五计算机硬件内存

1、计算机学校计算机组装与维护课件制作：孙波第五节、计算机内部硬件内存内存条的简介计算机的存储器由两大部份组成内存和外存，外存主要有硬盘、光盘等。计算机硬盘（或者是软盘和CD- ROM就像是个文 件柜，桌面就相当于电脑的内存，桌面越大，可以摆放的文件 数量就越多，使用者就不必经常打开文件柜抽取或存放文件， 这样它的工作效率也就会提高。同理内存越大，计算机的速度 也越快。内存的主要作用是用来临时存放数据，再与 CPI协调工作，从 而提高整机性能。内存作为个人计算机硬件的必要组成部分之 一，其地位越来越重要，内存的容量与性能已成为衡量计算机 整体性能的一个决定性因素。在内存中最小的物理单元是位，从本质

2、上来讲，位是一个位于 某种二值状态（通常是0和1）下的电气单元。八位组成一个 字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）。字节是内存可 访问的最基本单元，每个这样的组合可代表单独的一个数据字 符或指令。内存条的分类内存（Memory也称内部存储器或主存，按照内存的工作原理 主要分为两类。早期的主板使用的内存类型主要有 FPM EDO SDRAMRDRAM目前主板常见的有DDR DDR2内存当前，内存条的封装方式有184线、200线、240线等多种168线、184线已淘汰。下图：SD-168线内存条DDR2-240 线内存条（一 ）、RAM （Random Access Memory）随机存取

3、存储器，用来暂时存放程序和数据，其特点是存储的 数据在掉电后会丢失。系统运行时，首先将指令和数据从外部 存储器（外存）中调入内存，CPU再从内存中读取指令和数据 进行运算，并将运算结果存入内存中。它又分为两种。1、动态随机存取存储器（DRAM Dynamic RAMDRAMfc要应用在计算机中的主存储器中，如内存条由此构成 特点：集成度高，结构简单，功耗低，生产成本低。2、静态随机存取存储器（SRAM Static RAM）SRAMt要应用在计算机中的高速小容量存储器， 如CACH则是 由此构成特点：结构相对复杂，造价高，速度快。（二）、ROM （ Read Only Memory ）只读存储

4、器，特点：只能从中读取信息而不能任意写入信息。一般用于保存不可更改的数据，如 BIOS可分为以下三种：.EPROM:可擦可编程只读存储器，芯片上有一个透明窗口。.EEPROM电可擦可编程只读存储器。.闪速存储器Flash Memory :可以将BIOS存储在其中，当需要时可以利用软件来自动升级和修改 BIOS较为方便。三、内存接口标准内存条的接口类型有 SIMM DIMM和RIMM等 3种。SIMM（ Si ngle Inline Memory Module ，单列直插内存模块） 就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构， 它多用于 早期的FPM和EDD DRAMDIMM（ Dual In

5、li ne Memory Module ，双列直插内存模块） 与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多 数据信号的传送需要。SDRAMIMM为 168Pin DIMM结构；DDRQIMM为 240pin DIMM 结构。RIMM（ Rambus Inline Memory Module）是 Rambus公司生产 的RDRAI内存所采用的接口类型四、内存技术指标1、存储速度内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒， 记为ns, 1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10" 9秒。ns和MHz之间的换算关系如下

6、：1n s=1000MHz6n s=166MHz7n s=143MHz10n s=100MHz2、存储容量目前常见的内存存储容量单条为 128MB 256MB 512MB当然 也有单条1GB的，内存，不过其价格较高，普通用户少有使用。3、CLCL是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地 址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要 标志之一。对于 PC1600和PC2100的内存来说，其规定的 CL 应该为2,即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。4、SPD芯片SPD是一个8针256字节的EERROM可电擦写可编程只读存储 器）芯片.位置一般处在内存条正面的右侧

7、,里面记录了诸如内 存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开 机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。6、内存带宽即内存数据传输速率。内存带宽的确定方式为：B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位 数，则带宽B=F*D/8如常见 100MHZ的 SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/ 秒常见 133MHZ勺 SDRAI内存的带宽=133MHz*64bit/8=1064MB/秒7、内存电压内存正常工作所需要的电压值，SDRAM内存一般工作电压都在 3.3伏左右，上下浮动额度不超过 0.3伏；DDR SDRAI内存一 般工作电压都

8、在2.5伏左右，上下浮动额度不超过 0.2伏；而 DDR2 SDRA内存的工作电压一般在 1.8V左右。五、内存选配指南1. 不要贪高求贵，量力而行。如果不考虑以后主板或 CPU等系统的升级，最好是量体裁衣， 不要一昧求高频率、高容量。就目前水平，一般选择容量512M即可，如果要作图形图像处理 或运行大型3D游戏，可选择更大一些的容量。2. 注意速度同FSB的搭配目前 CPU常见的 FSB为 533MHHZ 800MHZ 1000MHZ 1066MHZ 可参考下表。FSB 内存533MHZ DDR266如主板支持双通道，则选两条正好匹配。800MHZ DDR400如主板支持双通道，则选两条正好

9、匹配。如板支持DDRII，可选DDRII400、DDRII533或更高总之，在同FSB的搭配上，内存的总传输率同FSB要大致相当（同 频内存传输率双通道为单通道的两倍）。3）注意同主板搭配在同主板的搭配上，要注意，当前不是所有主板都支持 DDRII，例 如Intel平台主板，915以前的芯片组系列是不支持 DRRII的；而 AMD平台主板比较好判定：754和939接口的主板都不支持 DDRII， 今年（06）开始流行AM2接口的主板都支持。六. 内存芯片编号以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号，希望对您选购内存有所帮助。1、HYUNDAI （现代）-I40"HY5DU56822CT-

10、05KOREA 宀貯 h /tix 4Q“ HY5DU5S822CT-Bh KOREA n ,易ji谕诂血（10識丽h 爭: hlnix 40?AHY58U56822CT-32 7AAKOREAHY50U56822BT-Df“ HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。“5D ”是内存芯片类型为 DDR , 57则为SD类型。“U"代表处理工艺及电压为 2.5V。（V: VDD=3.3V & VDDQ=2.5V ; U : VDD=2.5V & VDDQ=2.5V ; W: VDD=2.5V & VDDQ=1.8V ; S : VDD=1.8V

11、& VDDQ=1.8V）“ 56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。（64: 64M 4K刷新；66 : 64M 2K刷新；28 : 128M 4K刷新；56 :256M 8K 刷新；57 : 256M 4K 刷新；12 : 512M 8K 刷新；1G : 1G 8K 刷新）“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)“2”指内存的 bank(储蓄位)。(1=2 bank ； 2=4 bank ； 3=8 bank)“2 ”代表接口类型为 SSTL_2。(1=SSTL_3 ； 2=SSTL_2 ； 3

12、=SSTL_18)“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)能源消耗，空白代表普通； L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。封装类型用“ T” 表示，即 TSOP 封装。(T=TSOP ； Q=LOFP ； F=FBGA ； FC=FBGA)封装堆栈，空白=普通；S=Hynix ； K=M&T ； J=其它；M=MCP(Hynix) ； MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普 通封装堆栈。封装原料，空白=普通；P=铅；H =卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。“D43 ”表示内存的速度为 DDR400。(D43=D

13、DR400 ，3-3-3 ； D4=DDR400 ，3-4-4 ； J=DDR333 ； M=DDR333，2-2-2 ；K=DDR266A ； H=DDR266B ； L=DDR200)工作温度，一般被省略。I=工业常温(-4085度)；E=扩展温度(-2585度)因此，通过编号“ HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款 DDR SDRAM 内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为 DDR400。现代的SDRAMS片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX - XXHY代表是现代的产品。5X表示芯片类型，57为一般的SDRA

14、M 5D为DDR SDRAM第2个X代表工作电压，空白为 5V, "V"为3.3V, "U"为2.5V。第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。第8个X代表内存芯片内部由几个 Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8 个Bank。是2的幂次关系。第 9个 X一般为 0,代表 LVTTL (Low Voltage TTL )接口。第10个X可以为空白或A B、C、D等字母，越往后代表内核越新。第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为

15、空白则为普通芯片。第12、13个X代表封装形式，分别如下：最后几位为速度：注：例如常见的 HY57V658010CTC-1QSHY是现代的芯片，57说明是SDRAM65 是 64Mhbit 和 4K refresh cycles/64ms，下来的 8 是 8 位输出，10 是 2 个 Bank, C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP- H封装，10S代表CL=3的PC-10Q2、LGS( LG Semicon Co.,Ltd。)LGS的SDRAMS片上的标识为以下格式：GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表为LGS的产品。72 代表 SDRA。第1、2个X代表容

16、量，类似现代，16为16Mbits , 66为64Mbits。第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。第5个X代表Bank，2对应2个Bank, 4对应4个Bank,和现代的不一样，属 于直接对应。第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到 "E" 了。第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。"T"为常见的TSORI封装，现在还有一种 BLP封装出现，为T。 最后的XX自然是代表速度：注：例如 GM72V661641CT7J这是 64Mbit , 16 位输出，4 个 Bank,刚达到 PC-100

17、的要求（CL=3） SDRAM3、SAMSUNG星）三星的SDRAMS片的标识为以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的产品。三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM如为"H"，则为DDR SDRAM"S"前两个XX表示数据位宽，4、& 16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果 即为容量。"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank,

18、 3为难个Bank。"0"后的第 2 个 X,代表 in terface , 1 为 SSTL 0 为 LVTTL"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表 面上并不能看得出来。"T"为TSOP封装。速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于 一般的低功耗版。"G/F"后的X代表速度：注：例如 KM416S4031BT-GH是 64Mbit （16*4）, 16, 4

19、个 Bank,在 100MHZ时 CL=24、Micron MTMicron的SDRA芯片上标识为以下格式：MT48 XX XX M XX AX TG-XX XMT代表是Micron的产品。48代表是SDRAI系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM46V为DDR SDRAMMricron的容量需要自己计算一下。方法是将 XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。M后的XX表示数据位宽，4、8 16、32分别代表4位、8位、16位和32位。AX代表 Write Recovery （ Twr），女口 A2 表示 Twr=2clk。TG为TSORI封装。LG为TGFF封装。最后的X

20、X是代表速度：其中X为AE字母越后性能越好。按CL-TRCD-TR的表示方法AE分别为：3-3-3、3-2-3、 3-2-2、2-2-2、2-2-2速度后如有L则为低耗。注：例如MT48LC8M8A2TG-8田4Mbit （8*8 ）, 8位，且是性能相当不错的芯片, 完全符合PC-100规范。5、IBMIBM的SDRAMS片上的标识为以下格式：IBM03 XX XX X XT3X -XXXIBM代表为IBM的产品。IBM的SDRA产品均为03。第1、2个X代表容量。第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。一般的封装形式为TSOP对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B, 则为TS

21、OJ封装。第5个X意义不详，16Mbit上多为9, 64Mbit上多为4。第6个X为P为低功耗，C为普通。第7个X表示内核的版本。最后的XXX代表速度：在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ注：例如 IBM0316809CT3D-10 16Mbit , 8 位，不符合 PC-100规范。6、HITACHI （日立）HITACHI 的 SDRAMS片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM如为51则为EDO DRAM第1、2个X代表容量。第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位

22、、8位、16位。第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到 "F" 了。第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。TT为TSORI封装。最后XX代表速度：注：例如 HM5264805F-A60 是 64Mbit, 8 位输出，100MHZ寸 CL可为 2。7、NECNEC勺SDRAMS片上的标识通常为以下格式：卩 PD45 XX X X XG5-AXX X-XXX卩PD4代表是NEC的产品。"5"代表是SDRAM第1、2个X代表容量。第3 (4)个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。 当

23、数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的 长度固定，这会对下面的数字造成影响。第4( 5)个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个 Bank; "2"代表 2 个 Bank。第5个X,如为"1"代表LVTTL如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用， 则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL "3"代表4个Bank和 LVTTLG5为TSOPI封装。-A后的XX是代表速度：速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。-XXX:第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7, 规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应：44-pinTSOP- (H) ; "JF&qu