晶振知识培训ppt课件

1、技术员知识培训晶 片电极导电 胶外壳基座玻璃 珠HC-49U 结 构图HC -49S结 构图导电 胶晶片基座外壳玻璃 珠电极长条片 多刀 粗磨 Z 向加工 8M 以下 粘蜡 切子晶 化蜡、清洗 平磨 分频 化蜡、清洗 13.5M 倒边 以下 分频 细磨 腐蚀 分频 精磨 粘蜡 入中间库 X 向磨坨 说明： 进料检验 工序名称 工序自检 专职检验 关键工序 质量控制点 入库 合格晶片 清洗 （SMD 加工图） 剪腿、压扁 镀膜 浸锡、套垫 压平、测试 上架、点胶 固化 编带 外壳 微调 包装（包括编带） 包装 封焊 老化 成品入库 检漏 印字（油墨或激光） 测试 说明： 进料检验 工序名称 工序

2、自检 专职检验 关键工序 质量控制点 入库 石英晶体常规技术目的标称频率 晶体元件规范所指定的频率。调整频差 基准温度时，任务频率相对于标称频率的最大允许偏离。常用ppm1/106表示。温度频差 在整个温度范围内任务频率相对于基准温度时任务频率的允许偏离。常用ppm1/106表示。谐振电阻Rr 晶体元件在串联谐振频率Fr时的电阻值。 负载电容CL 与晶体元件一同决议负载谐振频率FL的有效外界电容静态电容C0 等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。它的常用计算公式为： C0=KC0AeF0C常数 KC0电容常数，其取值与装架形 式、晶片外形有关; Ae电极面

3、积，单位mm2； F0标称频率，单位KHz； C常数常数，单位PF;动态电容C1 等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为： C1=KC1AeF0C常数 KC1电容常数； Ae电极面积，单位mm2; F0标称频率，单位KHz; C常数常数，单位PF;动态电感L1 等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量，它的常用公式为： L1=1/(2F02C1 (mh) 串联谐振频率Fr 晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个。 1121CLFr负载谐振频率FL 晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗为电阻性的两个

4、频率中的一个频率。质量因数Q 质量因数又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系 Q=wL1/Rr=1/wRrC1 如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高，频率越稳定。相对负载频率偏置DL LLLCCCCCCLF01011)(21 晶体负载谐振频率相对于串联谐振频率的变化量DL=(FL-Fr)/Fr，可由下式近似计算： DLC1/2C0CL相对频率牵引范围 DL1,L2 晶体在两个固定负载间的频率变化量。 D ( L 1 , L 2 ) = ( F L 1 - F L 2 ) / F r = C 1 ( C L 2 -CL1

5、)/2(C0+CL1)(C0+CL2)牵引灵敏度TS 晶体频率在一固定负载下的变化率 。 TS-C1 *1000/ 2*C0+CL2鼓励电平相关性DLD 由于压电效应，鼓励电平强迫谐振子产活力械振荡，在这个过程中，加速度功转化为动能和弹性能，功耗转化为热。后者的转换是由于石英谐振子的内部和外部的摩擦所呵斥的。 摩擦损耗与振动质点的速度有关，当震荡不再是线性的，或当石英振子内部或其外表及安装点的拉伸或应变、位移或加速度 到达临界时，摩擦损耗将添加。因此引起频率和电阻的变化。 加工过程中呵斥DLD不良的主要缘由 谐振子外表存在微粒污染。主要产生缘由为消费环境不干净或非法接触晶片外表； 谐振子的机械

6、损伤。主要产生缘由为研磨过程中产生的划痕。 电极中存在微粒或银球。主要产生缘由为真空室不干净和镀膜速率不适宜。 装架是电极接触不良； 支架、电极和石英片之间存在机械应力。寄生呼应 一切晶体元件除了主呼应需求的频率之外，还有其它的 频率呼应。减弱寄生呼应的方法是改动晶片的几何尺寸、电极，以及晶片加工工艺，但是同时会改动晶体的动、静态参数。 寄生呼应的丈量 SPDB 用DB表示Fr的幅度与最大寄生幅度的差值； SPUR 在最大寄生处的电阻； SPFR 最小电阻寄生与谐振频率的间隔，用Hz或ppm表示。 050-1060 -2070 -3080 -40853.2MHz18015MIN 30MIN 5

7、0MIN100MIN 100MIN3.579MHz12010MIN 15MIN 15MIN 30MIN 30MIN4.00MF4.9152M10010MIN 10MIN 15MIN 30MIN 30MIN5.00MF13.00M705MIN5MIN10MIN 15MIN 15MIN14.00MF36.00M305MIN5MIN10MIN 15MIN 15MIN 050-1060 -2070 -3080 -408524.00MF26.00M1005MIN5MIN10MIN 15MIN 15MIN27.00MF60.00M805MIN5MIN10MIN 15MIN 15MINHC-49U/S FU

8、ND频率范围(10PPM)电阻温度范围/温度频差HC-49U/S 3RD频率范围电阻温度范围/温度频差 050-1060 -2070 -3080 -4085UM-1 5.00M9.00M4010MIN 10MIN 15MIN20MIN20MIN10.00MF18.00M305IN5MIN10MIN 10MIN 15MIN19.00MF46.00M253MIN5MIN10MIN 10MIN 15MIN 050-1060 -2070 -3080 -408524.00MF105.00M405MIN5MIN10MIN 10MIN 15MIN 050-1060 -2070 -3080 -4085105.

9、00MF155.00M805MIN5MIN10MIN 10MIN 15MINUM-1UM-5 FUND频率范围(5PPM)电阻温度范围/温度频差UM-1UM-5 3RD频率范围电阻温度范围/温度频差频率范围电阻温度范围/温度频差UM-1UM-5 5RD-1060-2070-3080-40858.00MF10.00M705MIN10MIN15MIN20MIN10.00MF11.00M605MIN10MIN15MIN20MIN11.00MF13.00M505MIN10MIN15MIN20MIN13.00MF18.00M405MIN10MIN15MIN20MIN18.00MF20.00M305MIN

10、10MIN15MIN20MIN20.00MF255MIN10MIN15MIN20MIN-1060-2070-3080-408533.00MF48.00M805MIN10MIN15MIN20MIN48.00MF60.00M705MIN10MIN15MIN20MIN60.00MF605MIN10MIN15MIN20MINSMD 5*7 3RD频率范围电阻温度范围/温度频差温度范围/温度频差频率范围电阻SMD 5*7 FUND-1060-2070-3080-408510.00MF11.00M805MIN10MIN15MIN20MIN11.00MF12.00M705MIN10MIN15MIN20MIN

11、12.00MF16.00M505MIN10MIN15MIN20MIN16.00MF24.00M405MIN10MIN15MIN20MIN24.00MF30.00M355MIN10MIN15MIN20MIN30.00MF255MIN10MIN15MIN20MIN-1060-2070-3080-408548.00MF60.00M805MIN10MIN15MIN20MIN60.00MF705MIN10MIN15MIN20MINSMD 3.5*6 3RD频率范围电阻温度范围/温度频差SMD 3.5*6 FUND温度范围/温度频差频率范围电阻加工难度大的目的 调整频差小于 +/-5 PPM。 温度范围宽

12、频差窄的。 有Q值要求的。 49S晶体矮壳的。 有C0、C1、TS的。晶体丈量设备 目前晶体测试仪组成方式多为网络分析仪或厂家自制网络分析卡加公用软件。 测试功能强,几乎一切的晶体参数全能测出。 目前世界晶体行业公认的设备厂商有美国S&A公司、香港科研公司，他们的设备准确度高、稳定性好、运用面广。美国S&A公司测试设备 250A 350A 350B 250B香港科研公司测试设备 KH1200 KH1102 KH3020 KH3288石英晶体运用过程中应留意的问题防止对晶体破坏 石英晶体的心脏部件为石英晶片，它随晶体频率的添加而变薄，因此对于中、高频晶体在运用、运输过程中应防止发

13、生猛烈冲击和碰撞。以防因晶片破裂而呵斥产品失效。 石英晶体是靠导电胶衔接基座和晶片的。导电胶的主要成分是银粉和环氧树脂。环氧树脂在高温下会失效。因此建议石英晶体应防止在150以上长时间存放。规定任务温度范围及频率允许偏向 工程师能够只规定室温下的频差。对于在整个任务温度范围内要求给定频差的运用，还应该规定整个任务温度范围的频差，规定这种频差时，应该思索设备引起温升的容限。 规定整个任务范围内频差的根本方法有两种： 规定整个温度范围内的总频差，如：-20-70范围总频差为50ppm，这种方法普通用于具有较宽频碴而不采用频率微调的场所。 规定以下部分的频差： a.基准温度下的频差为20ppm； b

14、.在-20-70整个温度范围内，相对于基准温度实践频率的偏向 20ppm； 这种方法普通用于具有较严频差的，要靠频率牵引来消除基准温度下频差的场所。 负载电容和频率牵引 在许多运用中，都是用一负载电抗元件来牵引晶体频率的。这对于调整制造公差、在锁相环回路中以及调频运用中能够是必要的。 在绝大多数运用中，这个负载电抗元件是容性的。 负载谐振频率FL与谐振频率Fr的相对频率成为“负载谐振频率偏置DL。 用下式计算相对负载谐振频率偏移： DL=(FL-Fr)/Fr C1/2C0CL在许多运用中，用可变电容器作为负载电抗元件来调理频率。这个负载电抗元件规定值之间所得到的相对频率范围成为“相对牵引范围，

15、它可用下式计算： D(L1,L2)=(FL1-FL2)/Fr=C1(CL2-CL1)/2(C0+CL1)(C0+CL2)在规定负载电容下的牵引灵敏度TS是一个对设计师非常有用的参数。 它定义为负载电容增量变化引起的相对频率增量变化。 它通常以ppm/pF表示,可经过下式计算： TS-C1/ 2C0+CL 运用电路中对晶体负载电容的估算 在实践运用中，晶体负载电容与电路中负载电抗的匹配非常重要。如晶体负载电容与电路负载电抗不相匹配，要得到准确的输出频率是很困难的，除非电路中存在一个变容量很大的可调电容器。在设计时，粗略估算晶体负载电容是必要的。如下图：负载电容简单近似计算如下： CLC1C2 /

16、C1+C2+C杂散 这里C杂散指晶体元件周边电路的分布电容。资料引见PCB电路板的分布电容多为5-6pF 。晶 体 振 荡 器 功能基本装置 振荡功能 附 加 电 压（analog） 控制功能 附加Digital 功能 直接利用石英振荡器晶体的特性 SPXOVCXODC-VCXO补偿频率温度特性而加以利用 TCXO（模拟）DTCXO（数字）VC-TCXOVC-DTCXODC-TCXO在恒温槽内控制温度而加以利用 OCXOVC-OCXODC-OCXO晶体振荡器定义 Package石英振荡器SPXO不施以温度控制及温度补偿的石英振荡器。频率温度特性依托石英振荡晶体本身的稳定性。温度补偿石英振荡器T

17、CXO附加温度补偿回路，减少其频率因周围温度变动而变化之石英振荡器。 电压控制石英振荡器VCXO控制外来的电压，使输出频率可以变化或调变的石英振荡器。 恒温槽式石英振荡器OCXO以恒温槽坚持石英振荡器或石英振荡晶体在一定温度，控制其输出频率在周围温度下也能坚持极小变化量之石英振荡器。 除了以上四种振荡器外，随着PLL、Digital、Memory技术的运用，其他功能的多元化石英振荡器也快速添加时 钟 振 荡 器CLOCK OSCILLATORS 标称频率：指定的频率中心值。 频率偏向：全温度范围内频率偏移量。 温度范围：器件阅历的环境温度。 输入电压：任务电压。 输入电流：任务电流。 起振时间

18、 : 指从加电开场计时到晶振振荡到标称频率含频差所用的时间 。上升时间(Tr):“0电平上升到“1电平的时间 下降时间(Tf)：“1电平下降到“0电平的时间 占空比(DUTY) :DUTY=Th/T*100%，TYPICAL：45%-55% 图二 输入电流测试电路SMD 5x7晶振 频率范围：1-100M 任务温度范围与总频差： 0-70 +/-20PPM - 4 0 - - 8 5 + / -25PPM 起振时间：5mS MAX 任务电压：3.3V、5V 上升、下降时间：10M：10nS MAX 10M：5nS MAX DIP型晶振全尺寸、半尺寸 频率范围：1-83.3M 任务温度范围与总频

19、差： 0-70 +/-10PPM - 2 0 - - 7 0 + / -20PPM 任务电压：3.3V、5V 起振时间：5mS MAX 上升、下降时间：10M：10nS MAX 10M：5nS MAX SMD 5x7 VCXO 频率范围：1-36M 任务温度范围与总频差： 0-70 +/-20PPM 任务电压：3.3V 压控电压：0.3V-3.0V 牵引范围：+/-100PPM 线性度：10% MAX 起振时间：5mS MAX 上升、下降时间：10M：10nS MAX 10M：5nS MAX DIP VCXO全尺寸 频率范围：1-27M 任务温度范围与总频差： 0-70 +/-20PPM 任务电压：3.3V 压控电压：0.3V-3.0V 牵引范围：+/-100PPM 线性度：10% MAX 起振时间：5mS MAX 上升、下降时间：10M：10nS MAX 10M：5nS MAX机械和气候实验可靠性实验密封实验B 实验设备：氦质谱仪 实验方法：氦气加压0.5Mpa，120分钟 断定规范：漏率应小于110Pa*m/sec 自在跌落 实验设备：跌落实验箱 实验方法：高度75cm，30mm厚硬木板，跌落3次。 断定规范：频率变化值应小于+/-5PPM，谐振电阻变化值应小于 15%+3 Ohm。 振动 实验设备：振