电子线路1课后习题集规范标准答案

1、电子线路（I）董尚斌编课后习题（1到7 章）1-1本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电3 Ego子一空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度ni AoTe菊与温度有关。杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到 N型半导体，N半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取2决于杂质的浓度，而少子的浓度与 ni或

2、正比，即与温度有很大的关系。若掺入 3价元素的杂质可得到P型半导体。1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。1-3半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？扩散电流是由于浓度解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流, 差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN结加反偏电压，外加电场与内电场方向

3、相同,PN结变宽，外加电压全部降落在PN结上，而不能作用于 P区和N区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在 P区及 N区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。1-5将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻, 在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。（2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。R 10档测出的阻值小，而用1-6在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R 100档测出的阻值大，为

4、什么？解：万用表测量电阻时， 实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效 直流电阻之和联合决定。通常万用表欧姆档的电池电压为1.5V , R X 10档时，表头满量程为 100卩A，万用表的内阻为Rs = 150Q, R X 100档时万用表的内阻为 Rs 10Rs 1500 。用万用表测二极管由图可得V和电流I之间有下列关系:所构成的电路如题图1-6 (a)所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。 管子两端的电压RX 10 档:V 1.5 IRsRX 100 档:V 1.5 IRS 1.5 10

5、IRS011題圈卜e这两个方程式在电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。 在特性曲线与直流负载线的交点上。用V-I坐标系中均为直线,如图(b)所示；从二极管本身的特性看，管子的 因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定RX 10档测量时，交于图中 A点，万用表读数为 V1/11；用RX 100档测时，交于图中 B点，万用表读数为 V2/12。显然前者的阻值较小，而 后者的阻值大。1-18 在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2 X 1014cm 3,受主原子数等于 3X 1014cm3。(1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是 N型还是P型锗？它的电功能主要是由电子还是由

6、空穴来体现？提示若Na = 受主原子(负离子)浓度，Nd =施主原子(正离子)浓度，则根据电中性原理，可得Na n Nd pnp2 ni由上二式可求出(2) 若(3) 若(300K下，锗的n、P之值。Na= Nd= 1015cm3，重做上述内容。Nd = 1016cm 3, Na= 1014cm 3,重做上述内容。ni = 2.4 X 1013cm3)解之得由 np ni2 2与 n + Na= P+ Nd可得 p 2 (Nd Na) p ni 01-(Nd2由于p>0,故上式根号前应取“ + ”号，已知Na) J(Nd Na)2 4ni2ni = 2.4 x 1013cm3, Na=

7、3x 1014cm3,Nd= 2 x 1014cm3代入上式得11414 213 2143p 5(2 3) 10 V (2 3) 104(2.4 10 )1.055 10 cmn= p+( Nd Na)= 1.055x 1014+( 2 3)x 1014= 5.5 x 1012cm 3 由此可知 n V p因而是P型锗。(2) 由于Na= Nd，因而由n+ Na= p+ N d得n = p= ni = 2.4x 1013cm 3这是本征锗。Navv Nd,因而可得n>>pnNd=1016cm 32niP 一n132(2.4 10 )5.76 1010cm 31016n>>

8、; p,故为N型锗。(3) 由于20100试计算在T = 300K时自由电子和空穴1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子， 热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。解：T = 300K 时，n0 Nd=( 4.96x 1022/105) cm3= 4.96x 1017cm一3 >> ni = 1.5 x 1010cm rPon,/n04.53 102 cm 3本征半导体电导率6本=杂质半导体电导率6杂因此时应加多大的电压。设二极管的指数模型为(卩 n+a P) niq = 5.04x 10 6S/cm 卩 nn0q = 119S/cmb 杂/b 本=238 x 1051

9、-21在室温(300K)情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为 0.5mAlD lS(eUD"mVT 1),其中 m = 1, Vt= 26mV。解：将 iD 0.5mA, m 1, ISD1nA, eVT>>1代入公式得d/Vt/.eId/IsDVt I nb 0.34VI S1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图 1-2520mA，试确定二极管的静态直流电阻 Rd和动态电阻切(mA)lldeal所示，室温下测得二极管中的电流为 rd的大小。¥10¥DIdeal斗IV-o<-5V0.67 TJnW(a)题图1-25解：（1-

10、25）从图中可见,lDQ=20mA、Vdq=0.67V，所以静态直流电阻 Rd为RdVDQ1 DQ33.520 10 3从图中可见,Id 301020mA，因而在静态工作点处其交流电阻为rdVT261.31-26由理想二极管组成的电路如题图1-26所示,小。解：在图（a）电路中D2管优先导通，输出端电压 电流I=8mA ;题图1-26 （ b）的变形电路如右图所示，从 图中可见：假定D1截止D2导通，则输出端的电 压 1010 10103.33V ；由于5 10D2是理想二极管，则A点电压也为+ 3.33V , 然，假定D1截止是错误的。若D1导通，A点电压为零，则输出端电压 也为零V = 0

11、，则通过D1的电流为试求图中标注的电压 V和电流I的大=+ 3V, D1截止，通过1k Q电阻的lovTHlOkai-10?1-27 二极管电路如题图1-27出电压V。设二极管的导通压降为I 25所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输0.7V。10匹1mA4R(b)解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断 开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压 大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降;如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个

12、以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下： 在图题1-27 (a)中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压Vab = Va一 V B = 5V ( 1OV ) = 5V。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。 如果设二极管是理想器件，正向导通压降Vd = 0V，则输出电压Vo= Va Vd = 5V。若考5.7V。=一 5V。电路中电虑二极管的正向压降 VD(on) = 0.7V，则输出电压 Vo= Va V(on)D = 5V 0.7V = 在图题 1-27 (b)中

13、，断开二极管 Vd有 Vab = Va Vb = 1OV ( 5V)可见，二极管 Vd接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态(相当于断开)，流等于零(设反向饱和电流为零)，R上的电压降等于零，故 Vo= Vb = 5V。 在图题1-27 ( C)中，首先将 Di和D2断开，求两管将承受的电压为：Vdi:VD2：Vbia=Vbi Va= OV ( 9V )= 9VVb2a = Vb2 Va = 12V ( 9V )= 3V二极管接入以后，Vdi因正偏处于导通，则Vo= Va = Vbi Vvdi = 0V 0.7V = 0.7V而Vb2a = 12V ( 0.7V)= 11.3V，所以，Vd2

14、因反偏处于截止状态。 在图题1-27 (d)中，首先将 Vdi和Vd2断开，求得两管将承受的电压。Vdi：V D2：Vabi = Va Vbi = 15V 0V = 15VVab2 = Va Vb2 = 15V ( 1OV )= 25V二极管接入以后，因Vd2承受的正向电压较Vdi高，优先导通;+ Vd2 (on) = 1OV + 0.7V = 9.3V。Di 因承受电压而截止。故Vo = Va = 9.3V题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V，稳定电流额定功率为200mW，试问1-28 为 10mA ,(1) 当电源电压在18V - 30V范围内变化时，输出 Vo是多 少？稳压管是否安

15、全？(2) 若将电源电压改为 5V,(3) 要使稳压管起稳压作用，件？解：由于稳压管的额定功率为电压Vo是多少？电源电压的大小应满足什么条使A点的电位Va = Vb2Vo200mW，而Vz为6V，则通过稳压管的最大允许电流为20033.3mA6I Z max为Iz 1(2)(1)当电源电压在 1830V30 6范围内变化时，输出电压 V 0= 6,而通过稳压管的电流 Iz103 24mA <若电源电压改为Izmax，所以稳压管是安全的。5V，电压Vo= 5V (不稳压)。10 10 3< Mi ioy<33.3 10 316VV Vi < 39.3V1-29题图1-29

16、中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，是工作于放大状态， 截止状态还是饱和状态？解：三极管的三种工作状态的偏置特点为：放大状态一一发射结正偏、集电结反偏；饱和状态一一发射结正偏、集电结正偏；截止状态一一发射结反偏、集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管0.7V、锗管0.3V。 若违反以上特点，则考虑管子是否损坏。综合分析后得：(a)放大状态；(b)发射结断路;(h)(f)饱和状态；(g)发射结断路；(c)放大状态; 放大状态。(d)发射结短路;(e)截止状态;1-32 已知电路如题图(1) Vcc=15V(2

17、) Vcc= 18V解：(1)1-32所示,Rb= 390k QRb= 310k Q题图1-23试判断下列两种情况下电路中三极管的状态:Rc= 3.1k QRc= 4.7k QI BQVccVbeq15I CQVceqRbI BQ1003900.77036.736.71063.67mAIcqRc 1511.43.6V因为 Vceq > 1V(2)假设放大管处于饱和状态，令Vces- 0则，所以T处于放大状态I CSVcc VcesRc3.83mAI BS也 38.3180.73310 10所以T处于饱和状态。55.8 A > I BSGO43十I"031015:yo题图1

18、-341-34某三极管的输出特性曲线如题图1-34所示，从图中确定该管的主要参数:PcM、V (BR) CE0, 3(在 Vce= 10V , Ic = 4mA 附近)。答案：IcE0= 0.2mA ; PcM = 40mW; Vce0=25V ; 3= 50I CEO、1-36 若测得某半导体三极管在|B = 20卩A时，lc= 2mA ; Ib = 60卩A时，lc = 5.4mA ,试求此管的3、ICE0及|CB0各为多少？解：根据三极管电流分配关系lc =3 Ib+ IcE0和已知条件，有2000 A = 20 "3+ IcE05400A = 60 '3+ IcE0由

19、此解得3 = 85 l CE0= 300 1 A又 lCE0 =( 1+3)lCB0，所以 lCB0 3.5 1 A1-38已知半导体三极管静态工作点电流I cQ=2mA ,b o-r;=80 , |Va| = 100 V ,rbb0 ,试画出器件的混合n型等OC+ 0® 1-30等效电路圏效电路，并求其参数be、gm和rce值。解:混合n型等效电路如图所示。由于因此rbeVt(1)产 1040 , gm Abe 77mS,1 EQrce也50k1 CQN沟道JFET的输出特性如题图1-42所示。漏源电压的 Vds= 15V，试确定其饱 Idss和夹断电压 Vp。并计算Vgs= 2V

20、时的跨导gm。由图可得：饱和漏电流 Idss疋4mA，夹断电压V p4V , Vgs= 2V时，用作图法求得跨导近似1-42和漏电流解:为：g m iD GS2.61.4 mS = 1.2mS1 ( 2)1IV-£V-3Ya2题图1-42冲(nA)'4°51。 lb 20 伽2-1什么叫放大器？试述题图2-1放大电路中各元件的作用?0.9876，贝U |EQ= Icq/a= 2.025mA2-2根据放大电路的组成原则，判断题图2-2所示各电路能否正常放大。ChCcCf)解答：图图图(a)(b)(c)题图2-2电源电压为负值，晶体管没有合适的工作点，电容Cb隔断了直流

21、，晶体管处于截止状态，电路不能正常放大; 电容Cb将输入信号短路，电路不能正常放大；电路不能正常放大;(d)晶体管的集电极为交流地电位，所以0，电路不能正常放大;(e)(f)晶体管处于截止状态，电路不能正常放大; 电路有放大作用2-3画出题图2-3放大电路的直流通路和交流通路以及iB、iE、 E的波形图（设B、 I B、 I E、s Vsm Sin t ,Vsm<< Vbe ,放大器处于线性状态工作,而且在工作频率下耦合电容 Cb和Ce足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）题图2-3解：题图2-3=>1严I门EQ% Kel题-;3电路的直漏通路题图27电路的交沛通路2-4

22、在题图2-4所示的电路中，已知管子的rce不计，信号源 s 0.1sin t(V) , Rs流值iB、BE、 iC、CE 。解:Icq = 2.17mA- I BQ1 CQ21.7 A2-810kbeib Rsrb eVt101 11.98 1.21kI CQ8.92sin t( A)Ib = I BQ + ib=( U BE = V BE(on) +u iC = Icq + ic=( U CE = V CEQ +题图电路的波形图100,VBE(on) 0.7V,Icq 2.17 mA。设 rbb'0,试求三极管各极电压和电+Vcc(imHKc21.7 + 8.92sin 3 t)卩

23、A be=( 0.7 + 0.01sin 3 t) V2.17 + 0.892sin 3 t) mAU o =( 7.66 + 0.27sin 3 t) V试用估算法确定题图 2-8所示放大电路的 Q点。已知三极管的50。CbSllc题图2-8解:I BQVCC1 BQ1RcVbeqRb 1 R2-10静态工作点解:所以取标称值又因为所以取标称值取标称值BQVCCVBEQRb154 ARc ReIcq =3 I BQ= 2.7mAVcEQ= Vcc ( lc+ Ib) ( Rc+ Re)= 3.46V设计一个如题图2-10所示的分压式偏置电路。已知I CQ 1mA, VCEQ50, Vcc 1

24、2V 它的4.5V, Vbeq 0.7V。试选择 Rb1、Rb2、Rc和 Re。+Vcc(12V)jKcCeT卜题 2-10因为Vbq =( 35) V，这里取 Vbo= 4V ,Vbq= Vbq 0.7V = 3.3VReI EQRe= 3.3k QI BQI1 =I CQ(5 10)Rb2VBQRb2 = 20k QRb1Rb1 = 39k QVeqIcq 11 10 350I1Tg3 3.3k20 AIbq =( 100 200)卩 A，这里取 I1 I2= 200 卩 A2004620k10 612 4 540k200 10RcVCCVCEQ VEQ12 4.5 3.3取标称值Rc=

25、4.3k Q2-13 已知题图I CQ1 10 34.2k2-13所示放大电路中三极管的参数为40, rbb 300，试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接 到多少？4k的负载,问这时放大器的电压增益下降解：(1 )静态工作点依据题意有VBQRb1Rb2Vcc4.7122.1VI EQVBEQI BQI CQVcEQ224.72.1 0.2ReRe1 1031.9mAI EQI BQVcc1.9 10 34240 46 10I CQ RcI EQ Re461.84mA12 1.84 2.5 1.9 15.5V(2)电压增益 因为re26 mV26I eq mA1.913.68A1bb

26、0 Hc10 re4025 103300 41 13.68116.2当放大器输出端外接4k Q的负载时，由于Rl = 4k Q,Rl Rl / Rc竺31.538k2.5 4103Ri= Rg+ Rgi/Rg2= 1M Q+ 2M Q /500k Q =1.4M Q所以A2rbbr"77e300 ；13.68儿4640 1.538 103R1rb e1 rb e3R1rb e12-14题图2-14所示电路，属于何种组态？若输入信号波形为正弦波，试定性画BE、i E、ic、CB 及o的波形，并说明 o与i的相位关系。解：该电路属于共基组态十%女；T02-24,设静态值Vgs= lOt5

27、001!题VgRg2一Vdd4VRg1 Rg2题图AW电略申各点的电压波形E2-24由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如题图 0.2V , gm = 1.2mA/V，试求：(1) 静态值Id和Vds;(2) 电压放大倍数 A u ,输入电阻Ri和输出电阻Ro。 解：(1)求静态值Id和Vds 由该电路的直流通路可求得：Vg Vgs= Id Rs所以管 y 0.42mA10k题图2-24Vds= Vdd |dRs= 15.8V(2)输出电阻Ro计算电压放大倍数A u,输入电阻Ri和FT先画出微变等效电路如图所示 由微变等效电路可得gs og m gs RL gs g m gs RlahR

28、迦圈2-盟的澈变等效电路圏TgmRLgm Rs/Rl_0.861gmRL1 gm Rs/Rl输出电阻 贝Uu gs= 一 u o,Ro的求法：将输入端信号源短路，断开负载电阻Rl，输出端外加交流u o,从而输出电阻为3-3=0.7V ,解:3-4设超B管RoRs/ogm gsRs在题图3-3试求T1和T2管的集电极静态电流所示的差分放大器中,Rsgm o0.77k gmi1 = 5.01V ,I cq，共模输入电压u已知U由于10icic 1i24.995U i2= 4.98V , 3= 100, Vbe ic和差模输入电压um 0.52mA2id。u id =u i1 u i2 = 30mV

29、3-4所示共发-共基组合差分放大器电路中，T1、T2 的 3 1= 3 2= 5000, T3、T4 的 3 3= 3 4= 200,设 T3、T4管的 | Va| 。试在题图Vb为共基管T3、T4提供偏置。求差模输入电阻Rid，双端输出时的差模电压增益 A d。IC5解：由于 Icq1 = |cq2 c- =13.25A，贝U rb e11Vt1 Icq19.8M因此Rid2 R1rbe119.6Mrbe311 r3Rc1Rc239.53-6 比例式电流源电路如题图3-6所示,| Va| = 120V，试求 Ic1、解：参考电流已知各三极管特性一致，V BE = 0.7V , 3 = 100

30、,IC3和T3侧的输出交流电阻 Ro3。参考1 C20VBE(on)R2R46 2mA则Ic1RIc21.13mAI C3I C2R2R33.33mA输出交流电阻Ro3rce3 1R3R3rbe3R4/1016k其中rbe3VtI C3780,re2 出I C2所示为有源负载差分放大 器，已知各管参数相冋，Vbe = 0.7V , 3= 100, 1 Va| = 100V，试画出差模交流通路和等效电 路，并求差模输入电阻 Rid、差模输出电阻Rod、3-7题图3-7差模电压增益A d =u od/ U id。R2re25其中因此T4V迪52)由于则Ic1因此5-KiTiT41'I &#

31、39;ll U 7I C5I C2由于Ro 4 Mb2 tRl：e2i -昇Ko4亠竺1mAR30.5mA ,rb e1rbe2rb e4Rid2rb e1 10.5kR2rce1rce2rce4Rodrce2 / Ro4R2 rbe4rce1 /re3RiVtIc1 5.25k2960kI C1re3VtIC152180k, AdRl / Rod182.7rbe23-9答案填入空内。(1) 该电路采用了 C。A共集-共基接法B共集-共射接法(2) 电路所采用的上述接法是为了C A增大输入电阻(3) 电路采用超B管能够 A增大输入级耐压值电路如题图3-9所示，T1与T2管为超B管，电路具有理想

32、的对称性。选择合适的C共射-共基接法B增大电流放大系数B.C展宽频带B增大放大能力C增大带负载能力(4) T1与T2管的静态管压降 Vceq约为3-20均为2V,(1)(2)(3)在题图3-20中，已知 Vcc = 15V , R4= R5= 0.5 Q Rl = 8 Q,三极管的饱和压降 在输入电压足够大时，求：最大不失真输出电压的有效值V om；负载电阻Rl上的电流的最大值Il max。n。最大的输出功率 Pomax和效率解：(1)题图3-20所示电路中，故有VR4VCCMcesR4RLR40.5/0.76V0.5 8VomVccdV 8.65V1.414L max(3) PomVCCVC

33、ESVr4RlVCCMcEsI Vr42RlVccVcEs| VR4Ng15 2 °.76A 1.53A152 0-76 2 W 9.36W3.14 13 O.7664%4 153-22 在题图3-22所示电路中,已知二极管的导通电压VD(on) = 0.7V，三极管导通时的Vbe = 0.7V , T2和T3管发射极静态电位 VEQ = 0。试问：(1) 、T3和T5管基极的静态电位各为多少？(2) 设R2= 10 kQ, R3= 100 Qo若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流约为多少？静态时U为多少？(3) 若静态时Ib1 > Ib3，则应调节哪

34、个参数可使Ib1 = Ib3 ?如何调节？(4) 电路中二极管的个数可以是 1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？解：(1)在题图3-22所示电路中,Vb3 = 0.7V ,Veq= 0，故有 Vbi = Vbei + Vbe2=(0.7 + 0.7)V=1.4V ,Ic5VCCVB1r218_ mA 1 66 mA10Vb5= Vbe5 +( Vcc) = ( 0.7- 18) V = 17.3V则可以向电阻增大方向调节电阻R3使iB1= iB3。3-22的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体Vb517.3V(3) 若静态时iB1 &g

35、t; iB3 ,(4) 在电路中采用题图 因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。 管T1与T3之间刚好有三个 PN结。4-1试求题图4-1所示框图的增益 Af So；Si (或 Avf5)圈题4T解：对于题图4-1 (a)可列出A2 A1i B1 oB2 ooA1 A2io 1A1 B1 A2A2 B2所以，闭环增益为Ai A21A, BiA2A2 B2对于题图 4-1(b)A1、B1构成的闭环增益Af1 =1A1B1A因此，总闭环增益AfSoAf 1 A2A1ASiAf1A2 B21AiB1AiA2B2对于图题4-1( c)，设A1、A2的净输入信号分别为Si1、Si2，Si2SoSi1A

36、1Si1B2SoA2Si2SiB1 Si 2B3 SoAf5051A1A21A1B1A2 B?A1A2 B34-2判断题图4-2中的反馈放大器是什么类型的反馈电路？哪些是负反馈的？哪些是O正反馈的？标出反馈支路。并说明其特点（仅说明负反馈放大器的）Cbi比5-(a)CtRc丄KciCt4(d)（C）血Rc0%rx%o工_胃4Tee解：图（a）图（b）图（c）图（d）图（e）0题q违电压并联负反馈，稳定输出电压，具有低输入，输出电阻。电压串联负反馈，稳定输出电压，具有高输入电阻，低输出电阻。电流并联负反馈，ib= ii- ifVii输入电阻低，输出电阻高稳定输出电流。 电压串联正反馈。ib= i

37、i+ if > ii，电压并联正反馈。图（f）电压串联负反馈，输入电阻高，输出电阻低。图（g） Rf、Rg引入级间电压串联负反馈（1 ） Rf一端接在T3管输出端上，另一端 接在差分放大器同相输入端（T2管）上，因此 Rf引入级间反馈。（2）假设输出端短路，Rf引入的反馈消失，故为电压反馈。假设输入端短路（令Uid = 0）电阻Rg上的反馈作用依然存在，故为串联反馈。（3）假设输入端U ii为+ 7则U c2为+ 7u e3为+ 7 Rg上端为+。显 然，作用在反相输入端电阻 Rg上的反馈电压U f,使差模输入电压U id减小（U id =u ii u f）, 故为负反馈。图（h） ib

38、= ii ifv ii,电压并联负反馈，稳定输出电压，输入、输出电阻低。估算深度负反馈条件下的电压放大4-10 判断题图4-10所示电路的反馈极性和组态, 倍数ol s （电容的容抗很小可忽略不计）。解：该电路的级间反馈为：电压并联负反馈该电路的深度负反馈条件为ib iiif0 若Re2与Re2相交节点处的电压用o表示有: ii ifiiRsif将上式代入深度负反馈条件得Rf其中：o oRe2/RfRe2 Re2 / RfRf Re2Re2 RfRs(Re2 / Rf)30阳330 a4-12由理想集成运放组成的反馈电路如题图4-12求出U i = 1V时的U o值。所示,请指出反馈的极性和组

39、态，并答案：电压并联负反馈，u o= 3V。4-13 判断题图4-13中各电路反馈的极性及交流反馈的组态。5-4已知传输函数A(j)H1rrr，试用近似作图法画出波特图。Uii尺2TrlI %(a)Cb)丄图题答案:图(a)：电流串联负反馈;(b)：电流并联负反馈；图(C)：电压并联负反馈。4-27(1)(2)Rof和闭环增益Auf分别为多大?设两级放大电路如题图 4-27所示。为了使输出电阻减小，应引入何种反馈，在图中标明反馈支路; 引入反馈后的电路在深度负反馈条件下输出电阻(1)为使输出电阻减小，应为电压负反馈；若是电压串联反馈,Rf接在C 2和E1之间形成的是正反馈。所以应引入电压并联负

40、反馈，即把电阻Rf接在B1和C2之间。(2)满足深度负反馈条件时，Rof沁0；利用虚断概念得ib ii if0 ii ifRsAfRfRs分析应考虑不同类型负反馈对电路性能的影响,同时应注意是否满依题意连接反馈线路时， 足深度负反馈条件。解:A j1H亠丄H_10 j 10110 01Ad-1p图5-4恃範函数的波椅图式中 A H/10,z0， p 100由此可画出波得图 5-4II是分子分母的相频特性，（a）、（b）所示，图中I、II分别是分子和分母的幅频特性, III和III是总的幅频特性和相频特性。5-7 设只含一个RC环节的单级放大电路如题图5-7所示。已知&470 k ,Rs

41、 500 ,Rl,三极管的50, rbb 100 ，rbe 1.9k ，特征频率fT 100MHz，Cbc 3pF ;电路中频区电压增益20lg|A m 40dB，通频带范围为100Hz 1MHz。（1）计算电容C1的大小;（2）确定Rc的的数值。解:rbeRs C1"U 810 Jr阀 r畸T所以CifL3100 Hz220.5103C136.4 F22 0.5103 1001由于rb erererb e137.326.8mSCbe所以5-8re2 re fT642.7 pF237.3 106RtrbbRs / rbe0.456kCtCtRc2RtfHCbe 1 gmRc3.8k设

42、题图5-8所示电路参数为:rbe 660, fT 200MHz , CbcCbc0.456103 106349 pF0 = 60,gmRc 102lE = 2.4mA , Vbe = 0.6V, rbb 505 pF , Rl= 5k Q,Rs=500 Q,计算电路的上限频率fH及增益-带宽积，写出高频区频率特性表达式。解：（1）题图5-8所示电路的高频小信号等效电路如题图 容经密勒等效变换处理）。rbeS 0.091S 91mS660Jbc卜+ 气2 1 严TeR；n题S5-3Ca）灰丈罟的鬲频等效电路圈5-8（ a）所示（三极管极间电4-Cbegm2 fT0.0916 F2 3.14 20

43、0 1072.5 pF题图5-8（ a）中的等效电容 Ct为CtCbeCbc 1g m RL72.55191 1.43727.5 pF电容Ct两端的等效电阻为Rtb e Rsrbb0.66/ 0.050.50.3k上限频率为fH2 RCt10.3 103莎k 729畑放大器的源电压增益为AvsmRlr beRs60 1.43 103一0.66 0.05 0.5103则增益带宽积为GBW A smH 71 729 10351.8 106 Hzi高频区频率特性表达式为AsAvsmTh6-1分别选择“反相”或“同相”填入下列空内。比例运算电路中集(1) 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而 成运放两个输入端的电位等于输入电压。比例运算电路的输入电阻小。比例运算电路的输入电流等于(2) 比例运算电路的输入电阻大，而 _(3) 比例运算电路的输入电流等于零，而 流过反馈电阻中的电流。比例运算电路的比例系数小于(4) 比例运算电路的比例系数大于1，而零。同相比例运算电路解 (1)反相 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而 中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。(2) 同相 比例运算电路的输入电阻大，而反相 比例运算电路的输入电阻小。(3) 同相 比例运算电路的输入电流等于零，而反相 比例运算电路的输入电流等于 流过反馈电阻中的电流。