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1、1会计学SiC功率半导体器件的优势及发展前景功率半导体器件的优势及发展前景 最小导通电阻当今水平（T-MAX):Si-MOSFET: 560 mSiC-FET: 50 m (6 m)理论极限（T-MAX):Si-MOSFET: 400 mSiC-FET: 1 m击穿电压/V导通电阻 cm碳化硅和硅性质比较的图示导热性（W/cmK)饱和速（ cm/s）7*10带隙（eV）碳化硅-立方晶体(一种)和六方晶系（4H,6H等多种)击穿范围(MV/cm)电子迁移率(*10 cm/Vs)硅-面心立方晶体SiC肖特基二极管同Si超快恢复二极管的比较 高阻断电压高开关速度高温时稳定性好三相光伏逆变器B6-Br

2、idge750 DCV7 kW开关频率：16.6 kHz功率半导体器件IGBT 2 (BSM15GD120DN2), IGBT 3 (FS25R12YT3), IGBT 4 (FS25R12W1T4)SiC-MOSFET (CNM 1009)三相光伏逆变器效率20年内IGBT将会和目前的SiC元件具有同样的性能一台利用SiC晶体管7kW光伏逆变器的经济效益 能量增益 (每年)最大再生能源发电补助/KWA效率提高代来的增益(每年)效率提高带来的增益(10年) 佛莱堡 (德国) 140KWh 0.45EUR 63EUR 630EUR 阿尔梅亚 (西班牙) 275KWh 0.44EUR 121EUR

3、 1210EUR 马 赛 (法国) 250KWh 0.55EUR 137EUR 1370EUR单相HERIC-逆变器H4-桥 + HERIC-开关管350DCV5 kW开关频率：16 kHz功率半导体器件IGBT: FGL40N120ANDSiC Transistors: MOSFET (CNM 1009), JFET (SJEP120R063)SiC Diodes: C2D20120D单相HERIC-Inverter效率当MOSFET高温时，采用MOSFET和JFETs 的效率相等测量结果包括辅助源的损耗效率与温度的关系(HERIC-逆变器)最高效率和温度无关更小的散热装置损耗减半散热装置温度可以更高效率与电压关系(HERIC-逆变器)SiC晶体管最高效率与直流电压关系不大可以用于宽范围的输入电压逆变器最高效率提升图碳化硅和硅性质比较的图示导热性（W/cmK)饱和速（ cm/s）7*10带隙（eV）碳化硅-立方晶体(一种)和六方晶系（4H,6H等多种)击穿范围(MV/cm)电子迁移率(*10 cm/Vs)硅-面心立方晶体三相光伏逆变器效率20年内IGBT将会和目前的SiC元

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