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文档简介

二极管1.耗尽近似与中性近似2.内建电场3.耗尽区宽度4.内建电势5.单边突变结6.外加正向电压时载流子的运动情况7.外加反相电压时载流子的运动情况8.边界处少子分布小注入时，当有外加电压V时P区与势垒区边界上的少子浓度为：当有外加电压V时N区与势垒区边界上的少子浓度为：9.少子浓度的边界条件10.扩散电流11.反向饱和电流12.扩散电流与势垒区产生复合电流的比较 硅的禁带宽度约为1.1eV,在室温下，当V<0.3v时正向电流以势垒区复合电流为主，当V>0.45v时正向电流以扩散电流为主。在常用的电压范围内，硅PN结的正向电流以正向扩散电流为主。硅的反向电流在室温下一势垒区产生电流为主，只有在很高的温度下才以反向扩散电流为主。13.正向导通电压14.薄基区二极管15.大注入效应16.大注入边界条件17.雪崩倍增18.雪崩击穿的温度特性19.齐纳击穿20.齐纳击穿的温度特性21.雪崩击穿与齐纳击穿的比较22.热击穿23.势垒电容24.扩散电容25.势垒电容与扩散电容的对比26.减小反向恢复时间的方法26.

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