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1、必修1:专题三从矿物到基础材料复习卷班级姓名一、单项选择题1、光纤通信70年代后期发展起来的一种新型通信技术,目前长距离光纤通信系统已投入使用,光纤通信的光导纤维是由下列哪种物质经特殊工艺制成的()A. 碳B.石英C.锗D.硅2、 钠与水反应的现象和钠的下列性质无关的是()A. 钠的熔点较低B.钠的密度小于水C.钠的硬度较小D.钠的还原性强3、硅酸铜钡是当今用最新科学技术才能合成的一种物质。然而现在发现,我国秦朝兵马俑用的一种颜料竟是硅酸铜钡。下列关于硅酸铜钡的学说错误 .的是()A.易溶于水B 难溶于水C 属于硅酸盐D 属于盐4、下列各种冶炼方法中,可制得相应金属的为()A.加热氢氧化铝B.

2、电解熔融氯化镁C.加热碳酸钙D.电解饱和食盐水5、下列离子方程式书写正确的是()A. 碳酸钠溶液中通入二氧化碳:CG2-+CO+H20=2HCQ2 +B. 碳酸氢钠溶液中加入足量的盐酸:C0-+ 2H COf +H20C. 钠投入到水中: Na+H Nh+OH+H fD. 氢氧化镁与盐酸反应:H+ 0H'= H2O6、只用一种试剂区别 NaaSQ、MgC2、FeCb、Al2(SO4)3、(NH4)2SQ五种溶液,这种试剂是()A. Ba(OH)2B. H2SQC. NaOHD AgNO7、MgO中混有少量AI2O3杂质,欲将杂质除去,可选用的试剂是()空气CO2ArH 2N 2A.B.

3、C.A .稀硫酸B .浓氨水 C.稀盐酸 D. NaOH溶液&工业上制造镁粉是将镁蒸气在气体中冷却,可作为却气体的是()9、常温下能用铝制容器盛放的是()D.A.稀硫酸B.浓硫酸 C.氢氧化钠溶液D.硫酸铜溶液10、设Na为阿伏加德罗常数,下列叙述正确的是()A. 2.4gMg与足量的盐酸反应失去的电子数为 0.2NaB. 11.2L氯气所含的分子数为 0.5NaC. 32g氧气中所含的氧原子数为NaD. 18g水中所含的电子数为 8Na11、下列化合物中,不能通过单质间化合直接制取的是()A. FeC3B. CuC2C. HClD. FeC212、称取两份铝粉,H2的体积相同第一份加

4、入足量的NaOH溶液中,(同温同压),则两份铝粉的质量比为第二份加入足量的盐酸中,若放出()A .1 : 2 B.1 : 3 C .3: 2 D .1 :13、随着人们生活节奏的加快,方便的小包装食品已被广泛接受。防止食品氧化变质,在包装袋中可以放入的化学物质是为了延长食品的保质期,(A.无水硫酸铜B.硫酸亚铁C.食盐D. 生石灰14、在强酸性溶液中,下列离子组能大量共存且溶液为无色透明的是A.Na+、K+、OH-、Cl-B.Na+、Cu2+、SQ2-、NO3-C. Mg2+、Na+、SQ2-、CD. Ba2+、HCQ-、NO3-、K+15、将Cu片放入0.1 mol L-1 FeCl3溶液中

5、,反应一定时间后取出C ( Fe2+) =2 : 3,贝U 82+与Fe2+的物质的量之比为()Cu片,溶液中的C(Fe3+):A. 1 : 2B. 4 : 3 C. 3 : 4D. 5 : 316、向MgSQ和Al2(SC4)3的混合溶液中,逐滴加入NaOH溶液。F列图象中,能正确表示上17、某研究性学习小组在探究铝表面氧化膜对铝的保护时,设计了如下实验:取一小块铝片和一块锌片放入稀H2SO中,看到锌片与酸反应产生 H2速率很快,而铝片刚开始时,几乎看不到有气体,一段时间后,才看到有气体放出,随后产生气体速度逐渐加快, 试解释其原因将铝片放入NaOH溶液,待看到有气体产生,取出铝片,用水洗涤

6、,其作用是,该反应的化学方程式是洗涤后的铝片放入 Hg(NO)2溶液,反应片刻。反应的化学方程式是取出铝片用滤纸吸干后,在空气中很快就看到铝片上慢慢生成白色毛状物质,经分析该物质为氧化铝。写出反应的化学方程式,解释生成白色毛状物质的原因。18、已知A为单质,与某物质反应生成气体与B。有以下物质相互转化;潜液£AgN'O稀Hl©溶液科容襪焰色反应呈紫悒透过蓝色钻璇璃)泊色沉淀E-咅务鑒乍蚩矍壮鄆试回答:(1)写出B的化学式;D的化学式;(2)写出由D转变成H的化学方程式_(3)写出由F转变成G的离子方程式 19、某久置的FeCb溶液略显黄色,同学认为可能有部分/

7、69;姑被氧化成Fe3+(1)请设计实验验证溶液中是否存在Fe3+ ?(写出步骤、现象)(2)若溶液中存在Fe3+,应如何除去?(用离子方程式说明)20、晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下: 咼温下用碳还原氧化硅制得粗硅 粗硅与干燥 HCI气体反应制得 SiHCls: Si + 3HCI 300C SiHCl 3+ H2 SiHCl 3与过量H2在10001100 C反应制得纯硅已知SiHCl 3能与H2O强烈反应,在空气中易自燃。请回答下列问题:SiHCl 3 (沸点33.0 C)中含有少量 SiCI 4(1)第步制备粗硅的化学反应方程式为。(2)粗硅与HCI反应完全后,经冷凝得到的(沸点57.6 C)和HCI (沸点一84.7 C),提纯SiHCl 3采用的方法为(3)用SiHCl 3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)ABC 装置E中的试剂是,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是: 反应一段时间后,装置D中观察到的现象是,装置D中发生反应的化学方程式为。 为

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