52霍尔传感器ppt课件

1、4.5 4.5 霍尔传感器霍尔传感器五邑大学五邑大学信息工程学院信息工程学院5.2 5.2 霍尔传感器霍尔传感器5.2.1 霍尔传感器工作原理霍尔传感器工作原理5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路霍尔元件的结构和基本电路5.2.3 霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数5.2.4 霍尔元件误差及补偿霍尔元件误差及补偿5.2.5 霍尔式传感器的应用霍尔式传感器的应用5.2.1 5.2.1 霍尔传感器工作原理霍尔传感器工作原理 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。 来源：来源：1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发年美国物理学家霍尔首先在金属材料

2、中发现了霍尔效应现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。有得到应用。 开展：随着半导体技术的发展开展：随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制开始用半导体材料制成霍尔元件成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。展。 运用：霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、运用：霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。振动等方面的测量。霍尔效应：半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁霍尔效应：半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的场

3、方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势。两个面之间产生电动势。产生的电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。产生的电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。什么是霍尔效应？什么是霍尔效应？dIBRUHHp 在垂直于外磁场在垂直于外磁场B的方向的方向上放置一半导体薄片，半导上放置一半导体薄片，半导体薄片通以电流体薄片通以电流I，方向如，方向如图所示。图所示。p 半导体薄片中的电流是半导体薄片中的电流是载流子自由电子在电场作用载流子自由电子在电场作用下的定向运动。下的定向运动。p 在半导体导电板垂直电在半导体导电板垂直电流方向上作用一个磁感应强流方向上作用一个磁感应强度

4、为度为B的均匀磁场，则载流的均匀磁场，则载流子又受洛伦兹力作用。子又受洛伦兹力作用。BeF载流子受载流子受洛仑兹力洛仑兹力 bEUHH霍尔电场强度霍尔电场强度e电子电荷；电子电荷；v电子运动平均速度；电子运动平均速度；B磁场的磁感应强度。磁场的磁感应强度。在匀强电场中，沿电场强度方向，两点之间的电势在匀强电场中，沿电场强度方向，两点之间的电势差等于电场强度跟这两点之间距离的乘积。差等于电场强度跟这两点之间距离的乘积。 Ce1910602. 1BveeEH平衡状态：洛伦兹力平衡状态：洛伦兹力fH=电场力电场力EHBvEHHHeEf电场力电场力bEUHHdIBneBbvbEUHH1因此霍尔电势因此

5、霍尔电势bdneIv 所以电子运动平均速度所以电子运动平均速度 evnbdI 又根据电流的定义：单位时间内通过导线某一截面的电荷量。又根据电流的定义：单位时间内通过导线某一截面的电荷量。讨论讨论: :neRH11、霍尔常数大小取决于导体的载流子密度：、霍尔常数大小取决于导体的载流子密度：分析：金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电分析：金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件。势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件。2、霍尔元件灵敏度灵敏系数）、霍尔元件灵敏度灵敏系数） KH意义：表示霍尔元件意义：表示霍尔元件在单位激励电流和单位磁感强度时产生的

6、霍尔电势的大小。在单位激励电流和单位磁感强度时产生的霍尔电势的大小。neddRKHH1BIUKHHBIKUHH补充：补充：1、霍尔电势与导体厚度、霍尔电势与导体厚度d成反比：为了提高霍尔电势值，成反比：为了提高霍尔电势值， 霍霍尔元件制成薄片形状。尔元件制成薄片形状。 2、半导体中电子迁移率电子定向运动平均速度比空穴迁、半导体中电子迁移率电子定向运动平均速度比空穴迁移率高，因此移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。 3、当磁感应强度、当磁感应强度B和霍尔片平和霍尔片平面法线成角度面法线成角度时时, 霍尔电势为：霍尔电势为： cosBIKU

7、HH5.2.2 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路霍尔元件的结构和基本电路图图a中其中中其中1-1电极用于电极用于加控制电流，称控制电极。加控制电流，称控制电极。另一对另一对2-2电极用于引出霍尔电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极。电势，称霍尔电势输出极。图图b是霍尔元件通用的图是霍尔元件通用的图形符号。形符号。图图c所示，霍尔电极在基片所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。数值影响很大。 通常霍尔电极位于基片长度的通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。中间，其宽度远小于基片的长度。 图图d是基本测量电路是基本测量电路

8、 。 测量电路测量电路5.2.3 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数霍尔元件的主要特性参数当磁场和环境温度一定时：当磁场和环境温度一定时：霍尔电势与控制电流霍尔电势与控制电流I成正比；成正比；当控制电流和环境温度一定时：当控制电流和环境温度一定时：霍尔电势与磁场的磁感应强度霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比；成正比；当环境温度一定时：当环境温度一定时：输出的霍尔电势与输出的霍尔电势与I和和B的乘积成正比。的乘积成正比。 BIKUHH霍尔元件的主要特性参数：(1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻输入电阻Ri ：控制电极间的电阻：控制电极间的电阻 输出电阻输出电阻Ro ：霍尔电极之间的电阻：霍尔电极

9、之间的电阻 注：测量以上电阻时，应在没有外磁场和注：测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。室温变化的条件下进行。Ri Ro，Ri、Ro=1002000。(2) (2) 额定控制电流和最大允许控制电流额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流：额定控制电流： 当霍尔元件有控制电流使其本身在空气当霍尔元件有控制电流使其本身在空气中产生中产生10温升时，对应的控制电流值。温升时，对应的控制电流值。控制电流控制电流Ic=(几几几十几十)mA 最大允许控制电流：最大允许控制电流： 以元件允许的最大温升限制所对应的控以元件允许的最大温升限制所对应的控制电流值。制电流值。 改善散热条件可以

10、增大最大允改善散热条件可以增大最大允许控制电流。许控制电流。(3) 不等位电势不等位电势Uo和不等位电阻和不等位电阻ro 不等位电势：不等位电势： 当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。一般磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。一般U0 10mV。不等位电阻不等位电阻r0： 不等位电势是由霍尔电极不等位电势是由霍尔电极 2 和和2之间的电阻。之间的电阻。不等位电势就是控制电流不等位电势就是控制电流 I 经不等位电阻产生的电压。经不等位电阻产生的电压。不等位电阻不等位电阻 r0= U0 /I产生不等位电势

11、的原因主要是：产生不等位电势的原因主要是： 霍尔电极安装位置不正确不对称或不在霍尔电极安装位置不正确不对称或不在同一等电位面上）；同一等电位面上）； 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；是几何尺寸不均匀； 控制电极接触不良造成控制电流不均匀分控制电极接触不良造成控制电流不均匀分布等。布等。（均是制造工艺造成的）（均是制造工艺造成的）(4) 寄生直流电势寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一霍尔元件零位误差的一部分部分 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电电流时，霍尔电极的输出有一

12、个直流电势。势。(5) 霍尔电势温度系数霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和控制电流下，温在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化度每变化1时，霍尔电势变化的百分率。时，霍尔电势变化的百分率。tUUUHoHoHt/ )（)1(tUUHoHt5.2.4 5.2.4 霍尔元件误差及补偿霍尔元件误差及补偿1. 不等位电势误差的补偿不等位电势误差的补偿2. 温度误差及其补偿温度误差及其补偿1.1.不等位电势误差的补偿不等位电势误差的补偿把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 ABCDIR1

13、R2R3R4 图中图中A、B为控制电极，为控制电极，C、D为霍尔电极。为霍尔电极。 在极间分布的电阻用在极间分布的电阻用R1、R2、R3、R4表示，理想情况是表示，理想情况是R1R2R3R4，即零位电势为零或零位电阻为零）。，即零位电势为零或零位电阻为零）。 但实际上存在着零位电势，则说明此四个电阻不等。但实际上存在着零位电势，则说明此四个电阻不等。电势的补偿电路电势的补偿电路 对称电路对称电路 当温度变化时，补偿的稳定性要好些当温度变化时，补偿的稳定性要好些 WCDAR2R3R4R1BWCDAR2R3R4R1BBWDAR2R3R4R1C（a） （b） （c）WABCDWABCD (b)WCA

14、BD2.2.温度误差及其补偿温度误差及其补偿温度误差产生原因：温度误差产生原因：霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。和霍尔系数都是温度的函数。当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。而使霍尔式传感器产生温度误差。减小霍尔元件的温度误差方法减小霍尔元件的温度误差方法 选用温度系

15、数小的元件如砷化铟）选用温度系数小的元件如砷化铟）;采用恒温措施采用恒温措施;采用恒流源供电采用恒流源供电; 温度变化导致霍尔元件内阻温度变化导致霍尔元件内阻Ri、Ro)和霍尔灵和霍尔灵敏度敏度KH等变化，给测量带来一定误差，即等变化，给测量带来一定误差，即温度误差。为了减温度误差，需采取温度补偿措温度误差。为了减温度误差，需采取温度补偿措施：施： 恒流源温度补偿恒流源温度补偿 霍尔元件的灵敏系数随温度的变化引起霍尔电势的变化，霍尔元件的灵敏系数随温度的变化引起霍尔电势的变化，霍尔元件的灵敏系数与温度的关系：霍尔元件的灵敏系数与温度的关系：)1 (TKKHOH式中式中: KH0 为温度为温度T

16、0时的时的KH值；值； 温度变化量；温度变化量； 霍尔电势的温度系数。霍尔电势的温度系数。 TtUUUHHHt00/ )（的定义为的定义为大胆假设：大胆假设：由于大多数霍尔元件的温度系数由于大多数霍尔元件的温度系数是正是正值时，它们的霍尔电势随温度的升高值时，它们的霍尔电势随温度的升高而增加而增加1+T倍。倍。让控制电流让控制电流I相应地减小，能保持相应地减小，能保持 KHI 不变就抵消了灵敏系数值增加的影响不变就抵消了灵敏系数值增加的影响。 )1 (0TKKHH)1 (0TBIKUHHt恒流源温度补偿电路 补偿原理：当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加补偿原理：当霍尔元件的输入电阻随温度升高

17、而增加时，旁路分流电阻时，旁路分流电阻R自动地加强分流，减少了霍尔元自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流。件的控制电流。温度升到温度升到T时，电路中各参数变为时，电路中各参数变为 )1 (0TRRii)1 (0TRR控制电流控制电流 siIRRRI00020温度为温度为T0时，时，霍尔元件输入电阻温度系数；霍尔元件输入电阻温度系数；分流电阻温度系数。分流电阻温度系数。 SisiITRTRTRIRRRI)1 ()1 ()1 (0002 为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足: 升温前、后的霍尔电势不变，升温前、后的霍尔电势不变， BIKUBIKUHHHH2200

18、02200IKIKHHSiHsiHITRTRTRTKIRRRK)1 ()1 ()1 ()1 (0000000000iRR 当霍尔元件选定后，它的输入电阻当霍尔元件选定后，它的输入电阻 和温度系数和温度系数 及霍尔及霍尔电势温度系数电势温度系数 可以从元件参数表中查到（可以从元件参数表中查到（ 可以测量出可以测量出来），用上式即可计算出分流电阻来），用上式即可计算出分流电阻 及所需的分流电阻温度系及所需的分流电阻温度系数数 值。值。 0iR0R0 iR经整理，忽略经整理，忽略 高次项后得高次项后得 2T1 1、霍尔开关集成传感器、霍尔开关集成传感器其中，其中，1为接地端，为接地端，2为电源端，为

19、电源端，3为输出端。为输出端。5.2.5 5.2.5 霍尔传感器霍尔传感器稳压稳压整形整形VCC输出输出地地213霍尔元件霍尔元件放大放大稳压稳压整形整形VCC输出输出地地213霍尔元件霍尔元件放大放大 当有磁场作用在传感器上时，霍尔元件输出霍尔电压当有磁场作用在传感器上时，霍尔元件输出霍尔电压VH，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路，当放，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路，当放大后的大后的VH电压大于电压大于“开启阈值时，施密特整形电路翻转，开启阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管导通输出高电平，使半导体管导通“开状态开状态”；工作原理：工作原理：稳压稳压整形整形

20、VCC输出输出地地213霍尔元件霍尔元件放大放大几种不同尺寸外形的霍尔开关几种不同尺寸外形的霍尔开关2 2、霍尔线性集成传感器、霍尔线性集成传感器 霍尔线性集成传感器的输出电压与外加磁场呈线性霍尔线性集成传感器的输出电压与外加磁场呈线性比例关系。比例关系。 稳压稳压VCC输出输出地地123霍尔元件霍尔元件放大放大稳压稳压VCC输输出出地地341霍尔元件霍尔元件放大放大8单端输出传感器的电路结构单端输出传感器的电路结构双端输出的电路结构双端输出的电路结构图所示为具有双端差动输出特性的线性霍尔器图所示为具有双端差动输出特性的线性霍尔器件件UGN3501MUGN3501M的内部电路图和输出特性曲线图

21、。的内部电路图和输出特性曲线图。当线性霍尔器件当线性霍尔器件UGN3501MUGN3501M感受的磁场为零时，第一脚相对感受的磁场为零时，第一脚相对于第八脚的输出电压等于零；于第八脚的输出电压等于零；当线性霍尔器件当线性霍尔器件UGN3501MUGN3501M感受的磁场为正向磁钢的感受的磁场为正向磁钢的S S极极对准对准3501M3501M的正面时，输出为正；磁场为反方向时，输的正面时，输出为正；磁场为反方向时，输出为负，因此，使用起来更为方便。出为负，因此，使用起来更为方便。 霍尔线性集成传感器一般由霍尔元件和放大器霍尔线性集成传感器一般由霍尔元件和放大器组成，当外加磁场时，霍尔元件产生与磁

22、场成线性组成，当外加磁场时，霍尔元件产生与磁场成线性比例变化的霍尔电压，经放大器放大后输出。比例变化的霍尔电压，经放大器放大后输出。 霍尔线性传感器广泛用于位置、力、分量、厚霍尔线性传感器广泛用于位置、力、分量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。度、速度、磁场、电流等的测量或控制。 5.2.5 5.2.5 霍尔式传感器的应用霍尔式传感器的应用优点优点: 结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长好和寿命长运用：运用：电磁测量：测量恒定的或交变的磁感应强度、有功电磁测量：测量恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；功

23、率、无功功率、相位、电能等参数；自动检测系统：多用于位移、压力的测量。自动检测系统：多用于位移、压力的测量。1.1.微位移和压力的测量微位移和压力的测量测量原理：测量原理：霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。反映霍尔元件的位置。 运用：运用：位移测量、力、压力、应变、机械振动、加位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度速度 产生梯度磁场的示意图产生梯度磁场的示意图 位移量较小，适于测量微位移和机械振动位移量较小，适于测量微位移和机械振动 若令霍尔元件

24、的工作电流保若令霍尔元件的工作电流保持不变，而使其在一个均匀持不变，而使其在一个均匀梯度磁场中移动，它输出的梯度磁场中移动，它输出的霍尔电压霍尔电压VH值只由它在该值只由它在该磁场中的位移量磁场中的位移量Z来决定。来决定。图中图中3种产生梯度磁场的磁种产生梯度磁场的磁系统及其与霍尔器件组成的系统及其与霍尔器件组成的位移传感器的输出特性曲线位移传感器的输出特性曲线，将它们固定在被测系统上，将它们固定在被测系统上，可构成霍尔微位移传感器，可构成霍尔微位移传感器。从曲线可见，构造。从曲线可见，构造b在在Z2mm时，时，VH与与Z有良有良好的线性关系，且分辨力可好的线性关系，且分辨力可达达1m，构造，

25、构造C的灵敏的灵敏度高，但工作距离较小。度高，但工作距离较小。 几种产生梯度磁场的磁系统和几种霍尔几种产生梯度磁场的磁系统和几种霍尔位移传感器的静态特性位移传感器的静态特性 霍尔线性位移传感器原理霍尔线性位移传感器原理霍尔线性位移传感器霍尔线性位移传感器霍尔式压力传感器霍尔式压力传感器 弹簧管弹簧管 磁铁磁铁 霍尔片霍尔片 霍尔压力传感器由弹性元件，磁系统和霍尔元件等部分组成，霍尔压力传感器由弹性元件，磁系统和霍尔元件等部分组成，如下图。（如下图。（a的弹性元件为膜盒，的弹性元件为膜盒，(b)为弹簧片，为弹簧片，(c)为波纹管。磁为波纹管。磁系统最好用能构成均匀梯度磁场的复合系统，如系统最好用

26、能构成均匀梯度磁场的复合系统，如(a)、(b)，也可采，也可采用单一磁体，如用单一磁体，如c）。）。 加上压力后，使磁系统和霍尔元件间产生相对位移，改变作用加上压力后，使磁系统和霍尔元件间产生相对位移，改变作用到霍尔元件上的磁场，从而改变它的输出电压到霍尔元件上的磁场，从而改变它的输出电压VH。由事先校准的。由事先校准的pf(VH)曲线即可得到被测压力曲线即可得到被测压力p的值。的值。加速度传感器加速度传感器 2.2.磁场的测量磁场的测量在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于微成正比，由于霍尔元件

27、的结构特点，它特别适用于微小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。cosBIKUHH霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。运用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器运用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器3.3.转数、转速等物理量的测量转数、转速等物理量的测量按图所示的各种方法设置磁体，将它们和霍尔开按图所示的各种方法设置磁体，将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后，磁体每经过霍尔电路一

28、次，便输出电路通电后，磁体每经过霍尔电路一次，便输出一个电压脉冲。一个电压脉冲。 (a)径向磁极径向磁极 (b)轴向磁极轴向磁极 (c)遮断式遮断式 在转轴上固定一个叶轮和磁体，用流体气体、在转轴上固定一个叶轮和磁体，用流体气体、液体去推动叶轮转动，便可构成流速、流量传液体去推动叶轮转动，便可构成流速、流量传感器。感器。在车轮转轴上装上磁体，在靠近磁体的位置上装在车轮转轴上装上磁体，在靠近磁体的位置上装上霍尔开关电路，可制成车速表，里程表等等上霍尔开关电路，可制成车速表，里程表等等下图的壳体内装有一个带磁体的叶轮，磁体旁装有霍尔开下图的壳体内装有一个带磁体的叶轮，磁体旁装有霍尔开关电路，被测流

29、体从管道一端通入，推动叶轮带动与之相关电路，被测流体从管道一端通入，推动叶轮带动与之相连的磁体转动，经过霍尔器件时，电路输出脉冲电压，由连的磁体转动，经过霍尔器件时，电路输出脉冲电压，由脉冲的数目，可以得到流体的流速。若知管道的内径，可脉冲的数目，可以得到流体的流速。若知管道的内径，可由流速和管径求得流量。由流速和管径求得流量。霍尔流量计霍尔流量计 4 4、霍尔元件在电流测量上的应用、霍尔元件在电流测量上的应用 用霍尔元件测量电流，都是通过霍尔元件检测通电用霍尔元件测量电流，都是通过霍尔元件检测通电导线周围的磁场来实现的。导线周围的磁场来实现的。 在现代工程技术中，往往要测量大直流电流，在现代

30、工程技术中，往往要测量大直流电流，有时直流电流值高达有时直流电流值高达10KA10KA以上。以上。 过去，多采用电阻器分流的方法来测量这样大的过去，多采用电阻器分流的方法来测量这样大的电流。这种方法有许多缺点，如分流器结构复杂、电流。这种方法有许多缺点，如分流器结构复杂、笨重、耗电、耗铜等。笨重、耗电、耗铜等。 利用霍尔效应原理测量大电流可以克服上述的一利用霍尔效应原理测量大电流可以克服上述的一些缺点。霍尔效应大电流计结构简单、成本低、准些缺点。霍尔效应大电流计结构简单、成本低、准确度高，在很大程度上与频率无关，便于远距离测确度高，在很大程度上与频率无关，便于远距离测量，测量时不需要断开回路。

31、量，测量时不需要断开回路。 （1导线旁测法导线旁测法 这种方法是一种最这种方法是一种最简单的方法，将霍尔简单的方法，将霍尔元件放在通电导线的元件放在通电导线的附近，给霍尔元件通附近，给霍尔元件通以恒定电流，用霍尔以恒定电流，用霍尔元件测量被测电流产元件测量被测电流产生的磁场，就可以从生的磁场，就可以从元件输出的霍尔电压元件输出的霍尔电压中确定被测电流值。中确定被测电流值。 这种方法虽然结构这种方法虽然结构简单，但测量精度较简单，但测量精度较差，受外界干扰也大，差，受外界干扰也大，只适用一些不重要的只适用一些不重要的场合。场合。BICI通电电流通电电流VH 当导线中有电流流通时，导线当导线中有电流流通时，导线周围产生磁场，使导磁体铁芯磁化周围产生磁场，使导磁体铁芯磁化成暂时性磁铁，在环形气隙中就会成暂时性磁铁，在环形气隙中就会形成一个磁场，导体中的电流越大，形成一个磁场，导体中的电流越大，气隙处的磁感应强度就越大，霍尔气隙处的磁感应强度就越大，霍尔元器件输出的霍尔电压元器件输出的霍尔电压VH就越大。就越大。可以通过霍尔电压检测到导线中的可以通过霍尔电压检测到导线中的电流。这种方法可以提高电流测量电流。这种方法可以提高电流测量的精度。的精度。导磁铁心导磁铁心霍尔元器件霍尔元器件通电导线通电导线I（2导线贯串磁芯法导线贯串磁芯法 如果用铁磁材