ESD静电防护教材现场执行

1、1会计学ESD静电防护教材现场执行静电防护教材现场执行ESD的含义Electrostatic Discharge (静电放电) 当两个物体发生相互接触磨擦时,可能会造成自身电荷的转移，如果不及时将电荷卸放，就会造成电荷积累的现象,达到一定条件时就会产生静电放电现象。为何必须做静电防护? 静电放电最大的伤害不是立即将产品打坏，而是将产品变 成“危险良品”的半不良品，使得产品在客户手中产生严重 的可靠性问题! 依据美国、欧洲及日本电子产品制造商的实际经验，如果 产品在组立封装过程或处理零件时，实施了严格的防静电 措施，那么成品良率将显著提高。 电子工业逐步向更小更精密发展，因此静电放电可能对产 品

2、造成的损坏也逐渐提高。除了ESD导致的静电伤害外， 静电还会导致ESA（Electrostatic Attraction）静电吸引、 EMI (Electromagnetic Interference)电磁干扰等致命现象。国际公认标示符号ESD Susceptibility Symbol静电放电敏感符号ESD Protective Symbol静电放电保护符号ESD Common Ground Point静电放电公共接地点工作区域警告标志静电是什么? 静态的电荷引起静电产 生的原因？ 正负电荷失去平衡静电产生的因素？摩擦(Triboelectric Charging Effect)当物质接触和

3、分离时便产生电荷影响静电产生的因素F接触的亲密度F分离的速度F物质的导电性F环境的温湿度摩擦带电系列物质鐵氟龍矽聚氯乙烯聚乙烯PU明膠聚酯人造絲硫磺金、鉑錫、銀銅、鎳硬質橡膠蠟琥珀木鋼木棉紙鋁綢鉛毛皮尼龍雲母玻璃兔毛石棉人的手空氣带正电带负电资料来源：台湾劳工安全卫生研究所，IOSH安全资料表#19材质阻抗的区分 导电性 耗散性 防静电 绝缘性100 102 104 105 106 108 109 1010 1012金属氧化物半导体 30-1,800砷化鎵场效应晶体管 100-300电可编程存储器 100结型场效应晶体管 140-7,000运算放大器 190-2,5000CMOS互补型金属氧化

4、物半导体 250-3,000散粒二极管 300-2,500薄膜电阻 300-3,000双极晶体管 380-7,000半导体控制整流器 680-1,000散粒晶体管-晶体管逻辑电路 1,000-2,500半导体装置的静电敏感度静电敏感度的门限值(V) F吸附尘埃F处理困难F产品损毁/操作失常F元件衰老/提早老化F火灾或爆炸的危险静电可能造成的影响组装范围内产生静电的物件F 人体F 工作桌椅F 地板F 衣服F 生产材料F 生产设备F 包装物料F 高速气流F 运输工具人体材料环境保护导体免遭静电伤害最经济而有效的方法是确实静电接地 电阻控制静电卸放设备防静电手环防静电桌面 1 1M +10%工作台

5、1 人体接地线设备接地线静电接地与电源接地必须分开，电源接地通过静电接地线回流过来的漏电流会破坏产品与设备，甚至造成火灾与人员电击.静电接地电源接地离子风机蜂鸣器出现蜂鸣时立即通知工程人员处理.半成品装箱进行屏蔽IC 进行静电屏蔽 设有静电防护 装置的工作地带 设有静电防护 装置的工作地带 静电遮蔽器械穿戴静电衣帽戴静电手环、静电手套、穿防静电鞋最常见的人员静电防护静电手环与静电鞋/静电地板产线静电接地监控器产线人体接地线产线设备接地线防静电输送车随时保持静电通过静电地板卸放防静电料架静电鞋测试过程戴防静电手环是消除人体静电电压最有效的方法戴静电手环作业注意事项六公分右手戴静电手环左手按静电仪

6、静电手环的使用要求 须有限流电阻，以保护人身安全 使用时，工作环境的安全电压上限为250V 腕带环扣必须可以很快松开 有一定使用寿命，须定期进行功能测试作业环境内静电防护注意事项为何必须做静电防护? 静电放电最大的伤害不是立即将产品打坏，而是将产品变 成“危险良品”的半不良品，使得产品在客户手中产生严重 的可靠性问题! 依据美国、欧洲及日本电子产品制造商的实际经验，如果 产品在组立封装过程或处理零件时，实施了严格的防静电 措施，那么成品良率将显著提高。 电子工业逐步向更小更精密发展，因此静电放电可能对产 品造成的损坏也逐渐提高。除了ESD导致的静电伤害外， 静电还会导致ESA（Electros

7、tatic Attraction）静电吸引、 EMI (Electromagnetic Interference)电磁干扰等致命现象。静电是什么? 静态的电荷引起静电产 生的原因？ 正负电荷失去平衡静电产生的因素？摩擦(Triboelectric Charging Effect)当物质接触和分离时便产生电荷金属氧化物半导体 30-1,800砷化鎵场效应晶体管 100-300电可编程存储器 100结型场效应晶体管 140-7,000运算放大器 190-2,5000CMOS互补型金属氧化物半导体 250-3,000散粒二极管 300-2,500薄膜电阻 300-3,000双极晶体管 380-7,000半导体控制整流器 680-1