南开大学《电子综合基础》考研真题2011年

1、南开大学电子综合基础考研真题 2011年（总分：75.00，做题时间：90分钟）一、B简答题/B（总题数：5,分数：20.00）1. 简单叙述N沟道增强型和耗尽型 MOSt的主要区别。（分数：4.00 ）正确答案：（从结构上看，N沟道耗尽型MOST与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于当栅 -源极 间电压Ugs=0时，耗尽型MOST中的漏-源极间已有导电沟道产生，而增强型没有。）解析：2. 由双极晶体管组成的共射极放大电路，其上、下限截止频率主要取决于哪些元件？（分数：4.00 ）正确答案：（上、下限截止频率主要取决于输岀电阻、集电极电阻和电容。）解析：3. 在稳压电源电路中，为了稳定输

2、出电压，一般采用什么负反馈？（分数：4.00 ） 正确答案：（一般采用电压负反馈。） 解析：4. 提高电压放大电路的输入阻抗有什么好处 （分数：4.00 ）正确答案：（提高电压放大电路的输入阻抗可以稳定输入电流，抑制温漂。）解析：5. 开关电源中续流二极管的主要作用是什么？（分数：4.00 ） 正确答案：（主要作用是在开关管关闭时，储能电感能与续流二极管构成回路，在此种情况下，二极管是导 通的。）解析：二、B/B（ 总题数：1,分数：10.00）6. 如下图所示电路，三极管的参数相同，B =100，|Ube|=0.5V，|Ua|=丰试计算流过 R的电流。（分数：10.00 ） 正确答案：（根据

3、题意，由R、VT1和VT2组成的支路，可得流过 R2的电流为:*所以 U=12.5- 0.05 X230=1V 则可得： Ub4=1-Ueb4=0.5V因此流过R的电流为*，即:l1=G=3mA由VT3和VT2组成镜像电路，可见，流过R的电流为3mA ）解析：三、B/B（总题数：1,分数：15.00）（分数：15.00） 正确答案：（根据二极管的导通特性，共阴极连接的二极管电路，阳极电压高的优先导通；共阳极连接的二 极管电路，阴极电压低的优先导通。由题图所示电路可知，VD与VD, VD与VD是共阴极连接，经分析不可能存在同时导通的情况，只可能 VD 与VD3同时导通，所以可得如下方程组：正确答

4、案：（可将电路分为两级放大电路，第一级为共射放大电路，第二级为理想运算放大电路。先算第一 级放大电路的静态工作点：*所以静态电流为：*静态电压为：UCe=12-（R 3+ROI e=4V利用小信号分析法，该共射放大电路的电压放大倍数为： 解得：I i=0.8mA，12=1.2mA，13=0.4mA则流过Ri，R2和Rs上的电流分别为0.8mA，1.2mA和0.4mA。）解析：四、B/B（ 总题数：1,分数：15.00）由理想运算放大器和二极管（正向导通压降为零）组成的电路如下图1所示。图1（分数：15.00）（1）.分析计算输出电压u。，并画出输出电压Uo随输入电压u （分数：7.50） 正确答案：（由理想运放的“虚短”和“虚断”，可得：*输出电压Uo随输入电压Ui的变化曲线如图2所示。*）解析:R正确答案：（Rs的作用是是阻抗匹配作用，增加带负载能力。）解析：五、B/B（总题数：1,分数：15.00）8.由理想运算放大器组成的电路如下图所示,电容C、G和C3足够大，三极管的B值很大，UBe=0.5V ,Ua=,忽略基区电阻，