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文档简介

.硅片的清洗腐蚀太阳电池制造的关键工序之一.目的和原理利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。23222a2HSiONOHNaOHSi加热.步骤 （九步法）第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。 第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠，化学反应方程式为：第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层，化学反应方程式为： OHNaClNaOHHCl2OHSiFHHFSiO262226.注意事项 w在工序1中氢氧化钠溶液与硅片反应时会有碱蒸气产生，故设备运行时请关闭有机玻璃门。w盐酸是挥发性强酸，不要去闻其味道w氢氟酸会腐蚀玻璃，故不与玻璃器械接触，也不要去闻氢氟酸的味道。 w如果酸或碱不小心溅入眼内或溅到脸上，请立即打开洗脸洗眼池上盖冲洗。

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