第一章半导体基础知识

1、第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态 或工作区的分析。首先介绍构成 PN 结的半导体材料、PN 结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT 和 FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。本章学时分配本章分为 4 讲，每讲 2 学时。第一讲常用半导体器件一、主要内容1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为 导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-310

2、讯乜叶 典型的半导体有硅Si 和锗 Ge 以及砷化镓 GaAs 等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光 的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能 力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。2、本征半导体的结构及其导电性能本征半导体是纯净的、 没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个 9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和 没有外界激发时，本征半导体不导电。3、半导体的本征激发与复合现象当导体处于热力学温度 0K 时，导体中没

3、有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能 量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也 称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数 相等。4、半导体的导电机理自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而

4、形成电流。由于电子带负电，而电子的运动 与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。5、杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成 N 型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高， 其导电能力越强。在 N 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。多子（自由电子）的数量=正离子数+少子（空穴）的数量在 P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。多子（空穴）的数量=负离子数+少子（自由电子）的数量6、P

5、N 结的形成及其单向导电性半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运eUUT-1PN 结伏安特性方程:式中：Is 为反向饱和电流；U为温度电压当量，当 T= 300K 时，UT疋26mV 当u 0 且uUT时，i Tse“，伏安特性呈非线性指数规律；当uv0 且丨u|UT时，i Ts，电流基本与u无关；由此亦可说明 PN 结具有单向导电性能。PN 结的反向击穿特性：当PN 结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧动。同一块半导体单晶上形成P 型和 N 型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦

6、称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，当 P 区的电位高于 N 区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置）低电阻，流过 mA 级电流，相当于开关闭合；当 N 区的电位高于 P 区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置）高电阻，流过卩 A 级电流，相当于开关断开。PN 结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，现出截然不同的导电性能。PN 结加正向电压时，具有很小的反向漂移电流。7、PN 结伏安特性，此时,，此时,PN 结就形成了。PN 结导通，呈现PN 结截止，呈现PN结表呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN 结加反向电压时，呈现高电阻,这正是PN

7、结具有单向导电性的具体表现。增大。PN 结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制， 都可能造成PN 结的永久性损坏。8 PN 结温度特性当温度升高时， PN 结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主 要原因。9、PN 结电容效应PN 结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定：一是势垒电容CB，二是扩散电容CD,它们均为非线性电容。势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN 结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN 结正向电流和温度等因素有关。PN 结电容

8、由势垒电容和扩散电容组成。PN 结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时,才考虑结电容的作用。二、本讲重点1、 PN 结的单向导电性；2、 PN 结的伏安特性；三、本讲难点1、 半导体的导电机理：两种载流子参与导电；2、 掺杂半导体中的多子和少子3、 PN 结的形成；四、 教学组织过程本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN 结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。五、 课后习题见相应章节的“习题指导” 。第二讲半导体二极管一、主要内容1、 半导体二极管的几种常见结构及其应用场合在 PN 结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按

9、结构分为点接触型、面接触型和平面 型三大类。点接触型二极管 PN 结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管PN 结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管PN 结面积可大可小，PN 结面积大的，主要用于功率整流；结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。2、 二极管的伏安特性以及与 PN 结伏安特性的区别半导体二极管的伏安特性曲线如 P7 图 1.9 所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第 三象限的是反向伏安特性曲线。1）正向特性：当 V 0,即处于正向特性区域。正向区又分为两段：（1） 当 OVVVUn时，正向电流为零，Un称为死区电压或开启电压。（

10、2）当 V Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。2）反向特性：当 VV0 时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：（1）当 VBRVVVO 时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也 称反向饱和电流IS。（2） 当 VVVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看， 硅二极管若|VBR|7V 时，主要是雪崩击穿；若VBRV4V 则主要是齐纳击穿， 当在 4V7V 之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。3） 二极管的伏安特性与 PN 结伏安特性的区别：二极管的基本特性就是PN 结的特性。与理想 PN结不同的是，正向特性上二极管存在

11、一个开启电压UOn。一般，硅二极管的=0.5V 左右，锗二极管的Ubn=0.1V 左右；二极管的反向饱和电流比PN 结大。3、 温度对二极管伏安特性的影响温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，硅二极管温度每 增加 8C,反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12C，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1C,正向压降UD大约减小 2mV 即具有负的温度系数。4、 二极管的等效电路（或称为等效模型）1） 理想模型：即正向偏置时管压降为0，导通电阻为 0;反向偏置时，电流为 0，电阻为。适 用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。

12、2）简化电路模型：是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型，它用两段直线逼近伏安特性，即正向导通时压降为一个常量Uon；截止时反向电流为 0。3）小信号电路模型：即在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件而将它等效为一个动态电阻rD。这种模型仅限于用来计算叠加在直流工 作点 Q 上的微小电压或电流变化时的响应。5、 二极管的主要参数1）最大整流电流IF：二极管长期工作允许通过的最大正向电流。在规定的散热条件下，二极管 正向平均电流若超过此值，则会因结温过高而烧坏。2）最高反向工作电压UBR：二极管工作时允许外加的最大反向电压。若超过此值，则二极管可能因反向击穿而损坏。一般取UBR值的一半。3）

13、 电流IR：二极管未击穿时的反向电流。对温度敏感。IR越小，则二极管的单向导电性越好。4）最高工作频率 fM:二极管正常工作的上限频率。若超过此值，会因结电容的作用而影响其单 向导电性。6、稳压二极管（稳压管）及其伏安特性稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管， 通过反向击穿特性实现稳压作用。 稳压管的伏安特 性与普通二极管类似，其正向特性为指数曲线；当外加反压的数值增大到一定程度时则发生击穿，击 穿曲线很陡，几乎平行于纵轴，当电流在一定范围内时，稳压管表现出很好的稳压特性。7、 稳压管等效电路稳压管等效电路由两条并联支路构成： 加正向电压以及加反向电压而未击穿时， 与普通硅管的 特性相同；加

14、反向电压且击穿后，相当于理想二极管、电压源UZ 和动态电阻rz 的串联。如 P16图 1.18 所示。8、 稳压管的主要参数1）稳定电压 Uz:规定电流下稳压管的反向击穿电压。2）最大稳定工作电流 IzMAX和最小稳定工作电流 IzMIN:稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 Pzmax=UzlZmax。而 Izmin对应 Uzmin。若 IzVIZmin，则不能稳压。3） 额定功耗PZM:PZM=UzIzMAX,超过此值，管子会因结温升太咼而烧坏。4）动态电阻 rz: rz= VzA：Iz，其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。Rz愈

15、小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压效果愈好。5） 温度系数a:温度的变化将使 Uz改变，在稳压管中，当Uz7V 时，Uz具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿；当 UzV4V 时，Uz具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿；当 4VVVzV7V 时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。9、稳压管稳压电路稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻有两个作用：一是起限流作用，以保护稳压 管；二是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的 工作电流，从而起到稳压作用。如 P17 图 1.19 所示。10、特殊二极管与普通二极管一样

16、， 特殊二极管也具有单向导电性。利用 PN 结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二极管，利用PN 结的光敏特性可制成光电二极管。二、本讲重点1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）；2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；3、二极管的箝位、限幅和小信号应用举例；三、本讲难点1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；2、稳压管稳压原理；四、教学组织过程本讲以教师讲授为主。用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等， 便于学生理解和掌握。二极管的箝位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。五、课后习题见相应章节的“习题指

17、导”。第三讲双极型晶体管一、主要内容1、 晶体管的主要类型和应用场合双极型晶体管 BJT 是通过一定的工艺，将两个PN 结接合在一起而构成的器件，是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。BJT 常见外形有四种，分别应用于小功率、中功率或大功率，高频或低频等不同场合。2、BJT 具有放大作用的内部条件和外部条件1） BJT 的内部条件为：BJT 有三个区（发射区、集电区和基区）、两个 PN 结（发射结和集电结）、 三个电极（发射极、集电极和基极）组成；并且发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度很小。2）BJT 放大的外部条件为：发射

18、结正偏，集电结反偏。3、BJT 的电流放大作用及电流分配关系晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流lc,体现出IB对的IC控制作用。此时，可将lc看成电流IB控制的电流源。三个重要的电流分配关系式：IE=IB+Iclc= BIB+ICEOBIBlc=aIE+ICBO心aIE4、晶体管的输入特性和输出特性晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。现以共射电路为例说明。1)共射输入特性： iB=f (UBE)IVcE=常数如 P24 图 1.26

19、 所示。输入特性曲线分为三个区：死区、 非线性区和线性区。其中VCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当VCE1V 时，特性曲线将会向右稍微移动一些。但VCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。2)共射输出特性：ic=f (UCE)|iB=常数如 P25 图 1.27 所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。 对于其中某一条曲线，当VCE=0V时，ic=0 ;当VCE微微增大时，ic主要由VCE决定；当WE增加到使 集电结反偏电压较大时，特性曲线进入与VCE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随VCE增大而右移 的原因是一致的)。因此

20、，输出特性曲线可以分为三个区域：饱和区、截止区和放大区。3)晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点工作状态NPN 型PNP 型特点截止状态E 结、C 结均反偏Sv VVBVVCE 结、C 结均反偏VBVE、VB VCIc0放大状态E 结正偏、C 结均反偏VcVBVEE 结正偏、C 结均反偏VCvVBvVEIC BIB饱和状态E 结、C 结均正偏VB V V3 VcE 结、C 结均正偏VBVVE、VBVV：VC尹 VCES5、晶体管的主要参数1)直流参数共射直流电流放大系数：=(IcICEO)/IBIC/IBVCE= COnst,-在放大区基本不变。(2)共基直流放大系数:=(Ic IcBO

21、)/IEIC/IE显然丁与一之间有如下关系：丁 =IC/IE=一IB/1+一IB=一 /1+ 一 (3)穿透电流 IcEO: IcEO=(1+ ) IcBO；式中 ICBO相当于集电结的反向饱和电流。2)交流参数(1) 共射交流电流放大系数B：亠詡C/IBVCE=const,在放大区一：值基本不变。(2) 共基交流放大系数a:a= ：ICAMEUCB=cOnst当 ICBO和 ICEO很小时，丁 人：可以不加区分。(3)特征频率 fT:三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响， 当信号频率增加时，三极管的 将会下降。当一:下降到 1 时所对应的频率称为特征频率。3)极

22、限参数和三极管的安全工作区(1)最大集电极电流ICM:当集电极电流增加时，就要下降，当H直下降到线性放大区H直的 70 30%时，所对应的集电极电流称为最大集电极电流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当ICICM时，并不表示三极管会损坏。(2)最大集电极耗散功率 PCM: PCM= iCUCE。PCM疋 -个定值。当硅管的结温大于 150C、锗管的结温大于 70C时，管子的特性明显变坏，甚至烧坏。(3) 极间反向击穿电压：晶体管某一级开路时，另外两个电极之间所允许加的最高反向电压，即为极间反向击穿电压，超过此值管子会发生击穿现象。极间反向电压有三种：UC

23、BOUCEO和由于各击穿电压中UCEC值最小，选用时应使其大于放大电路的工作电源VCCO(4)三极管的安全工作区：由PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定四个区：过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。使用时应保证三极管工作在安全区。如P28 图 1.29 所示。6、温度对晶体管特性及参数的影响1)温度对反向饱和电流的影响：温度对ICBC和ICEO等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。2)温度对输入特性的影响：当温度上升时，正向特性左移。当温度变化1C时，LBE大约下降 22.5mV,UBE具有负温度系数。3)温度对输出特性的影响温度升高时，由于ICEC和

24、B增大，且输入特性左移，导致集电极电流IC增大，输出特性上移。总之，当温度升高时，ICEO和3增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。二、本讲重点1、 BJT 电流放大原理及其电流分配关系式；2、 BJT 的输入、输出特性；3、 BJT 三种工作状态的判断方法；三、本讲难点1、 BJT 放大原理及电流分配关系式；2、 BJT 三种工作状态的判断方法；四、教学组织过程本讲以教师讲授为主。用多媒体演示三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影 响等，便于学生理解和掌握。三极管工作状态、电位和管型的判断方法可以启发讨论。五、课后习题见相应章节的“习题指导”。第四讲场效应管一、主要内容1

25、、效应管及其类型效应管 FET 是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。根据结构不同可分为两大类： 结型场效应管(JFET)和金属氧化物半导体场效应管(MOSFE 简称 MOSt)。每一类又有 N 沟道和 P 沟道两种类型。其中 MOSf又可分为增强型和耗尽型两种。2、N 沟道增强型 MOS 管结构N 沟道增强型 MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在 P 型半导体上生成一层 SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的 N 型区，从 N 型区引出两个电极，漏极 D，和源极 So在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极GoP 型半导体称为衬底，用符号 B 表示

26、。因为这种 MOS 管在VGS=0V时ID=0；只有当UGS UGs(th)后才会出现漏极电流，所以称为增强型 MOSt。 如 P42 图1.44 所示。3、N 沟道增强型 MOS 管的工作原理1 )夹断区工作条件UGS=0时，D 与 S 之间是两个 PN 结反向串联，没有导电沟道，无论 D 与 S 之间加什么极性的电压, 漏极电流均接近于零；当 0UGSUGs(th)时，栅极下 P 型半导体表面形成 N 型导电沟道(反型层)，若 D S 间加上正向电压后 可产生漏极电流 ID。若UDSVUGS-uGS(th)，则沟道没夹断，对应不同的UGS, dS 间等效成不同阻值的电 阻，此时，FET 相

27、当于压控电阻。3)恒流区(或饱和区)工作条件当 UDS=UGS- UGS(th)时，沟道预夹断；若UDSUGS- UGS(th)，则沟道已夹断，而与UDS无关。此时，iD近似看成UGS控制的电流源，FET 相当于压控流源。可见，对于 N 沟道增强型 MOST，栅源电压VGS对导电沟道有控制作用，即形成导电沟道将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。当场效应管工作在恒流区时，利用栅一源之间外加电压UGS所产生的电场来改变导电沟道的宽窄,从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流ID。此时，可将ID看成电压UGS控制的电流源。4、N 沟道耗尽型 MOSFETN 沟道耗尽型 MOS

28、FE 是在栅极下方的 SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，所以当UGS=0时,这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。如P45 图 1.48 所示。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当UGS 0 时，将使ID进一步增加。UGS UGS(th)且固定为某一值时，UDS对ID的影响；转移特性：ip=f (UGS)IUDs=常数反映 UGs对漏极电流的控制关系； 输出特性和转移特性反映了场效应管工作的同一物理过程，因此，转移特性可以从输出特性上 用作图法一一对应地求出。场效应管的输出特性可分为四个区：夹断区、可变阻区、饱和区(或恒流区)和击穿区。在放 大电路中，场效应管工作在饱和区。7、场

29、效应管的主要参数：iD仅仅决定于UGS,UGSUGS(th)时，才能本章首先介绍了半导体的基础知识，然后阐述了半导体二极管、晶体管(BJT)和场效应管(FET)1) 直流参数(1)开启电压 UGs(th):开启电压是 MOS 增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场 效应管不能导通。( 2)夹断电压 UGS(off):夹断电压是耗尽型 FET 的参数，当 UGS=UGS(off)时，漏极电流为零。( 3)饱和漏极电流 IDSS:IDSS是耗尽型 FET 的参数，当 UGS=0 时所对应的漏极电流。(4) 直流输入电阻RGS(DC)：FET 的栅源输入电阻。对于 JFET，反偏时RGS约

30、大于 107Q;对于 MOSFET ,RGS约是 10910%。交流参数(1) 低频跨导 gm:低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。(2) 级间电容：FET 的三个电极间均存在极间电容。 通常 Cgs和 Cgd约为 13pF,而 Cds约为 0.1 1pF。在高频电路中，应考虑极间电容的影响。极限参数(1) 最大漏极电流IDM:是 FET 正常工作时漏极电流的上限值。(2) 漏-源击穿电压UBR)DS：FET 进入恒流区后， 使iD骤然增大的UDS值称为漏一源击穿 电压，UDS超过此值会使管子烧坏。(3

31、)最大耗散功率PDM:可由PDM= VDSID决定，与双极型三极管的PCM相当。8 场效应管 FET 与晶体管 BJT 的比较1)FET 是另一种半导体器件，在 FET 中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的既有多数载流子，也有少数载流子，故称为双极型三极管(BJT)。由于少数载流子的浓度易受温度影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面FET 优于 BJT。2)BJT 是电流控制器件，通过控制基极电流达到控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故 BJT 的输入电阻较低；FET 是电压控制器件，其输出电流取决于栅源间的电压，栅极几乎不 取用电流，因此，FET 的输入

32、电阻很高，可以达到1091014Q。高输入电阻是 FET 的突出优点。3)FET 的漏极和源极可以互换使用，耗尽型 MOS 管的栅极电压可正可负，因而FET 放大电路的构成比 BJT 放大电路灵活。4)FET 和 BJT 都可以用于放大或作可控开关。但 FET还可以作为压控电阻使用， 可以在微电流、 低电压条件下工作，且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。二、 本讲重点1、MOS 管结构原理；2、MOS 管的伏安特性及其在三个工作区的工作条件；三、 本讲难点：1、MOS 管各工作区的工作条件；四、 教学组织过程本讲以教师讲授为主。用多媒体演示FET 的结构原理、输出与转移特性等，便于学生理解和掌握。FET 的工作区、管型的判断方法可以启发讨论。五、 课后习题见相应章节的“习题指导” 。本章小节的工作原理、特性曲线和主要参数。现将各部分归纳如下：1、杂质半导体与 PN 结 本征半导体中掺入不同的杂质就形成 N 型半导体和 P 型半导体，控制掺