单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点

1、一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳牧与阴裤间必须加正向电压，二爱控制枕也要加正向电压。 以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即便降 低控制枕电压或去掉控制枕电压，可控硅仿然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳枚至阴枚之间的正向电压，使阳枕电流小于*小 维持电流以下。二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳枕，阴枕引线比控制秋引 线长。从外形无法利断的可控硅，可用万用RXIO 0或RX1K挡，测量可控硅任意两管脚 间的正反向电阻，当万用丧指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制

2、 裤G,红丧笔所接的是阴枚C,余下的一只管脚为阳裤A。三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一畏三个PN结应完好；第二是当阴枕与阳 眾问电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制枚开路时，阳枚与阴枚问的电压正向 连接时也不导通；第四姥给控制枚加上正向电流，给阴枕与阳牧加正向电压时，可控硅应当 导通，把控制枚电流去掉，仍处于导通状态。用万用丧的欧姆档测量可控硅的枕间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方 法是：用RXlk或RXIOk挡测阴枕与阳眾之间的正反向电阻（控制枕不接电压），此两个阻 值均应很大。电阻值越大，表明正反向斓电电流愈小。如果測得的阻值很低，或

3、近于无穷大, 说明可控硅巳经击穿想路或巳经开路，此可控硅不能使用了。用RXlk或RXIOk挡测阳枕与控制枕之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上, 若电阻值很小裘明可控硅击穿短路。用RXlk或RX100档，测控制枚和阴枚之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出 现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制枕与阴牧之间的PN结巳经损坏。反向阻債应 很大，但不能为无穷大。正常惰况爱反向阻值明显大于正向阻值。万用裘选电阻RX1挡，将黑表笔接阳牧，红裘笔仍接阴枚，此时万用表指针应不动。 红表笔接阴枕不动，黒表笔在不脱开阳秋的同时用表笔尖去瞬间短接控制枕，此时万用表电 阻档指针应向右偏转，阻值樓数为1

4、0欧姆左右。如阳枚接黑表笔，阴枕接红丧笔时，万用丧 指针发生偏转，说明该单向可控硅巳击穿损坏。四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角 的大小、散热通风条件等闵亲。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即 更换。3、严奈用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘悄况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证敬热器与可控 硅管心接触良好，它们

5、之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压氏过流保护装置。6、要防止可控硅控制枕的正向过载和反向击穿。双向可控硅的工作原理1可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它沓 作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳枕A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如杲从控制牧G输入 一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电枚电流ic2=p2ib2。因为 BG2的袅电枕直接与BG1的荃枕相连，所以ibl=ic20此时，电流ic2再经BG1放大，于是 BG1的巢电枚电流icl=Ribl弓邛2ib2。这个电流又流回到BG2的杀氐 表成正反馈，使ib2 不断壇大，如此正向馈術环的结果，两个管于的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导適后，即使控制牧G的电流消失 T,可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起蝕发作用，没有关断功能，所以这种 可控硅爰不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关倚性，这种特性需要一定的条 件才能转化2,触发导通在控制秋G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电 于进入P2区，形成触发电流IGT