电池线知识汇总

1、电池线知识汇总电池线知识归纳1、 生产流程 一次清洗-扩散-二次清洗-PECVA 丝网印刷-测试分选2、 各工序作用一次清洗（制绒工序国产设备）将硅 片表面进行化学腐蚀，去除硅片表面的损伤层并形成绒面。一次清洗（酸洗工序国产设备）去除硅片表面的金属离 子和氧化层，使硅片表面洁净达到扩散要求。一次清洗（RENA设备）将硅片进行化学腐蚀，去除硅 片表面的损伤层并形成绒面。扩散在清洗后的P型硅片表面通过高温扩散的方式形成 一层N型，使整个硅片形成 PN结。二次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）通过气体辉光放 电的方式形成等离子体， 将扩散后的硅片边缘 N型去掉，防 止边缘漏电。二次清洗（清洗工序国产设备

2、）对等离子刻蚀后的硅片 表面进行化学清洗，去除硅片表面的磷硅玻璃。二次清洗（RENA设备）对扩散后的硅片表面进行化学 刻蚀及化学清洗。PECVD通过等离子化学沉积的方法形成氮化硅薄膜， 以增加表面的光吸收和减少硅片表面的载流子复合。丝网印刷通过丝网印刷的方法，将导电浆料印刷到硅片上，以引由太阳能电池的电极，最后通过烧结炉对硅片进行 烧结，使电极材料和硅形成良好的欧姆接触。测试分选对烧结后的电池片的电性能进行测试，并根据 其转换效率进行分选，最后按档位分别包装入库。三、各工序所用设备和工具以及原辅料工序名 所用设备和工具 所用原辅料 一次清洗（制绒工序国产设备）制绒清洗机、花篮、片盒、推车 NA

3、OH、 HF、 Na2SiO3、 IPA氮气、去离子水 一次清洗（酸洗工序国产设备）酸洗清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车 HF、HCl、氮气、去 离子水 一次清洗（RENA设备）RENA 一次清洗机、片盒、 周转车、推车 HF、HNO3、氮气、去离子水、 KOH、H2SO4 扩散 石英舟、石英吸笔、舟叉套管、净化插片台、卸片台、 扩散炉、承载片盒、方块电阻测试仪、少子寿命测试仪三氯氧磷、三氯乙烷、氧气 氮气、氢氟酸、盐酸、去离子水 二 次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）夹具、垫板、等离子刻蚀机、冷热探针 四氟化碳、氧气、氮气 二次清洗（清洗 设备）二次清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车HF、氮气、

4、 去离子水 二次清洗（RENA设备） RENA清洗机、片盒、 周转车 硝酸、HF、KOH、HCL氮气、去离子水 PECVD （板 式） 板式PECVD镀膜设备、石墨框、片盒 硅烷、氮气、 氨气PECVD （管式） 管式PECVD镀膜设备、石墨舟、片 盒石英吸笔、周转车 氨气、硅烷、氮气 丝网印刷 印刷机、 烘干炉、网版浆料搅拌机、烧结炉 单晶PV147、儒兴铝浆、 PV149多晶PV505、儒兴铝浆、PV16A测试分选 测试分选 仪、塑封机、包装机 泡沫盒、瓦楞板、封箱带四、 主要设备工艺参数1、 一次清洗（制绒工序国产设备）片源1预清洗3去损伤58制绒槽初始配比时间 S温度C 初始配比 时间

5、S温度C 初始配比 时间S温 度C自动补液 手动补液 硅切部片源 3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠 60 70 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助 品1100 76每过一篮补 625ml氢氧化钠 250ml IPA每过3 篮补100ml制绒辅助品 外购片3KG柠檬酸60 90 15KG氢 氧化钠 80 80 1.25KG氢氧化钠6L IPA.0.7L制绒辅助品 900 76每过一篮补 625ml氢氧化钠 250ml IPA每过3篮补 100ml制绒辅助品一、 二线工艺参数对照表片源1预清洗3去损伤58制绒槽 初始配比 时间S温度C 初始配比 时间S温度C 初始配比 时间

6、S温度C自动补液 手动补液 硅切部片源 3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠 60 70 1.25KG氢氧化钠 6L IPA.0.7L制绒辅助品 1100 76每过一篮补1250ml氢氧化 钠300ml IPA每过3篮补100ml制绒辅助品 外购片3KG 柠檬酸 60 90 15KG 氢氧化钠 80 80 1.25KG 氢氧化钠 6L IPA.0.7L制绒辅助品 900 76每过一篮补 900ml氢氧化钠300ml IPA 每过3篮补100ml制绒辅助品三、七、八线工艺参数对照表2、一次清洗（酸洗工序国产设备）槽位功能配比液位时间1 HCl HCl 20L 最上面 刻度120s 2漂洗/

7、/ 120s 5混合酸洗 HF 20L HCl 8L 最上 面刻度120s 6喷淋/ / 100s 7漂洗/ / 100s 8慢提拉/ / 30s 9烘干/ 300s 10烘干/ 300s适用于一中心扩散前酸 洗 备注各槽位温度都在常温下，酸槽换液频率为12小时 槽位功能配比液位时间豉泡流量1 HCl HCl 20L 中间刻 度120s 0.3-0.7m3/h配液时开，酸洗时关2漂洗/ / 120s0.1-0.4m3/h 3 混合酸洗 HF 20L HCl 8L 中间刻度 120s 0.3-0.7m3/h配液时开，酸洗时关 4喷淋/ / 100s / 5漂洗/ / 100s 0.1-0.4m3

8、/h 6 喷淋 / / 100s / 适用于二、五中心扩散前酸洗备注1-7槽位温度都在常温下，3、4屏蔽,8槽温度为60C;9.10槽温度为80 C酸槽换液频率都 为12小时3、甩干机工艺参数 瑞能甩干机 项目 低速 高 速 喷水时间吹气时间 温度 喷氮延时 蜂鸣延时参数180-205rpm 360- 430rpm 30s > 200s 120C± 5s 10s 4、一次清 洗（多晶中联设备）槽位 配比 温度 时间 自动补液 漂洗DI Water120L 常 温 120-240s / 制 绒 HF40-50LHNO3200-250L DI120-150L 8-12 C 120-

9、180s HNO31.0-2.0L/篮 HF0.6-1.2L/篮 DI0.1-0.5L/篮 漂洗 DI120L 常温 120s溢流 漂洗 DI120L 常温 120s溢流 碱洗 kOH8L DI115L 20i5 C 20-60s KOH0.15-0.3L/ 篮 DI1.4-2.0L/ 篮 漂洗 DI120L 常温 180s溢流 漂洗 DI120L 常温 180s溢流 HCl 酸 洗 HC116L DI64L 常 温 120s HCl0.2-0.3L/ 篮 DI0.4-0.6L/篮漂洗DI120L常温120s溢流HClHF酸洗 HCl22.5L HF7.5L DI60L 常温 120s HCl

10、0.2-0.3L/ 篮 HF0.15-0.25L/篮 DI0.3-0.6L/篮 漂洗 DI120L 常温 120s 溢 流 漂洗 DI120L 常温 120s溢流 慢提拉 DI120L 60 C 3-4min溢流 烘干 氮气80-90 C 3-8min / 一次清洗（多晶 RENA设备）槽位 配比 温度 速度 自动补液 循环流量 制 绒 槽 HF54.7L HNO3272.5L DI water152.8L 6-13 C 1.1 0.2m/min HNO31.2±0.5L/100 片 HF0.5d0.2L/100 片 DI water0.55L/100 片 180i20L/ 吹干 压

11、缩空气 / 1.1 0.2m/min / 25Nm3/H 漂洗 DI Water80L 常温 1.1 0.2m/min / 58L/min 碱洗 KOH6-8L DI water92L 20±5 C 1.1 =0.2m/min koH0.8-1.6L/H DI water16 2L/H 2800-3500L/H 漂洗 DI water92L 常温 1.1 0.2m/min / 58L/min 酸洗 HF23L HCl61L DI water92L 常温 1.1 D2m/min 4700L/H 漂洗 DI water92L 常温 1.1 0.2m/min / 58L/min 吹干 压缩

12、空气 / 1.1 0.2m/min / 25Nm3/H 换液频率 类型 制绒槽 碱洗槽 酸 洗槽 漂洗槽156多晶30±5万片换一次15万片换一次15 万片换一次每班交接班及用餐间换液125多晶45±5万片换一次15万片换一次15万片换一次 每班交接班及用餐间换液扩散方块电阻要求类型单点控制上下限单片平均值控制上下限 单晶125/156 45±5 45均 多晶125/156 54±6 54七扩散炉开机后升温程序88工艺号步号时间各炉区温度小N2sccm 大N2sccm O2sccm 清洗小 N2sccm 舟速88 1 400 150 / 25000 /

13、/ 350 2 5100 850 / 25000 / / / 3 400 850 / 25000 / / /扩散炉开机后清洗饱和工艺工艺号步号时间各温区温度 小N2sccm 大N2sccm O2sccm 清洗小 N2sccm 舟速 02 1 400 850 / 20000 / / 350 2 800 1050 / / 10000 / / 3 600 1050 / / 10000 / / 4 3600 1050 / / 10000 1000 / 5 3600 1050 / /10000 1000 / 6 1200 900 / 10000 10000 / / 7 4200 900 1800 200

14、00 2400 / / 8 900 900 / 20000 / / / 9 400 900 / 25000 / / 350 单晶工艺参数 步骤 时间min温度C 扩散大氮L/min小氮 L/min 氧气 L/min 源温 C 进炉 5 850-890 25-30 0 0 20 稳定 15 850-890 25-30 0 0 20 通源 2 850-890 25-30 0.6 0.9 20 通 源 20 850-890 25-30 1.6-2.0 1.8-2.5 20 吹氮 15 850-890 25-30 0 0 20 由炉 5 850-890 25-30 0 0 20 多晶工艺参数 步 骤时

15、间min温度C 扩散大氮L/min小氮L/min氧气L/min 源温 C 进炉 6 830-860 25-30 0 0 20 万急定 15 830-861 25-30 0 2 20 通源 5 830-862 25-30 2 3 20 预沉积 30 830-863 25-30 2-2.5 3-5.5 20 驱入 15 830-864 25-30 0 2 20 降温 5 800 25-30 0 0 20 由炉 6 800 25-30 0 0 20 等离子刻蚀 时间 参数 预抽 120sec辉光 720sec主抽 120sec清洗 60sec 送气180sec充气 30sec工艺参数 工艺压力 10

16、0pa辉光 功率600w 氧气流量 30sccm CF4流量 250sccm 二次清洗（国产设备）单晶三槽去磷硅玻璃1去磷硅玻璃槽初始配液去离子水180升、氢氟酸8升、去离子水加至液面从上 而下第2条刻度 过程中加液 不排液、不加液反应时间2.5min反应温度 常温 豉泡氮气流量0.7-1.1m3/h换液频率 正常生产时每12小时换液2漂洗槽 时间 A5min氮气 豉泡流量 0.1-0.4m3/h温度 常温 换液频率12小时 喷淋 槽时间5min温度常温单晶六槽去磷硅玻璃 1去磷硅玻 璃槽初始配液氢氟酸8升去离子水加至液面从上而下第2条刻度 过程中加液 不排液、不加液 反应时间130s反应温

17、度 常温 豉泡氮气流量 0.3-0.7m3/h配液时开启，清洗时关 闭 换液频率 正常生产时每12小时换液2、3漂洗槽 时间 100s温度 常温 豉泡氮气流量 不豉泡 换液频率12小时 4、5喷淋槽 时间100s温度 常温 二次清洗（RENA设备） 槽位 配比 温度 速度 自动补液 循环流量 刻蚀HF14.5L HNO3102L H2SO480L DIWater213.5L 8i2 C 1.1 0.2m/min HNO30.2-0.25L/400 片 HF0.08-0.2L/400 片 25-45L/min 吹干 压缩空气 / 1.1 0t2m/min / 25Nm3/h 漂洗 DI water80L 常温 1.1 0.2m/min 58L/min 碱洗 KOH8L DI water92L 20i5 c 1.1 0.2m/min KOH1-1.5L/h DI water10-15L/h 3500L/h 漂洗DI water60L 常温 1.1 0.2m/min / 58L/min 酸洗 HF39L DI water396L 常温 1.1 0.2m/min HF1.2L/h DI water 6L/h4700L/h 漂洗 DI Water60L 常温 1.1 0.2m/min / 58L/h 吹干 压