丝网间距-1400-1400 m m刮板压力刮板压力80-85 N80-85 N脱离速度脱离速度10 mm/s10 m

27、m/s刮板高度刮板高度-1300-1300 m ml正面栅极银浆是由银粉正面栅极银浆是由银粉, ,无机添加物和有机载体组成的无机添加物和有机载体组成的l使用前先用搅拌机搅拌约使用前先用搅拌机搅拌约4545分钟分钟l浆料搅拌均匀后方可使用浆料搅拌均匀后方可使用, ,参数的调整以图形完整、线条饱满、参数的调整以图形完整、线条饱满、印刷浆料重量适当为基准印刷浆料重量适当为基准 35承载器中硅片的放置方向承载器中硅片的放置方向l 把硅片放入丝网承载器时，必须是正面（镀膜面）向下，并需确认把硅片放入丝网承载器时，必须是正面（镀膜面）向下，并需确认PEVCDPEVCD的挂钩印方向是否在与背电极垂直的一边上

28、。的挂钩印方向是否在与背电极垂直的一边上。l 放片时要注意避免人为造成的崩边缺角片放片时要注意避免人为造成的崩边缺角片。 承载器中的硅片（正面向下） 挂钩印方向（该面向下）36更换网板准备更换网板准备 需要需要检查网板中文名称检查网板中文名称( (背电极网板背电极网板) )和其膜厚和其膜厚(2830um)(2830um)，观察其产地，观察其产地和类型是否与现用网板相符合。并对着灯光观察网板是否正常。（观察是和类型是否与现用网板相符合。并对着灯光观察网板是否正常。（观察是否有黑点、漏洞、粘污等现象否有黑点、漏洞、粘污等现象）并如实、及时填写）并如实、及时填写网板更换记录表网板更换记录表。检查产地

29、、膜厚、类型等对着灯光观察网板37更换刮条准备更换刮条准备 更换更换刮条时，必须先确认整个侧面是否平整或有无缺口刮条时，必须先确认整个侧面是否平整或有无缺口，用手指摸刮条棱角观察是否，用手指摸刮条棱角观察是否平整并将刮条在平整的玻璃门上压紧，从侧面观察刮条棱角的平整度，且要彻底清洁平整并将刮条在平整的玻璃门上压紧，从侧面观察刮条棱角的平整度，且要彻底清洁整个整个刮头刮头，不能有干的浆料在其表面。将更换下的刮条用小刀将使用过的一面边角削去，不能有干的浆料在其表面。将更换下的刮条用小刀将使用过的一面边角削去。 平整、无缺口、无污染的刮条图 用手触摸棱角看是否不平 将刮条压紧在玻璃门上观察平整度 用

30、完后的刮条，用小刀切去一角38浆料准备浆料准备 1 1号机的银铝浆（或号机的银铝浆（或PV505PV505银浆）银浆）, ,搅拌时间为搅拌时间为1010分钟（分钟（PV505PV505为为1 1分钟）分钟）, ,手动搅拌。手动搅拌。2 2号机、号机、3 3号机浆料搅拌按照号机浆料搅拌按照搅拌器操作规程搅拌器操作规程进行作业。进行作业。3 3号号机银浆搅拌时间必须达到机银浆搅拌时间必须达到5 5小时以上，铝浆搅拌时间在小时以上，铝浆搅拌时间在0.5-30.5-3小时之间。需要小时之间。需要使用银浆或铝浆时，则取下浆料，打开瓶盖，用干净的刮浆板将沾在瓶盖使用银浆或铝浆时，则取下浆料，打开瓶盖，用干

31、净的刮浆板将沾在瓶盖上的浆料刮进瓶中（如图上的浆料刮进瓶中（如图1111），并用刮浆板手动将瓶中浆料搅拌），并用刮浆板手动将瓶中浆料搅拌5-105-10下后，下后，此浆料方可于此浆料方可于3 3号机和号机和2 2号机分别投入正常使用。号机分别投入正常使用。39加浆料的标准：加浆料的标准：倒入浆料需要注意适量倒入浆料需要注意适量, ,浆料在回料的时候必须能完全覆盖整个印刷图形，浆料在回料的时候必须能完全覆盖整个印刷图形，且回浆刀到达最里端时，整个刀面必须有浆料流下。但也不允许把网板整且回浆刀到达最里端时，整个刀面必须有浆料流下。但也不允许把网板整面都铺满浆料。加浆料时采用少量多次的原则。面都铺满

32、浆料。加浆料时采用少量多次的原则。标准 （2号机）标准 （1、3号机）浆料过多，铺满整个网板浆料过少各项注意事项各项注意事项40各项注意事项各项注意事项l 在在各道使用的器件（如刮头、刮条等）不允许拿到其他机台混用各道使用的器件（如刮头、刮条等）不允许拿到其他机台混用。l 刮浆板用完需立即做清理，保持刮浆板表面无浆料，并将干净的铲刀悬刮浆板用完需立即做清理，保持刮浆板表面无浆料，并将干净的铲刀悬挂在设备侧面或放在干净的无尘布上。各机台的刮浆板不可混用：挂在设备侧面或放在干净的无尘布上。各机台的刮浆板不可混用：1 1号机为号机为黄色，黄色，2 2号机为青色，号机为青色，3 3号机为黑色。号机为黑

33、色。l 各机台之间的操作员工实行责任制，不可随便串岗，防止浆料的污染。各机台之间的操作员工实行责任制，不可随便串岗，防止浆料的污染。l 刮浆板用完需立即做清理，保持悬挂在设备侧面的铲刀表面无浆料。刮浆板用完需立即做清理，保持悬挂在设备侧面的铲刀表面无浆料。 干净的刮浆板 未清理的刮浆板（须立即擦干净）41各项注意事项各项注意事项 取取放硅片时要戴好干净的手套放硅片时要戴好干净的手套，不允许直接用手接触硅片，手套脏后，不允许直接用手接触硅片，手套脏后必须立即更换。必须立即更换。 脏的手套（必须立即换） 不可用手直接接触硅片（错误）42各项注意事项各项注意事项台面纸只要沾有浆料台面纸只要沾有浆料必

34、须立即做出更换。必须立即做出更换。干净的台面衬纸沾污的台面衬纸（必须立即换）43各项注意事项各项注意事项在生产过程中要保持印刷机的玻璃门保持关闭状态：在生产过程中要保持印刷机的玻璃门保持关闭状态：1 1、保持印刷机中的湿度、保持印刷机中的湿度2 2、尽量避免印刷机中有机气体的逸出。、尽量避免印刷机中有机气体的逸出。不良片的处理：不良片的处理：在三号机前发现正面有浆料污染的片子时，在三号机前发现正面有浆料污染的片子时，要先进行隔离，待工艺评估后进行集中处要先进行隔离，待工艺评估后进行集中处理，防止有理，防止有1 1、2 2号机的浆料污染三号机号机的浆料污染三号机 ，造成银浆的浆料污染。造成银浆的

35、浆料污染。44各项注意事项各项注意事项 各各机台机台网板一旦网板一旦出现出现漏浆现象（无论是否印刷区域），必须立即漏浆现象（无论是否印刷区域），必须立即进行进行更更换，并按照要求填写网板更换记录换，并按照要求填写网板更换记录。网板上不允许贴胶带网板上不允许贴胶带，以防印刷不均匀，以防印刷不均匀，易造成隐裂或印刷不良或脱落，易造成隐裂或印刷不良或脱落。网板印刷片数达到作业指导书规定时。网板印刷片数达到作业指导书规定时（意（意即达到网板寿命时）即达到网板寿命时），必须立即进行更换网板，并及时按照要求填写网板更，必须立即进行更换网板，并及时按照要求填写网板更换记录换记录。一旦网板浆料无法完全刮净或片

36、子表一旦网板浆料无法完全刮净或片子表面出现明显印痕时（以面出现明显印痕时（以125125为例）为例）需需及及时更换网板。时更换网板。45各项注意事项各项注意事项 烘箱烘箱托盘上不能有碎片存在，必须做好及时清理工作。托盘上不能有碎片存在，必须做好及时清理工作。 烘箱托盘上有碎片（必须立即清理）烘箱托盘上有碎片（必须立即清理） 干净干净的的烘箱烘箱烘箱门在无特殊情况下要一直保持关闭状态。烘箱门在无特殊情况下要一直保持关闭状态。1 1、2 2号烘箱要每隔三小时清理一次，并及时填写号烘箱要每隔三小时清理一次，并及时填写烘箱清理记录表烘箱清理记录表。46各项注意事项各项注意事项 挡挡片片必须用未经印刷的

37、缺角片必须用未经印刷的缺角片，挡片必须严格将批与批之间区分开。这，挡片必须严格将批与批之间区分开。这样缺角片在经过印刷时会报警，提醒员工下一批的到来，同时还可避免当片样缺角片在经过印刷时会报警，提醒员工下一批的到来，同时还可避免当片的印刷导致的浆料污染。的印刷导致的浆料污染。未经印刷的缺未经印刷的缺角片（正确）角片（正确）47各项注意事项各项注意事项 印刷印刷重量必须保证在重量必须保证在PPMPPM范围范围内（银铝浆：内（银铝浆：0.18 0.18 0.03g 0.03g；铝浆：；铝浆：1.6 1.6 0.3g 0.3g；银浆：；银浆：0.21 0.21 0.03g 0.03g），若超出范围立

38、即通知工艺人员进行若超出范围立即通知工艺人员进行调整。称重必须保证及时、准确、真实。调整。称重必须保证及时、准确、真实。并及时的填写在记录表和流程并及时的填写在记录表和流程单上，誊写到网上。单上，誊写到网上。（每批称重至少（每批称重至少2 2片）称重时硅片不能靠电子天平片）称重时硅片不能靠电子天平周边，并必须将天平侧门关上周边，并必须将天平侧门关上。硅片不能靠电子天平周边硅片不能靠电子天平周边 称称重时将天平门关好重时将天平门关好48各项注意事项各项注意事项 换换下网板时，及时将网板里面的浆料收集到浆料瓶里。如果网板下网板时，及时将网板里面的浆料收集到浆料瓶里。如果网板未有异常且网板寿命未到，

39、则可将网板洗净备用，否则未有异常且网板寿命未到，则可将网板洗净备用，否则, ,在无特殊情在无特殊情况下可直接将网板割去。况下可直接将网板割去。 瓶瓶上加盖的浆料每停上加盖的浆料每停2 2个小时需要重新进行搅拌个小时需要重新进行搅拌, ,搅拌时间为搅拌时间为2-32-3分钟。每瓶开封后最长使用时间为分钟。每瓶开封后最长使用时间为7 7天。停留在网板中的浆料在超过天。停留在网板中的浆料在超过4545分钟后就需要报废并重新更换网板。分钟后就需要报废并重新更换网板。 不不允许用敲打电池片来检验是否有隐裂允许用敲打电池片来检验是否有隐裂, ,请拿起硅片目视检查。请拿起硅片目视检查。 在生产过程中在生产过

40、程中要用干净的无尘要用干净的无尘布（用戴着干净布（用戴着干净的手套握住）拍的手套握住）拍打台面，防止有打台面，防止有细小的碎屑遗留细小的碎屑遗留在台面上。在台面上。49 生产生产过程中要不定时检查印刷状况或是否有隐裂，一旦发现有异常要过程中要不定时检查印刷状况或是否有隐裂，一旦发现有异常要及时向工艺或设备反馈。各个机台要保证印刷图形的完整、不偏移，印刷及时向工艺或设备反馈。各个机台要保证印刷图形的完整、不偏移，印刷平滑，无不良状况、无印刷缺失。三号机还易出现粘板、断栅、虚印、栅平滑，无不良状况、无印刷缺失。三号机还易出现粘板、断栅、虚印、栅线加粗等问题。线加粗等问题。背电极边缘漏浆背电极翘曲正

41、面漏浆印刷偏移背场脱落栅线加粗虚印 栅线弯曲生产过程中的印刷缺陷及不良：生产过程中的印刷缺陷及不良：烧结烧结 烧结炉的作用烧结炉的作用: : 使上下电极形成欧姆接触使上下电极形成欧姆接触, ,提高转换效率提高转换效率 欧姆接触欧姆接触: :半导体材料与金属接触时没有形成整流接触半导体材料与金属接触时没有形成整流接触, ,欧姆接触具有线欧姆接触具有线形和对称形和对称V-IV-I特性特性, ,且接触时的电阻远小于材料电阻的一种接触且接触时的电阻远小于材料电阻的一种接触, ,因此因此, ,当当电流通过时良好的欧姆接触电流通过时良好的欧姆接触, ,不会产生显著的压降和功耗。不会产生显著的压降和功耗。5

42、0烧结炉的结构烧结炉的结构: :上料区上料区-烘干区烘干区-烧结区烧结区-回温区回温区( (冷却区冷却区)-)-下料区下料区烧结温度的设定烧结温度的设定51温区温区Dry1Dry2Dry3Dry4FRN1FRN2FRN3FRN4FRN5FRN6带速带速温度温度200250270300400445570675837872230 mm/minl温度可根据实际情况作出温度可根据实际情况作出1010的调整，一般很少做大幅度的变动的调整，一般很少做大幅度的变动l当工艺初始化、更换浆料型号、特殊规格的硅材料，可考虑采用差当工艺初始化、更换浆料型号、特殊规格的硅材料，可考虑采用差异较大的烧结温度进行烧结异较

43、大的烧结温度进行烧结 烧结对电池片的影响烧结对电池片的影响l 银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和FFFF的影响的影响l 铝浆烧结可形成良好的欧姆接触铝浆烧结可形成良好的欧姆接触, ,局部的受热不均和散热不均可能会导致起包局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠，严重的会起铝珠l 背面场经烧结后形成铝硅合金，杂质在铝硅合金中的溶解度要远大于在硅中背面场经烧结后形成铝硅合金，杂质在铝硅合金中的溶解度要远大于在硅中的溶解度，通过吸杂作用可减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路的溶解度，通过吸杂作用可减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应电压和短路电流，改善对红外线的响应 烧结后的氮化硅表面颜色