科技论文最终检索调研报告

1、 航天航空学院机电系电气及其自动化专业科技论文阅读及写作检索说明书 作者：张蔚、兰逸新、孙庆强 指导老师：马盛林2016年3月27日目录一、检索介绍及关键词分析31.1 检索目的31.2 检索策略31.3 关键词分析3二、检索结果42.1 SCI库中检索结果及分析42.1.1 数据统计分析42.1.2 研究特色分析52.1.3 SCI库检索结论62.2 EI库中检索结果及分析72.2.1数据统计分析72.2.2 研究特色分析82.2.3 EI库检索结论102.3 IEEE库中检索结果及分析112.3.1 数据统计分析112.3.2 研究特色分析122.3.3 IEEE库检索结论132.4 Sp

2、ringer库中检索结果及分析142.4.1 数据统计分析142.4.2 研究特色分析152.4.3 Springer库检索结论162.5 艾斯维尔Elsevier数据库检索结果及分析172.5.1 数据统计分析172.5.2 研究特色分析182.5.3 艾斯维尔检索结论202.6 美国专利数据库检索结果及分析202.6.1 数据统计分析202.6.2 专利内容分析212.6.3 美国专利数据库检索结论22三、 调研结论22一、检索介绍及关键词分析1.1 检索目的随着传统的互联技术和封装技术的发展遇到越来越多的挑战和限制，发展三维系统封装技术已逐渐成为目前国际半导体行业研究热点和未来发展的新主

3、题。TSV技术是三维系统封装的关键技术之一，是实现多芯片叠层化集成以及垂直电互联的关键。因此本研究报告对TSV技术的相关文献进行了检索分析，选取硅插入器(Si interposer)、TSV(through-silicon via)；热力建模(thermal simulation)作为检索关键字，旨在研究硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究成果。1.2 检索策略为了使检索结果具有可靠性和全面性，我们选取了国际知名度和可靠性较高的5个文献库和1个专利库：分别是SCI、EI、IEEE、Springer、艾斯维尔数据库这五个文献数据库和美国专利数据库。第一先对检索结果进行关键词优化，提高检索结

4、果的可靠性；第二分别从国别统计、研究热度和引用分析三个层面对检索结果进行统计类分析；第三分别从研究主题、研究方向、研究目的、研究防水、研究结果、研究水平六个方面对检索结果进行研究特色分析，使检索结果一目了然并且更具有深度。1.3 关键词分析本组选取的关键词是硅插入器(Si interposer)、TSV(through-silicon via)；热力建模(thermal simulation)，初步在SCI中尝试搜索得到4篇文件，可见关键词的限定度很高，并且搜索出的论文中用的词和我们的检索关键词相符，说明关键词的专业度很高；由于TSV和through-silicon via是缩写和全称的关系，

5、考虑到有些文献中可能只会用到缩写或者只会用到全称，因此将关键词扩大为TSV或through-silicon via，以此对搜索结果进行优化。二、检索结果2.1 SCI库中检索结果及分析上述关键词在SCI库中检索结果已附在excel表格中，因篇幅过长，就不再在文中重复显示。2.1.1 数据统计分析 l 研究国别分析： 由上图可以看出研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国，并且美国研究这一课题的热度高于中国和新加坡。l 年度研究热度分析由上图的趋势线可以看出，硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究近年来越来越热，在2011年到达热度顶峰。研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国；

6、2009年美国和新加坡最先研究这类课题，到了2012年中国才开始有关于此课题的论文发表在SCI上。l 引用分析 从引用次数分析可以看出，论文2,3,4均为在IEEE上发表的文章，均被大量检索和引用；论文1为在ICEPT上发表的文章，未被引用；可看出引用次数与发表期刊的影响力明显是正相关的(IEEE国际知名度和影响力远高于ICEPT)2.1.2 研究特色分析l 从研究主题上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文主题是TSV的内界面压力；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Pac

7、kage with through Silicon via(TSV) Interposer 一文主题是带TSV嵌入器的大型 Cu/low-k FCBGA包的发展；Advanced Reliability Study of TSV Interposers and Interconnects for the 28nm Technology FPGA一文主题是TSV嵌入器和28nm制程技术的先进可靠性研究；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch

8、Cu/low-k FCBGA Package一文针对大型 Cu/low-k FCBGA包的TSV嵌入器的发展过程。l 从研究方向上看：四篇论文都是TSV技术在热力建模方面的应用l 从研究方法上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文主要运用系统建模仿真的方法，从RDL axi-symmetric单一TSV模型层考虑；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文主要进行了链完整性监视和可

9、靠性测试；Advanced Reliability Study of TSV Interposers and Interconnects for the 28nm Technology FPGA一文主要运用热力3D建模与仿真的方法，为了最大化收益和可靠性，对数值进行优化设计和材料选择。Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文进行了机械和热建模与仿真建立了TSV插入器制造过程和装配过程的大型模具

10、安装在TSV插入器与焊料Pb-free微填充不足。并对FCBGA样本进行了水分的敏感性测试和热循环(TC)的可靠性评估。l 从研究目的上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文旨在解决穿硅互联(TSV)高密度互连在三维包装互连技术中材料的热机械可靠性的问题；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文说旨在解决传统的有机增强衬底由于技术限制正面临一个在小节距线路上的瓶颈,并且解决制造更

11、好的有机基质沥青的成本较高的问题；Advanced Reliability Study of TSV Interposers and Interconnects for the 28nm Technology FPGA一文旨在提供高布线密度之间的联系,改善电气性能，解决由于衬底短的互连和最小化CTE芯片和铜填充TSV插入器之间的不匹配,导致高可靠性微突起和更可靠的芯片性能；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA

12、 Package一文旨在减少CTE不匹配的芯片材料Cu/low-k容易受到机械压力,并改善从芯片到衬底电气性能较短的连接。进一步解决传统的有机基质形成无法支持这些类型的硅晶片的问题。l 从研究结果上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文分析了以铜为材料的axi-symmetric单一TSV模型层的合理性；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文分析了以芯片材料Cu/low-k改善

13、电气性能由于短的互连芯片衬底的合理性；Advanced Reliability Study of TSV Interposers and Interconnects for the 28nm Technology FPGA一文分析了拥有高性能的28 nm逻辑死区，带铜的穿硅互联技术的合理性；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文对65mile,9-metal层芯片进行了敏感性测试和热循环(T

14、C)的可靠性评估。l 从研究水平上看：四篇文献都属于学科前沿2.1.3 SCI库检索结论 2009-2012年关于硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究侧重点各不相同，前三年主要又美国新加坡的学者在研究，侧重点在于TSV技术芯片材料制造成型技术的优化以及成本的节省，2012年我国学者参与了研究，侧重点在于建立模型解决热机械可靠性的问题。大部分关于硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究运用的主要研究方法还是3D建模与仿真的方法，Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon v

15、ia(TSV) Interposer 一文比较特殊，采用的方法是完整性监视和可靠性测试。2.2 EI库中检索结果及分析 见excel表格。2.2.1数据统计分析l 研究国别分析： 由上图可以看出研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国，结合表格可知这一课题多为三国合作研究。l 研究热度分析由上图的趋势线可以看出，硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究始于2009年，在2011年达到顶峰。结合excel表格可见，研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国，其中研究此课题的中国学者主要集中在台湾；这一课题早期由美国、新加坡、中国学者共同研究，随年份推移变成各国自主研究，可见研究逐渐趋

16、于成熟。l 引用分析 结合excel表格，文章1、2、3均为期刊文章，4为新闻文章，2、3由电气和电子工程师协会出版。从引用次数可见，这一课题的研究成果主要在期刊上传播，引用次数与发表期刊的影响力是正相关的。而且三国共同研究成果的认可度大于各国单独研究。2.2.2 研究特色分析 l 从研究主题上看：Performance and process comparison between glass and Si interposer for 3D-IC integration一文主要研究硅和玻璃插入器的性能比较；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-

17、k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 和Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package两篇论文的主题均为Cu/low-k测试芯片的新型TSV技术；Reliability study of 3D IC packaging based on through-silicon interposer (TSI) and silicon-l

18、ess interconnection technology (SLIT) using finite element analysis主要研究三维封装技术和SLIT技术。l 从研究方法上看：Performance and process comparison between glass and Si interposer for 3D-IC integration采用对比实验的方法，将硅与玻璃两种材料放在相同的实验条件下进行性能比较；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon v

19、ia(TSV) Interposer 采用系统建模仿真的方法，对Cu/low-k芯片互连通过链和链完整性监视和可靠性测试；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文采用系统建模仿真的方法，实验前样品已经受到热循环,electro-migration和水分敏感性测试；Reliability study of 3D IC packaging based on through-silicon inte

20、rposer (TSI) and silicon-less interconnection technology (SLIT) using finite element analysis一文采用对比方法，将三维和2.5维的封装技术进行对比。l 从研究结果上看：Performance and process comparison between glass and Si interposer for 3D-IC integration一文得出玻璃具有更好的电气隔离性能和更低的成本，比硅更有发展前景这一结果；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k

21、FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文用21x21mm的Cu/low-k测试芯片的穿硅互联(TSV)方法突破了布线间距越来越细的瓶颈；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文在上文的基础上减少了CTE不匹配的芯片材料Cu/low-k受到的机械压力,并改善从芯片到衬底电气性能较短的连接；Reliability study

22、 of 3D IC packaging based on through-silicon interposer (TSI) and silicon-less interconnection technology (SLIT) using finite element analysis一文表面SLIT封装技术是一种有着良好热电机械性能和低成本的电子封装技术。l 从研究目的上看：Performance and process comparison between glass and Si interposer for 3D-IC integration一文探讨玻璃插入器的性能和优点；Develop

23、ment of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文用21x21mm的Cu/low-k测试芯片的穿硅互联(TSV)方法来解决传统方法无法支撑越来越大，布线间距越来越细的硅晶片这一问题；Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文旨在减少CTE不匹配的芯片材料Cu

24、/low-k容易受到机械压力,并改善从芯片到衬底电气性能较短的连接；Reliability study of 3D IC packaging based on through-silicon interposer (TSI) and silicon-less interconnection technology (SLIT) using finite element analysis一文介绍了于穿硅互联(TSV)的三维集成封装技术和使用有限元的SLIT分析。l 从研究方向上看：Performance and process comparison between glass and Si int

25、erposer for 3D-IC integration一文是对TSV技术的材料选择进行研究；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 和Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文是对TSV技术的技术改进和更新；Reliability s

26、tudy of 3D IC packaging based on through-silicon interposer (TSI) and silicon-less interconnection technology (SLIT) using finite element analysis一文旨在说明TSV技术的应用。l 从研究驱动力上看：Performance and process comparison between glass and Si interposer for 3D-IC integration一文是为了改进性能、降低成本；Development of Large Die

27、Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文和Development of Through Silicon Via (TSV) Interposer Technology for Large Die (21x21mm) Fine-pitch Cu/low-k FCBGA Package一文旨在解决传统TSV技术的瓶颈和在发展中的不足；Reliability study of 3D IC packaging based on through-silicon interposer (TSI

28、) and silicon-less interconnection technology (SLIT) using finite element analysis一文为了拓宽TSV的应用领域。l 从研究水平上看：四篇文章均属于领域前沿。2.2.3 EI库检索结论 研究硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的表现的学者集中在中国、美国、新加坡三国，随年份推移由三国合作研究逐渐转变为单独研究，可见这方面的研究越来越成熟。由研究特色的不同以及引用次数的差异，可看出这一领域的学者还是以突破穿硅互联（TSV）在细间距布线方面的瓶颈为主要侧重点，新型材料的应用也是关注较多的一个问题。而基于TSV的应用目前

29、还少有学者研究，这也是此项研究的新课题。2.3 IEEE库中检索结果及分析上述关键词在IEEE库检索结果有6篇，从中选取4篇进行分析，结果已附在excel表格中，因篇幅过长，就不再在文中重复显示。2.3.1 数据统计分析 l 研究国别分析： 由上图可以看出研究这一课题的学者主要集中在美国、中国、新加坡，其中美国既有本国学者独立发表的，也有与外国学者联合发表的，可见美国在该领域的研究远胜于其他国家。l 研究热度分析由上图的趋势线可以看出，硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究近年来趋势较稳，在IEEE上的论文数相对于其他数据库不是很多。l 引用分析 从引用次数分析可以看出，论文2,3,4均为

30、在IEEE上发表的文章，引用热度明显较高，论文1为在ICEPT上发表的文章，未被引用，可见该课题研究者较多关注IEEE，或者说发表在IEEE的相对可以获得较高程度的关注度。2.3.2 研究特色分析 l 从研究主题上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文主题是硅通孔的表面应力；Development of through silicon via(TSV) interposertechnology for large die: (21×21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package 一文主题是TSV技术

31、在大封装插入模型的发展； Design, Fabrication, and Characterization of Ultrathin 3-D Glass Interposers WithThrough-Package-Vias at Same Pitch as TSVs inSilicon一文主题是TSV封装的三维玻璃插入物的设计、制造和特性描述；Performance analysis of throughsilicon via(TSV) andthroughglassvia(TGV) for different materials一文针对大型 不同材料使用TSV和TGV的性能分析。l 从

32、研究方向上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文是三维互联技术中材料的热机械稳定性；Development of through silicon via(TSV) interposertechnology for large die: (21×21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package 一文是封装插入技术； Design, Fabrication, and Characterization of Ultrathin 3-D Glass Interposers WithThrough-Packag

33、e-Vias at Same Pitch as TSVs inSilicon一文是TSV技术在三维玻璃插入物的应用；Performance analysis of throughsilicon via(TSV) andthroughglassvia(TGV) for different materials一文是TSV和其他同类技术的比较。l 从研究方法上看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文是系统建模仿真；Development of through silicon via(TSV) interposertechnology for lar

34、ge die: (21×21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package 一文是制造实物，进行性能监视和可靠性测试； Design, Fabrication, and Characterization of Ultrathin 3-D Glass Interposers WithThrough-Package-Vias at Same Pitch as TSVs inSilicon一文是将TPV和TSV技术进行对比，使用三维电磁仿真技术研究信号的插入损耗和串扰性能，探索了TPV模型的影响因素；Performance analysis of through

35、silicon via(TSV) andthroughglassvia(TGV) for different materials一文是模型仿真分析。l 从研究目的上看：nterfacial Stress in Through Silicon Vias一文旨在旨在解决穿硅互联(TSV)高密度互连在三维包装互连技术中材料的热机械可靠性的问题；Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文说旨在解决传统的有机增强衬底由于技术限制正面临一个在小节

36、距线路上的瓶颈； Design, Fabrication, and Characterization of Ultrathin 3-D Glass Interposers WithThrough-Package-Vias at Same Pitch as TSVs inSilicon一文旨在探索TSV封装的三维玻璃插入物的设计、制造方法以及如何描述其特性；CPerformance analysis of throughsilicon via(TSV) andthroughglassvia(TGV) for different materials一文旨在比较TSV和TGV的性能。l 从研究结果上

37、看：Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文分析了热机械稳定性的影响因素；Development of through silicon via(TSV) interposertechnology for large die: (21×21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package 一文得到大区域封装的性能测试数据； Design, Fabrication, and Characterization of Ultrathin 3-D Glass Interposers WithThrough-Package

38、-Vias at Same Pitch as TSVs inSilicon一文表明，用三维芯片堆叠技术来实现逻辑和存储设备的高带宽是个更好的选择；Performance analysis of throughsilicon via(TSV) andthroughglassvia(TGV) for different materials一文表明使用玻璃是最好的选择，虽然插入材料用硅中介层具有一些独特的优势。l 从研究水平上看：四篇文献都属于学科前沿2.3.3 IEEE库检索结论 近年来在IEEE库中发表的该课题的文献数目相对稳定，并且同类文章发表在IEEE上，具有较高的被引用量，说明IEEE库与

39、该课题较相关，研究者比较关注该数据库上的研究成果。这也说明了一点，对于不同数据库，所涉及的专业领域可能大同小异，但是在深度和精度方面就不同了，由此导致同一领域在不同数据库的信息量相差较大，故在进行论文检索时，可以先大致理清所研究课题涉及的领域，再针对性的在对应数据库上进行检索，以此达到事半功倍的效果。2.4 Springer库中检索结果及分析上述关键词在Springer库检索结果有22篇，从中选取4篇进行分析，结果已附在excel表格中，因篇幅过长，就不再在文中重复显示。2.4.1 数据统计分析 l 研究国别分析： 由上图可以看出研究这一课题的学者主要集中在韩国、美国、日本、中国，主要集中在亚

40、太经合区域，未出现西欧国家，可见该领域对于亚洲、美洲的科技发展可能有更重要的影响作用。l 研究热度分析由上图的趋势线可以看出，硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究近年来趋势呈逐渐上升状，以2014年最多，2010年最少。l 引用分析从引用次数分析可以看出，各个论文都有较高的被引用量，远胜于前面的IEEE数据库，说明Springer数据库上的文献质量也较高，并且可能更贴合于该课题的研究趋势，从而导致相关文献的被引用数也较高。2.4.2 研究特色分析 l 从研究主题上看：TSV Decoupling Schemes一文主题是TSV解耦方案；TSVs for Power Delivery 一文

41、主题是TSV在电力输送技术的应用； Silicon Optical Interposers for High-Density Optical Interconnects一文主题是用于高密度光学互联的光学硅内插器；Quartz resonator assembling with TSV interposer using polymer sealing or metal bonding一文用TSV将聚合物和金属结合的石英谐振器。l 从研究方向上看：TSV Decoupling Schemes一文是TSV解耦方案；TSVs for Power Delivery 一文是TSV技术与电力输送； Sili

42、con Optical Interposers for High-Density Optical Interconnects一文是TSV在光学芯片互联的带宽问题；Quartz resonator assembling with TSV interposer using polymer sealing or metal bonding一文是TSV技术在石英谐振器方面的应用。l 从研究方法上看：TSV Decoupling Schemes一文是模型仿真分析；TSVs for Power Delivery 一文研究了TSV大小的影响。我们研究各种建筑形态寻找最佳的TSV粒度。我们探索的影响和对共享专

43、用TSV的PDN性能和电力输送同轴TSV的可行性； Silicon Optical Interposers for High-Density Optical Interconnects一文是提出问题，并通过实验证明结论；Quartz resonator assembling with TSV interposer using polymer sealing or metal bonding一文是采用了几种三维（3D）的核心技术制造实物，并进行性能测试实验。l 从研究目的上看：TSV Decoupling Schemes一文旨在探索出TSV解耦的方案；TSVs for Power Deliver

44、y 一文旨在解决三维的多个模具的堆积中，强劲的动力传递需要根据尺度不断增加工作频率，提高功率密度，降低电源电压的问题； Silicon Optical Interposers for High-Density Optical Interconnects一文旨在探索如何解决芯片互连的带宽瓶颈；Quartz resonator assembling with TSV interposer using polymer sealing or metal bonding一文旨在探索如何通过TSV技术提升石英谐振器的性能。l 从研究结果上看：TSV Decoupling Schemes一文实现了芯片用去耦

45、电容和无源元件并用TSV技术实现封装；TSVs for Power Delivery 一文使用TSV 3D IC有助于实现三维电力输送网络性能的目标； Silicon Optical Interposers for High-Density Optical Interconnects一文证明了光互连硅在硅衬底上的所有光学元件的集成，实现了高带宽30 Tbps /cm2的密度；Quartz resonator assembling with TSV interposer using polymer sealing or metal bonding一文提出了一种基于硅通孔（TSV）与金属或聚合物粘

46、结密封内的频率成分石英谐振器的晶圆级封装方法。l 从研究水平上看：四篇文献都属于领域前沿2.4.3 Springer库检索结论 通过与前述三个数据库的比较可知，从Springer中检索出来的结果，与三维集成电路的功率损耗、功率密度等问题相关度较高，因此检索结果也与前几个有较大差别。此外Springer相对来说缺乏会议信息，但是作者信息却比其他数据库来得详细很多，可以很方便的得知作者的工作单位，email等信息，方便与其取得联系，并且Springer检索到的结果也与其他数据库有较大差异，从检索结果的相关性来说，个人觉得其他三个数据库要优于Springer。2.5 艾斯维尔Elsevier数据库检

47、索结果及分析上述关键词在艾斯维尔中共检索到30个结果。从检索结果中选取4篇做分析，结果已附在excel表格中，因篇幅过长，就不再在文中重复显示。2.5.1 数据统计分析 l 研究国别分析： 由上图可以看出研究这一课题的学者主要有澳大利亚、日本、中国、新加坡以及中国台湾，并且新加坡和中国台湾的学者是研究伙伴关系，可见该领域涉及到跨国家和地域的合作。l 研究热度分析由上图的趋势线可以看出，硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究从2010年开始到目前，呈振荡性增长，在2014年到达热度顶峰，由趋势线可以看出，该课题研究领域会越来越热。从选取的四篇中发现，研究这一课题的学者分布在日本、新加坡、中国

48、、澳大利亚等多个国家，并且有大部分是发表在Microelectronics Journal上。l 引用分析 从引用次数分析可以看出，论文1,3,4均为在Microelectronics Journal上发表的文章，被引用次数相对较多，可见，该课题领域的研究成果在该期刊上的被关注率以及被认可度较高。2.5.2 研究特色分析 l 从研究主题上看：The effects of etching and deposition on the performance and stress evolution of open through silicon vias一文主题是硅通孔表面蚀刻技术和沉积技术的影响

49、；Impact of die thinning on the thermal performance of a central TSV bus in a 3D stacked circuit 一文主题是模具细化对3D堆叠电路的中间TSV总线的性能影响；Equivalent mechanical properties of through silicon via interposers A unit model approach一文主题是TSV内插器的等效机械特性；Effects of TSVs (through-silicon vias) on thermal performances of

50、3D IC integration system-in-package (SiP)一文主题是TSV对3D IC集成封装系统的热性能的影响。l 从研究方向上看：The effects of etching and deposition on the performance and stress evolution of open through silicon vias一文是硅通孔蚀刻技术和沉积技术的效果；Impact of die thinning on the thermal performance of a central TSV bus in a 3D stacked circuit 一

51、文是3D堆叠电路中的TSV总线；Equivalent mechanical properties of through silicon via interposers A unit model approach一文是TSV内插器的机械特性；Effects of TSVs (through-silicon vias) on thermal performances of 3D IC integration system-in-package (SiP)一文是TSV技术与三维集成封装系统的性能。l 从研究方法上看：The effects of etching and deposition on t

52、he performance and stress evolution of open through silicon vias一文是硅通孔蚀刻技术和沉积技术的效果；Impact of die thinning on the thermal performance of a central TSV bus in a 3D stacked circuit 一文是研究堆叠TSV 28薄芯片的热效应，在一定范围内的模具厚度与视图MathML源查看MathML源；Equivalent mechanical properties of through silicon via interposers A

53、unit model approach一文是使用有限元或计算机辅助设计软件包的全局特征的内插器的热响应，或模拟其作用；Effects of TSVs (through-silicon vias) on thermal performances of 3D IC integration system-in-package (SiP)一文是基于传热和CFD（计算流体动力学）分析研究在用TSV（硅通孔）技术封装的的3D IC集成系统的热性能。l 从研究目的上看：The effects of etching and deposition on the performance and stress ev

54、olution of open through silicon vias一文是分析博西法蚀刻技术和开放性TSV表面的LPCVD氧化物沉积技术的效果；Impact of die thinning on the thermal performance of a central TSV bus in a 3D stacked circuit 一文是探索模具细化对TSV总线的性能影响；Equivalent mechanical properties of through silicon via interposers A unit model approach一文是设计和优化一种全局分析TSV模型单元

55、的内插器；Effects of TSVs (through-silicon vias) on thermal performances of 3D IC integration system-in-package (SiP)一文是探索TSV技术用于三维集成封装系统的热性能。l 从研究结果上看：The effects of etching and deposition on the performance and stress evolution of open through silicon vias一文得到了两种技术的效果比较；Impact of die thinning on the thermal performance of a central TSV bus in a 3D stacked circuit 一文得到最佳的平衡在一个成本不到2层和8层之间的所有案件中驱动温度增加2%总线功耗降低20%；Equivalent mechanical properties of through silicon